Si_3H_n(n=1～6)环式及桥式的电子结构计算

选用B3LYP密度泛函理论方法,在全电子的双ζ加极化加弥散函数基组(DZP++)下,对Si3Hn(n=1～6)体系进行了系统的研究,获得了它们的基态结构是以三个硅原子形成的环为基本骨架,硅原子尽可能以四配位键接氢原子在环外或形成桥式结构.同时对它们在气相中可能的断裂途径作了预测.     

調制摻杂場效应晶体管的研制与測試

对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行了微波测试。在4GHz下,最小噪声系数为2.49dB,最大功率增益为10.2dB,在国内尚未见到类似报导。     

超晶格Al_xGa_（1－x）As／GaAs中相对键强度的研究

用半经验的ＣＮＤＯ／２量子化学计算方法，对一组模拟超晶格ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的原子簇体系作了第一性原理的电子结构研究。结果表明，化学键Ａｌ—Ａｓ和Ｇａ—Ａｓ的强度，在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ环境中的结果均高于它们在纯晶体ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ环境中的数值；随着ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｘ值的增大，Ｇａ－Ａｓ键强度相应地提高，但平均键强度计算结果，Ｇａ－Ａｓ总低于同环境中的Ａｌ－Ａｓ。本文结果同ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ红外光谱键强度分析等实验事实相吻合，而且为离子注入ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ中引起的晶格损伤分布行为提供了合理的解释。     

“祭”、“祀”音义探源

本文用语源学比较法,通过藏文字与汉韻书记载的中古音的比较研究,揭示汉藏语言中曾经存在或现在仍然存在的语言事实,探索汉藏语词语音义对应相合的同源关系,进而寻求炎黄文化源流.     

Ml1一xMmx(Ni3.55Co0.75Mn0.4Al0.3)充放电性能的研究

通过对已活化的Ml1-xMmx(Ni3.55Co0.75Mn0.4Al0.3)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)合金进行30次大电流充放电循环并测试循环后的放电容量来研究Ml Mm比例及粘接剂对其充放电性能的影响.结果表明MlMm比例和及粘接剂对合金充放电性能有显著影响.按充放电制度300 mAh/g×1.2 h,放电截止电位为-0.60 V(vs.Hg/HgO)进行30个循环后,Ml0.7Mm0.3(Ni3.55Co0.75Mn0.4Al0.)对应的合金容量衰减最少,放电容量平台的平均值最高,其C1/Cmax值为72.98%(Cmax最大放电容量C1 30次循环后的放电容量),放电容量平台的平均值为80.55 mAh/g.使用PVA做粘接剂相比CMC做粘接剂,合金的高倍率充放电性能循环稳定性要好.     

稀土贮氢合金Ml1-xMmx(Ni3.55Co0.75Mn0.4Al0.3)活化性能的研究

研究了M11-xMmx(Ni3．55Co0．75Mn0．4Al0．3)贮氢合金中Ml:Mm比例对其活化性能的影响，以及使用不同粘结剂对合金的活化性能和放电容量的影响．结果表明：Ml:Mm比例及不同的粘结剂对合金活化性能有显著影响．按充放电电流均为60mAh／g，充电时间为7．5h，放电终止电位为-0．60V(vs．Hg／HgO)的充放电制度活化时，M11-xMmx(Ni3．55Co0．75Mn0．4Al0．3)对应的合金具有最好的活化性能和最高的放电容量．用PVA作粘结剂，该合金只需4个循环即可活化，最高放电容量为329．7mAh／g．与用PVA作粘结剂相比，以CMC为粘结剂时，各组分合金的活化性能明显变差(经过了10个循环周期，合金仍未完全活化)．     

高职院校应用英语能力B级口语考试反拨效应对比研究

一项科学的考试不仅在考前,还应在考后对应试者产生积极的反拨效应。本文应用PPP反拨效应模式,通过对学生考前及考后的问卷数据分析,探讨口语考试是否对学生的后续学习产生积极的反拨效应。结果显示,B级口语考试对学生的后续学生产生了积极的影响．     

学科特色是构成高校核心竞争力的基础--高校办学特色系列研究之四(上)

高等学校的学科具有结构性和亚群体性。高等学校学科发展形成特色便是这两种特性的逻辑要求：学科结构体系的特色可以促进学科“共生”和“互动”;学科“亚文化”的特色也可以促进学科“互动”。学科特色对于提高人才培养质量有支撑和保证作用,是构成高等学校核心竞争力的基础。