高精度基准电压源的设计

根据相关理论,设计出一个带隙基准电压源电路,包括带隙基准电压源电路核心部分、运算放大器、偏置电路以及启动电路。电路设计完成后,利用0.18μm CSMC-HJ N阱CMOS工艺模型库,使用仿真软件对电路进行仿真。工作电压1.8V,工作温度在-20℃到100℃之间。仿真结果表明,该设计的温度系数为6.1ppm/℃,随着电源电压的变化,输出电压的变化仅为0.005mV/V。     

高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

介绍了一种采用0.5μmCMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比。基于SPECTRE的仿真结果表明,其电源抑制比可达116dB,在-40℃～85℃温度范围内温度系数为46ppm/℃,功耗仅为1.45mW,可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器、偏置电路等集成电路模块中。     

非线性补偿的低温漂低功耗CMOS带隙基准源的设计

设计了一种基于电流模式的具有非线性补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源,在传统电路的基础上增加一个三极管和两个电阻达到对双极型晶体管的发射结电压VBE中与温度相关的非线性项的补偿。电路采用CSMC0.5μmDPTMCMOS工艺制造。该电路结构简单,在室温下的输出电压为1.217V,在?40℃～125℃的范围内温度系数为4.6ppm/℃,在2.6～4V之间的电源调整率为1.6mV/V。在3.3V的电源电压下整个电路的功耗仅为0.21mW。     

提高带载能力的高稳定性自适应斜坡补偿电路

提出一种新颖的精确自适应斜坡补偿电路,与传统的自适应斜坡补偿电路不同,该电路不仅引入了输入、输出电压,还引入了电感电流和开关管导通阻抗的乘积,从而实现补偿量的自动调节和精确控制,提高了DC-DC转换器的带载能力和瞬态响应,同时更好地保证了系统的稳定性。基于该结构采用0.35μm CMOS工艺设计实现了一款面积为1.8×1.8 mm2的Boost DC-DC转换器芯片。测试结果表明,该转换器工作状态良好,占空比从15%~90%变化时,电感电流最大值变化量小于6.5%。     

一种新型用于VGA的微功耗指数电流电路

提出了一种适用于可变增益放大器(VGA)的微功耗指数电流电路。该电路结构简单,以偏置在亚阈值区的MOSFET为核心器件,并利用其漏源电流Ids与栅源电压Vgs呈指数关系的特性产生指数电流。该电路从系统架构出发,通过引入阈值监测电路,控制电压转换电路及求和电路,补偿了其阈值的工艺和温度偏差,使该指数电流电路具有较好的工艺和温度偏差抑制能力。基于TSMC 0.18μm标准的CMOS工艺平台验证表明:该指数电流电路dB线性动态范围为30 dB,其线性误差为±0.41 dB,最低工作电压为0.9 V,功耗为11μW。     

神经功能保护治疗仪的压控恒流源电路的研制

本文设计的单极性输入双极性输出压控恒流源电路是神经保护治疗仪的重要组成部分,它由CPLD电路产生极性相反的脉冲控制三极管组成的电流换向开关来选择输出极性。其V/I转换系数、带负载能力(包括输出电流的大小及负载电阻的大小范围)可以通过合理设计电路参数来实现,实验证明,该恒流源电路具有良好的线性和电气安全性,能很好的满足神经功能保护治疗仪的要求。     

C波段低成本带阻型低噪声放大器的设计

利用微波Office软件仿真设计了一种C波段低成本带阻型低噪声放大器,为了实现低噪声系数和小的电压驻波比,文中采用平衡式两级场效应管放大.通过采用一个带阻滤波器滤波,使得电路在通带低端附近有20 dB以上的增益抑制,加上一级单片放大,总增益大于30 dB.实验结果为:在4.8 GHz～5.25 GHz频率范围内,增益为34.9 dB,噪声系数<1.03 dB,带内增益平坦度<0.38 dB,输入驻波比<1.20,输出驻波比<1.15.在4.4 GHz～4.65 GHz频率范围内,增益抑制>21 dB.     

基于UC3854功率因数校正器的电源设计

利用高功率因数控制芯片UC3854,设计了250 W功率因数校正器(APFC)。为了减小输出整流二极管反向恢复过程中产生冲击电流对整流二极管及功率开关管MOS的损坏,主电路中的升压电感采用带中心抽头的三点式结构和二极管两端并联RC缓冲电路;以保证APFC工作在电流连续模式下为依据,具体设计了升压电感值;分析了重载下输出电压下跌的原因,通过设计UC3854控制器内乘法器输入端的电路参数,实现重载下输出电压稳定。最后,通过电路仿真和实验结果表明:该系统的性能可靠,功率因数约1。     

一种高性能CMOS集成运算放大器的研究与设计

利用微机电技术,使用0.18微米的CMOS工艺,实现了一种新型的全差分结构低噪声运算放大器,供电电压是1.8V。输入级采用PMOS套筒式共源共栅放大电路、共源电路作为中间级,设计的电路减少了运放内部器件噪声及电源串扰噪声的干扰。最后,对电路的直流增益、相位裕度及输出噪声等做了较详细的分析,针对电路使用Cadance的IC5033在SUN工作站上全面仿真,显示在1KHz处的参考噪声可达6nHz左右,达到了预期目标。     

CMOS环型压控振荡器的设计

设计和分析了一种高稳定度、低噪声的CMOS环型压控振荡器。该电路具有较低的压控增益,较好的线性范围,较低的相位噪声。应用复制偏置电路,对差分环型压控振荡器的控制电压进行复制,通过对压控振荡器相位噪声的计算和分析,以提高对环型压控振荡器电源电压噪声和衬底噪声的抑制。该设计和分析是基于上华0.5μmCMOS工艺,当控制电压从1～3V变化时,相应的振荡频率为100～500MHz;在偏离中心频率1kHz、10kHz、100kHz和1MHz频率处得到的相位噪声分别为?50dBc/Hz、?75dBc/Hz、?98dBc/Hz和?120dBc/Hz。     

电力系统二级电压控制中枢节点的选择

二级电压控制根据中枢节点电压预设值调节控制装置的控制方案。二级电压控制的目标是将负荷节点电压偏离降至最小,从而增强电力系统的安全性。因而中枢节点的选择是二级电压控制的关键。本文提出了中枢节点选择的新方法——K-优化贪婪算法,并以ieee-30节点系统为例进行了案例研究。     

半导体制冷保温容器制冷性能的实验研究

研制一种主要用于血液保存的半导体制冷保温容器的制冷系统.通过对其不同工作电压、环境温度及外部散热等条件制冷性能的研究,找出了影响半导体制冷性能的主要因素.确定了该制冷保温容器在不同环境温度下的最佳工作电压为12 V、最佳工作电流为4.5~4.8 A.并认定存在最佳热端散热强度等.另外,通过实验得出了在不同环境温度下,工作在最佳工作参数条件时制冷器内部所能达到的最低温度.     

智能化电池充电装置的研究

利用智能化充电装置、准恒压充电模式，在电池充电时，加入温度补偿系统和电压检测部件，采用模糊PID调节，较好地解决了三段式充电引起的电池损坏现象，延长了电池的使用寿命。     

基于d-q变换的改进型锁相环设计

针对基于d-q变换的锁相环对电压不平衡和畸变时动态过程较差,提出一种基于d-q变换的锁相改进模型,即电压不平衡和畸变条件下,能快速、准确地锁定正序基波电压相位.通过PSCAD/EM TDC对改进模型进行仿真,验证结论的正确性.     

串联稳压器基准误差放大电路的设计

针对串联型稳压器,设计了一种应用于串联型稳压器具有自建基准的新型误差放大电路。该电路具有构思巧妙,结构优化,易于集成及较高的开环增益,共模抑制比及交流特性的优点。通过验证,实测数据与仿真结果基本一致。     

用于微网储能的变流器控制方法

针对提高微网储能变流器的动、静态性能,提出融合了前馈解耦控制的电网电压定向双闭环控制策略,在三相电 压源型变流器(d,q)坐标系数学模型的基础上,以电网电压矢量定向并同步旋转,电流内环采用前馈解耦直接电流控制, 解耦了有功电流与无功电流,提高了内环电流的跟踪速度与精度,同时加速了外环电压的响应速度。仿真结果表明,变 流器系统响应速度快、网侧电流谐波含量低、直流侧电压稳定且纹波电压小,能以单位功率因数双向运行。提出的控制 方法可行有效,具有应用参考价值。     

悬臂压电梁自由端受集中力的解析解

从压电弹性介质三维本构方程及平面问题的简化物理方程出发 ,求出了悬臂压电梁在没有外加电场情况下自由端受集中力时位移、电势的解析解 ,为探索压电层的感测机理提供了参考依据。     

雪崩光电管偏压控制电路的研制

分析雪崩光电管内倍增因子与偏压的关系，介绍了偏压的虚警控制原理，所述电路能自动补偿温度和背影光强的大幅度变化，是首次将虚警偏压控制技术用于连续探测的光电系统．     

线性电压信号光隔离变送器的设计及其温度补偿

报告了4N系列光电耦合器件的线性性和温度特性的测试结果。使用这种常见的光电耦合器件,设计完成了一种具有温度补偿功能的线性光隔离电压变送器。