3mm雪崩振荡器系列

主研人员：唐小宏吴正德樊勇张永鹤张显静该项目完成如下研究内容：1）3rum连续雪崩振荡器及注人锁定放大器完成了边续波雪崩振荡器的电路设计,研制了适用于国内外器件的振荡器结构。在3mm频段上,输出功率大于100mw,注人锁定放大器输出功率大于700mw,注锁增益大于17dB,锁定带宽大于500MHZ。2）3mm脉冲雪崩振荡器及收发组件完成了脉冲雪崩振荡器和脉冲驱动源的电路设计,研制了适用于国内外器件的振荡器结构。在89Gllz～95Gllz范围内点频工作时,输出功率大于10W,脉宽20n。50us,重复频率为10kHz。研制成功非相干脉冲收发组件,在9…     

InGaAs/InP APD探测器光电特性检测

建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10～100量级。     

8毫米硅DDR IMPATT器件的实验研究

本文根据IMPATT器件的基本理论和计算机模拟参数,设计了8毫米硅杂质缓变DDR IMPATT器件的结构、工作参数。并用双扩散的常规工艺成功地制得了该器件,获得了功率大于400mW,效率达7％的实验结果。     

IGBT的ZVC/ZCC驱动模式

对IGBT的工作特性及存在的问题进行了深入探讨,详细介绍了用于提高大功率IGBT电桥的开关效率和安全性的ZVC／ZCC驱动模式。该模式利用IGBT的反向雪崩特性和电荷转移法实现IGBT的零电压切换和零电流切换,从而有效地抑制了器件内部的电流拖尾和自琐效应,大大地减小了开关损耗,提高了功率IGBT的工作效率和安全性。     

1300V/20A绝缘栅双极晶体管IGBT

基于理论概括与实验研究,已经在N~-/N~+/P~+外延基片上获得了1300V/20A高性能IGBT;并进而指出了实现该器件互相关联的关键技术。它们分别是:优质厚层低缺陷密度异型硅外延材料的工艺制备,器件纵横向几何结构及工作参数的准确量化,和通过叠加组合形成的复合高压终端结构。     

140Mb/s光接收机前置放大器(短波长)的研制

本文叙述了短波长(0.85μm)高速光接收机前置放大器的设计、性能和在数字彩色电视光纤传输系统中的实际应用。本前放电路是由R-APD雪崩光电二极管、第一级为跨阻抗双极晶体管的三极放大器及射随器组成的。全机均采用国产元、器件,具有结构简单、调节容易、性能稳定、调换集成块方便等优点。在彩色电视的传输中,达到预定指标。本前放是作为数字光纤彩色电视传输系统的部件而研制的。     

瑞士发明雪崩求生安全气囊

一名著名的瑞士雪崩安全专家、工程师研发出了一种能让人顺利逃过雪崩的救生装置，2月28日他向公众展示了这种气囊装置。     

严格平衡雪崩布尔函数的研究

通过对三维严格平衡雪崩布尔函数的实验和分析,给出了一种布尔函数从低维向高维扩张的方法,得到了一些有价值的结果,并提出了高维严格平衡雪崩布尔函数的一种生成方法。     

碱卤晶体中电子型色心的吸收谱能态计算

本文采用多种近似方法,分别对碱卤晶体中的F、F_A(Ⅱ)、F_A(Ⅲ)、F_2~+、F_(2A)~+、F_(2H)~+、F_2、F_2~-等电子型色心的吸收谱能态作了系统的理论计算。理论计算值与本实验室获得的实验值相比,除了个别色心外,相对误差均小于10％,取得了满意的结果。     

级联Bent函数的编码性质(英文)

考虑由Bent函数级联而成的布尔函数 ,讨论其平衡性、非线性度及严格雪崩准则等编码性质 ,分别得到这类级联函数为Bent函数和满足严格雪崩准则的条件     

高等院校学科建设与科学研究协同发展关系研究

从高校科学研究和学科建设两项重要活动的内涵出发,分析两者之间存在的异同及复杂的协同关系。利用雪崩动力学的原理和方法建立了科学研究和学科建设之间的量化模型。研究表明,在科学研究与学科建设之间存在着雪崩累计效应,而且这种累积效应在不同学科之间具有较强的相似性。     

谐波振荡器噪声特性的模拟研究

本文依据 Van der Pol 非线性模型,利用参量理论,首次对采用 GaAs Gunn 二极管的谐波振荡器的噪声特性进行了模拟研究,理论分析表明,对于同一只有源器件,与用该器件制     

一种新型双稳态过温保护电路

提出了一种新型的双稳态过温保护电路及其雪崩式工作模式。从理论上对雪崩式状态转变及滞回的产生机理作了深入的分析。与传统过温保护电路相比,该工作模式使转换速度提高了3倍以上,同时由于双稳态系统固有的稳定性,电路的稳定性也得到一定的提高。     

3mm波相参脉冲放大链

根据３ ｍ ｍ 波段相参脉冲雷达对发射机的要求,拟定了基波注入锁定３ ｍ ｍ 波谐波振荡器、３ｍ ｍ 波连续波雪崩振荡器和两级脉冲雪崩振荡器级联注入锁定的放大链路方案,提出并实施了“脉间异频防泄漏技术”,抑制了漏信号对系统工作的有害影响,实现了当输入电平为２ ｍ Ｗ 的６ ｍ ｍ 波信号时,３ ｍ ｍ波输出脉冲峰值功率大于５ Ｗ,脉宽约３０ ｎｓ。     

小尺寸器件栅隧穿电流预测模型

针对具有超薄氧化层的MOS器件,使用积分方法,提出了一个新的栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论预测模型,在此基础上使用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细的研究,并定量分析了器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影响下小尺寸器件的特性变化趋势。使用BSIM 4模型进行仿真的结果与所提出的理论模型相符合。     

配点法分析微带天线

微带天线是航天航空技术中很重要的一种通信器件.对微带天线的理论分析很有意义.本文提出一种分析微带天线的新方法,本法中将微带天线等效为一个有源激励的腔体,利用加权余量法求解腔内场分布.腔内电场分量 E_z 满足如下方程:控制方程▽~2E_z+k~2E_z=f     

滏阳河灯

因受到自己所养的牛提醒，一对奥地利蒂罗尔州的老农民夫妇躲过了一场袭向自家的雪崩。当地警方称，因为牲畜圈中的牛变得躁动不安，所以这对夫妇警觉起来。这名68岁的男子和63岁的妻子在雪崩袭击到他们的房屋之前及时逃离，他们的家被掩盖在超过5米厚的积雪下。牲畜没有受到伤害。     

微波对半导体器件破坏机理──一维器件模型及稳态处理

本文在半导体器件理论的基础上，建立了微波对半导体器件破坏机理研究的一维器件模型，讨论有关计算机数值模拟时的处理技巧，并给出了差分方程组。     

短焦距开放式谐振腔,反射式绕射幅射振荡器

报告了短焦距腔,反射式绕射幅射振荡器(R.DRO)的线性理论和三维数值计算,推导了器件工作的复频率方程,得出开放式谐振腔理论分析方法。制成实验模型在动态系统上进行了热测实验,分析了理论和实验结果。     

聚合物白光发光二极管的研究进展

针对聚合物白光发光二极管(WPLEDs)在显示和照明领域广阔的应用前景,从器件结构和相关材料方面进行了讨论。从结构上将白光器件分为单发光层器件和多发光层器件;从发光材料的性质上将白光器件分为荧光器件、磷光器件和单一高分子白光器件。通过探讨各种器件的优势和不足,提出了各种器件的发展方向,并对WPLEDs面临的机遇和挑战做出了评述。