双二茂钙分子的电子输运性质研究

采用第一性原理密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法研究了双二茂钙分子的平衡电导、透射谱、分子投影轨道和电流—电压曲线.计算得到了该分子的平衡电导为8.63×10-6G0,其最高已占据轨道对平衡电导有更大的贡献.双二茂钙分子正负偏压区的电流—电压曲线近似对称分布,并表现出了开关效应.这一特性使该分子可能成为制作分子开关器件的重要备选材料.     

普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8nm的负阻型HBT。该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1000,并伴有电流控制型负阻。     

温度对单层有机发光器件电流注入机制的影响

温度是影响有机发光器件特性的一个重要因素,考虑了电流的注入限制和体限制之后,运用数值方法,研究了在低电场下温度对单层有机发光器件电流注入机制的影响.结果表明,在电压一定的情况下,当温度逐渐升高时,器件的电流传导将趋向于体限制,而当温度逐渐将低时,器件电流传导将趋向于注入限制,此时有机层内各处电场强度趋于均匀.     

配合物中央体杂化方案的综合分析(Ⅱ)

根据已报道的利用各点群的特征标表和各种构型约化表（表一）推求的不同配位数分子常见构型的杂化方案“’，结合具体的中央体元素原子的性质，可以得出周期系各元素原子作为配合物中央体的。、。杂化方案，本文仅分析日杂化。1中央体杂化轨道与配体价轨道的键合——价键模型已表明a杂化轨道可以接纳配位原子的价电子形成四键，如SO。分子，属于ML。型分子，按照杂化方案可能有SP‘、dP’、d’S、d’、及P’、dZP杂化，但中央体S的价电子组态为3s’3P‘、虽然价轨道为3。3P3d，因3s、3p轨道能量相近且部分占有价电子，所以sp’杂化成…     

基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）

在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。     

对B_2H_6、B_3H_5和B_4H_6分子结构的对比研究

为了正确理解氢桥键的本质,采用MP2/6-31＋＋（D,P）方法对B2H6,B3H5和B4H6分子的结构进行了研究。比较了这3种分子中处于分子平面上下方的两个氢原子的距离变化引起的各原子带电情况的变化图和分子轨道图,结果显示,在某种程度上,B3H5和B4H6中分子平面上下方的两个氢原子具有类似B2H6分子中两个桥氢原子的性质,并在此基础上通过B2H6,B3H5和B4H6的分子轨道图得出了这3种分子中的氢桥键结构均可以看成π键电子云吸附两个带正电的质子构成的结论。     

量子相干性对串联平行板介观电容器中电子含时输运性质的影响研究

通过自洽方法讨论了介观器件间的量子相干性对串联平行板介观电容器中电子含时输运性质的影响.结果表明量子相干性强烈依赖电容器极板间距和外部电压的频率.当极板间距较小或者高频段时,量子相干性对输运特性的影响尤为明显,说明在此类条件下,电流特性不遵循基尔霍夫定律.     

镜像势对Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体双势垒共振隧穿系统Ⅰ-Ⅴ特性的影响

本文围绕镜像势对双势垒共振隧穿系统电流—电压特性的影响作了系统的分析探讨,并在考虑和不考虑像势影响的两种情况下对该特性作了计算比较。结果清楚显示镜像势对具较大介电性能差别的系统之电流—电压曲线会引起明显的峰的漂移,从而说明镜像势对这类系统器件性能的影响不应忽略     

基于Ag/SiNWs肖特基势垒二极管的I-V温度特性研究

主要讨论了Ag/SiNWs肖特基势垒二极管(SBD)的I-V-T特性.常温(T=300 K)下,Ag/SiNWs SBD的理想因子为3.9,零偏压下的势垒高度ΦB为0.957 eV.在一定反向偏压(-0.1—-9 V)下,通过Ag/SiNWsSBD的反向电流(Js)随着温度(T)的升高明显增大,ln|Js|与-1000/T呈线性关系,当反向偏压为2.1 V左右时,其斜率最大为5.433.     

空穴传输层厚度对OLED性能的影响

该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK(0～60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,有机发光二极管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,当空穴传输层厚度为15nm时,有机发光二极管器件具有最低的起亮电压、最高的发光亮度和最大的发光效率。     

功率VD—MOSFET饱和区中的漏特性

功率VD—MOSFET的漏特性在饱和区通常会出现动态负阻,其栅压越高,漏源电流越大,动态负阻就越显著.本文对自制的功率VD—MOSFET(CS5N450型)进行了测试和分析.用脉冲法测试,通过分析对比证实,在测量范围内,引起这种动态负阻的根源主要是自加热效应.     

MCo_12原子簇的电子结构和磁性性质研究

利用分离变分局域自旋密度泛函方法,对正二十面体MCo12原子簇的电子结构和磁性性质进行了研究,结果表明:原子簇的中心原子与表面原子之间具有键长收缩效应,其相互作用得到了加强;用Ti、V、Cr、Mn、Fe和Ni原子替代中心Co原子后,原子簇的稳定性得到了一定的提高;均呈现出金属特性和一定的磁性,价带宽度随着M原子原子序数的增加而逐渐变宽。该研究将为探索以过渡金属原子簇为基础合成新的特殊功能材料提供重要的理论依据。     

N2和CO气体的分子配分函数及其热力学性质研究

利用SUN,REN建立的AM方法获得的完全振动能谱{Ev},综合考虑到分子内部复杂的运动特性.建立了联系微观态与宏观态的精确的双原子分子配分函数表达式,并用此公式研究了200-3000K范围内N2和CO气体的熵、焓和Gibbs自由能.     

P=O键键偶极矩的研究

本文报导三种苯基磷卤化合物 C_6H_5P(O)F_2 1,C_6H_5P(O)HF 2和 O-ClC_6H_4P(O)Cl_2 3子25℃在稀苯溶液中的电偶极矩测量值,并以四面体模型利用键加和法解析出了该类分子的P=O 键偶极矩的取向与数值.     

电压幅值对均匀介质阻挡多脉冲大气压辉光放电的影响

基于一维流体力学模型,数值模拟研究了大气压下氦气中多脉冲均匀介质阻挡放电的性质,讨论了所加周期折线函数电压的幅值对多脉冲放电的相邻电流脉冲之间的时间间隔、放电装置的功率等电学特性的影响.模拟结果显示,当电压斜率不变,幅值变化时,不仅电流脉冲数目发生变化,而且相邻电流脉冲之间的时间间隔也发生变化,同时,放电装置功率的有效利用率也在不断变化.     

介质层对真空微电子三极管特性的影响研究

用粒子模拟程序MAGIC模拟了真空微电子三极管的电子学特性,其发射电流由Folwer-Nordheim公式得出.研究了栅极与阴极间介质层对电子发射特性的影响,发现介质层的位置对发射特性有较大的影响.对一个典型结构真空微电子三极管的模拟结果表明,当介质孔半径从0.4μm增加到2.0 μm时,发射电流将从0.198μA减小到0.115 μA,前人的研究工作中常常忽略了介质层对电子发射特性的影响.同时还得到了电流-电压特性和电子轨迹图等模拟结果.     

a-Si:H MNS场效应管的研制

本文从积累型工作模式和反型工作模式出发,设计并制造出三种不同结构的 a-Si:H MNSFET。测试了它们的转移特性,并对其特性的异同点进行了解释。结果表明,工作在积累模式的漏源电流比反型模式大近一个数量级,其开关比分别为10~4和10~5,阈电压分别为6V 和9V,器件的沟道宽长分别为200μm 和80μm。     

雷公藤内酯甲的分离和电子结构

从雷公藤 (TripterygiumwilfordiiHook .F .)根心部分的乙醇提取液中 ,采用硅胶柱色谱法和TLC方法得到纯的雷公藤内酯甲 (wilforlideA) .用IR ,1HNMR和元素分析表征 .分子为五环三萜γ—内酯 .从AM 1计算结果可看出 ,分子中C(2 2 ) -C(2 3)为烯键 ,C(11)连有羟基 ,C(33) -O(3)为羰基 ,整个分子呈起伏状 ,不在一个平面 .仲羟基中的O(1)及γ—内酯中的O(3)原子净电荷大 ,使得分子极性也大 ,易在O(1) ,O(3)部位发生亲核反应、氧化还原反应 ,显示分子的活性     

热处理工艺对铝基复合材料组织与性能的影响

为了提高铝基复合材料的稳定力学性能,避免发生失效,课题组通过粉末冶金法和搅拌铸造法分别制备了6061Al合金和碳化硼（B4C）质量分数为10%的B4C/6061Al铝基复合材料,然后通过T6工艺对其进行热处理(535 ℃保温5 h后温水淬,165 ℃时效4.5 h)。采用扫描电子显微镜(SEM)观察2种材料的微观组织形态,并运用万能拉伸试验机测试其力学性能。研究结果表明：热处理后的6061Al合金的屈服强度和拉伸强度分别为204和210 MPa;而经过热处理的B4C/6061Al复合材料的屈服强度和拉伸强度分别为221和246 MPa,相对于热处理前的屈服强度和拉伸强度分别提高了66%和62%,但热处理对2种材料的延伸率影响不明显。热处理后的复合材料断裂形态显示出6061Al合金的延性断裂,基体与碳化硼颗粒之间存在界面脱粘以及颗粒产生的断裂现象。     

N6-芳基嘌呤衍生物的合成

N6-芳基嘌呤衍生物具有良好的生物活性,是生物活性分子的重要基础骨架.本文以6-氯嘌呤为原料,经过9位烷基化反应得到9-取代-6-氯嘌呤,进一步利用芳胺类化合物取代嘌呤6位氯原子,成功探索出一条简洁、高效合成N6-芳基嘌呤衍生物的路线,并利用该方法制备了11个N6-芳基嘌呤衍生物,表明该路线具有良好的官能团耐受性,所得...