调制掺杂场效应晶体管的直流特性

对调制掺杂场效应晶体管的栅控特性进行了研究。考虑费米能级随二维电子气浓度的变化,计算了器件的直流特性。计算结果包括在阈值电压附近以及非饱和区,与实验结果吻合较佳。     

功率VD—MOSFET饱和区中的漏特性

功率VD—MOSFET的漏特性在饱和区通常会出现动态负阻,其栅压越高,漏源电流越大,动态负阻就越显著.本文对自制的功率VD—MOSFET(CS5N450型)进行了测试和分析.用脉冲法测试,通过分析对比证实,在测量范围内,引起这种动态负阻的根源主要是自加热效应.     

短沟道MOSFET准二维分析模型

现有的各种短沟道 MOSFET 分析模型都是所谓“两区模型”,即采用沟道长度调制的假设,把饱和 MOS 管的沟道划分为源区和漏区两个区,并在两区中分别采用缓变沟道近似与恒定电子漂移速度近似等.这就使在计算 MOS 管的沟道电场分布等内部特性时在两区分界点及其附近出现一定的误差,在计算外部特性时则在临界饱和点附近出现相应的误差.本文提出了一种新的适用于短沟道 MOSFET 的准二维分析模型.本模型的关键在于,     

微波振荡器相位噪声的非线性电流源分析法

提出了一种微波场效应晶体管振荡器相位噪声新的分析方法,该方法利用非线性电流源法分析振荡器基波和各次谐波的稳态响应和相位噪声特性,把稳态响应分析与相位噪声分析有机统一起来,便于微波振荡器综合性能的ＣＡＤ 优化设计。经验证,计算机辅助分析结果与传统分析方法的结果相一致,证明了该方法的正确性     

調制摻杂場效应晶体管的研制与測試

对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行了微波测试。在4GHz下,最小噪声系数为2.49dB,最大功率增益为10.2dB,在国内尚未见到类似报导。     

a-Si:H FET特性理论新分析及验证

本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ_(GS)与表面电势φ_S 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并制出α-Si:H MOS FET 样品,测试结果表明理论与实验能较好吻合.     

p-n结的电容特性

本文对目前应用得最广的三种 p-n 结——合金结、扩散结、合金扩散结的势垒电容进行了探讨。结果表明:合金结(突变结)的势垒电容与反向偏压之间符合 C∝(1/U~(1/2))的关系;恒定杂质源形成的扩散结只在低电压段才可取缓变结(线性梯度结)近似,即C∝(1/U~(1/2)),而在高电压区间必须取突变结近似,中间的过渡区与这两种分布都不符,不可用简单的近似关系表示;合金扩散结在低电压和高电压时均具有突变结性能,中间段的变化比突变结更为剧烈。文中得出了上述三种 p-n 结的势垒电容与电压关系的表示式,并对6和401型晶体管的相应 p-n 结作了测量,证实了理论分析的正确性。     

基于Ag/SiNWs肖特基势垒二极管的I-V温度特性研究

主要讨论了Ag/SiNWs肖特基势垒二极管(SBD)的I-V-T特性.常温(T=300 K)下,Ag/SiNWs SBD的理想因子为3.9,零偏压下的势垒高度ΦB为0.957 eV.在一定反向偏压(-0.1—-9 V)下,通过Ag/SiNWsSBD的反向电流(Js)随着温度(T)的升高明显增大,ln|Js|与-1000/T呈线性关系,当反向偏压为2.1 V左右时,其斜率最大为5.433.     

横向绝缘栅双极晶体管的电压电流特性分析

求解泊松方程和电子与空穴的连续性方程以计算横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)电压电流关系,获得在加有 p~+ 短路槽和 p~-/p~+ 衬底等结构下的伏安特性和正向电压值以及载流子寿命对它们的影响。计算在 MOS 管衬底区域的纵向和横向分布电子电导和空穴电导,发现电子电导与阳极电流具有相似的负阻特性。文中还对求解的 DN 法和 NR 法进行了讨论。     

退火对非晶ErAlO高k栅介质薄膜特性的影响

利用射频磁控溅射法在P型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3(ErAlO)栅介质薄膜,得到了电学特性优异的薄膜样品,对薄膜的退火研究发现,600℃氧气氛退火可使ErAlO薄膜的介电常数得到了提高并使其漏电流特性也得到改善,退火后样品的有效介电常数达到了15,在-1.5 V偏压下,漏电流密度仅为2.0×10-7A/cm2.氧气退火消除了薄膜中原有的缺陷,并使得薄膜更加致密,表面更加平整.     

导叶结构对直流导叶式气液分离器性能的影响

为了得到高效低阻的液滴分离装置,设计了不同结构的直流导叶式气液分离器模型,采用FLUENT软件中RNG K-ε湍流模型和离散颗粒(DPM)模型,对不同导叶结构的分离器内流场进行模拟,得到了导叶结构参数对分离器内的压 降特性、速度分布、以及不同粒径分离效率的影响规律。结果表明：导向叶片个数增加或者出口角的减小都能使分离器 分离效率显著提高,但是分离器压降也会增大;随着颗粒粒径的增大,分离效率升高,当粒径大于35 μm时,分离效率几 乎达到100%;导向叶片个数越多,叶片出口角越小,分离效率越高。数值模拟结果为设计低阻、高效的分离器提供了理 论依据。     

一种新型用于VGA的微功耗指数电流电路

提出了一种适用于可变增益放大器(VGA)的微功耗指数电流电路。该电路结构简单,以偏置在亚阈值区的MOSFET为核心器件,并利用其漏源电流Ids与栅源电压Vgs呈指数关系的特性产生指数电流。该电路从系统架构出发,通过引入阈值监测电路,控制电压转换电路及求和电路,补偿了其阈值的工艺和温度偏差,使该指数电流电路具有较好的工艺和温度偏差抑制能力。基于TSMC 0.18μm标准的CMOS工艺平台验证表明:该指数电流电路dB线性动态范围为30 dB,其线性误差为±0.41 dB,最低工作电压为0.9 V,功耗为11μW。     

用于微网储能的变流器控制方法

针对提高微网储能变流器的动、静态性能,提出融合了前馈解耦控制的电网电压定向双闭环控制策略,在三相电 压源型变流器(d,q)坐标系数学模型的基础上,以电网电压矢量定向并同步旋转,电流内环采用前馈解耦直接电流控制, 解耦了有功电流与无功电流,提高了内环电流的跟踪速度与精度,同时加速了外环电压的响应速度。仿真结果表明,变 流器系统响应速度快、网侧电流谐波含量低、直流侧电压稳定且纹波电压小,能以单位功率因数双向运行。提出的控制 方法可行有效,具有应用参考价值。     

基于构网型控制策略的直驱型风力发电机简化模型研究

直驱式风力发电作为当前风力发电的普遍形式,随着其容量的增加,将导致受端电网有效惯量不断减少,呈现弱阻尼特性,增加电力系统运行风险。直驱风电场柔直并网过程中采用具有主动支撑能力的构网型控制逐渐成为研究主流,但因其控制技术、工程应用尚处于研究阶段,需要先在仿真软件中进行测试。构网型直驱风电场并网系统需要考虑大量风机的运行特性,多台机组的接入导致仿真运行环境复杂,硬件在环系统的算力不足以达到多台机组的详细仿真要求。为减小计算压力,寻找更适合风电场并网研究的仿真模型,针对构网型控制下的直驱风机机组详细模型进行简化,采用受控电流源替代风机机侧模型的方法,进一步节省计算机算力,从输入功率/直流电压/交流电压波动3个方面进行模型对比,从模型响应曲线误差和仿真耗时2个角度对详细模型及简化模型进行评价。仿真结果表明,简化模型可以反映风电机组网侧的功率输出特性,在节省仿真耗时上具有明显优势。     

多电平注入式电压源变换器应用于高压直流输电系统研究

采用强迫关断开关元件的AC/DC变换器使高压直流输电(HVDC)和柔性交流输电(FACTS)系统具有良好的性能和灵活自由控制有功功率和无功功率的特性.系统中关键装置强迫关断AC/DC变换器必须是高压大功率的装置,才有可能满足输配电的要求.采用多电平技术可显著地提高交流系统容量和电压等级,但常规多电平AC/DC变流器的拓朴结构复杂度随级数成平方律而增加,以及对有功功率控制限制了它们在输电系统中的应用.本文介绍了一种新型的多电平注入式AC/DC变换技术,并对采用该技术的AC/DC变换器用于大功率HVDC系统的应用进行了仿真研究.仿真结果表明,该变换器可产生高质量的波形,易于高压大功率化,可自由控制有功和无功功率,使HVDC的传输性能大大改善,而且采用合理的控制策略,还可以改善HVDC联接的交流系统传输特性,实现单位功率因数传输电能.