MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究

在分析热电子效应与辐射效应在ＭＯＳＦＥＴ产生界面态关系的基础上，给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对ＭＯＳ器件热电子退化效应进行研究的方法和采用该方法对１μｍ工艺Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行热电子退化效应的研究结果，并对热电子退化与偏置的关系进行了讨论，得到了确定热电子退化寿命的快速而简便的方法。     

THE IMPORTANCE OF WILDE＇S COMEDIS IN THE REVIVAL OF BRITISH DRAMA IN LATE 19 CENTURY──On the Art of

ＴＨＥＩＭＰＯＲＴＡＮＣＥＯＦＷＩＬＤＥ＇ＳＣＯＭＥＤＩＳＩＮＴＨＥＲＥＶＩＶＡＬＯＦＢＲＩＴＩＳＨＤＲＡＭＡＩＮＬＡＴＥ１９ＣＥＮＴＵＲＹ──ＯｎｔｈｅＡｒｔｏｆＷｉｌｄｅ＇ｓＣｏｍｅｄｉｅｓ（Ⅵ）ＴＨＥＩＭＰＯＲＴＡＮＣＥＯＦＷＩＬＤＥ＇ＳＣＯＭ...     

ON MARK TWAIN''''S MASTERPIECE THE ADVENTURES OF HUCKLEBERRY FINN

ＯＮＭＡＲＫＴＷＡＩＮ＇ＳＭＡＳＴＥＲＰＩＥＣＥＴＨＥＡＤＶＥＮＴＵＲＥＳＯＦＨＵＣＫＬＥＢＥＲＲＹＦＩＮＮＬＩＸＵＥＡｂｓｔｒａｃｔ：ＴＨＥＡＤＶＥＮＴＵＲＥＳＯＦＨＵＣＫＬＥＢＥＲＲＹＦＩＮＮｄｅｐｉｃｔｓｔｈｅｌｉｆｅｏｆｔｈｅＡｍｅｒｉｃａｎ...     

深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取

详细分析了适用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ设计的深亚微米ＢＳＩＭ２ＭＯＳ器件模型，并在深入讨论短沟道ＭＯＳ器件物理效应的基础上，对沟道长１μｍ栅氧化层厚度２５ｎｍ的ｎＭＯＳＦＥＴ进行了测试和ＢＳＩＭ２模型参数的提取，且对结果进行了分析和讨论。结果表明，ＢＳＩＭ２具有精确、参数易提取、计算速度快的特点，是ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ模拟设计的重要工具之一。     

A SURVEY OF THE TWO MAJOR CHARACTERS IN "VANITY FAIR

ＡＳＵＲＶＥＹＯＦＴＨＥＴＷＯＭＡＪＯＲＣＨＡＲＡＣＴＥＲＳＩＮ＂ＶＡＮＩＴＹＦＡＩＲ＂￥ＬｉＱｕａｎｗｅｎＩｔｉｓｕｎｉｖｅｒｓａｌｌｙａｃｋｎｏｗｌｅｄｇｅｄ．ｔｈａｔｓａｎｉｔｙＦａｉｒ＇ｉｓｔｈｅｍａｓｔｅｒｐｉｅｃｅＯｆＷｉｌｌｉａｍＭａｋ...     

具有非准静态等离子体输运的电导调制功率器件

主研人员：李肇基　方　健　赵建明　杨　健　李学宁　闫斌等 ＩＧＢＴ等电导调制型功率器件集中了ＶＤＭＯＳ（垂直扩散ＭＯＳ）和ＢＪＴ双极结型晶体管）两者的优点，既有前者输入阻抗高、热稳定等优点，又有后者载流子注入的电调制使比导通电阻凡Ｒｏｎ降低一个数量级的优点。但由于非子在宽准中性基区的大量存贮，使关断时间ＴｏＦＦ长达数微秒，工作频率低于５０ｋＨｚ。 该器件具有非子抽出的电导调制型功率器件的非准静态离子体输运模型，对电导调制型功率器件有普遍的重要意义，适用于ＩＧＢＴ、ＭＣＴ、ＥＳＴ、ＳＩＴＨ等各种电导…     

我的移民日记(连载之四)

１２月１３日１２月１４日 这两天是我最焦头烂额的两天。原因是我几乎花了整整两天才重新上网．最后查明的原因很简单：我从国内带来的ＭＯＤＥＭ不行。当时我买了一个最新式的ＵＳＢ ＭＯＤＥＭ，非常小，在国内用起来很好。在加拿大，我也曾经用它上了一些免费的ＩＳＰ，效果也不错。但偏偏上ＡＴ＆Ｔ的ＴＳＰ就不行。电话可以连通，ＭＯＤＥＭ也可以建立载波，但就是无法互相通讯。真是气杀我也！打ＡＴ＆Ｔ技术咨询电话，在电话里，他们一遍又一遍检查了各种软件设置，都没用。最后决定，重新买一个 ＭＯＤＥＭ。 买ＭＯＤＥＭ的时候本…     

THE EMBODYING OF TRUTHFULNESS IN ABSURDITIES──On the Art of Wilde＇s Comedies（Ⅳ）

ＴＨＥＥＭＢＯＤＹＩＮＧＯＦＴＲＵＴＨＦＵＬＮＥＳＳＩＮＡＢＳＵＲＤＩＴＩＥＳ──ＯｎｔｈｅＡｒｔｏｆＷｉｌｄｅ＇ｓＣｏｍｅｄｉｅｓ（Ⅳ）ＸｕｅＪｉａｂａｏＡｓａｐｌａｙｗｒｉｇｈｔｗｈｏｍａｄｅａｇｒｅａｔｃｏｎｔｒｉｂｕｔｉｏｎｔｏｔｈｅｒｅｖｉ...     

用EMME／2软件来估计O—D矩阵的实用方法

本研究的目的是用精确的数据来获得更准确的Ｏ－Ｄ矩阵。这些数据诸职ＴＣＳ Ｏ－Ｄ矩阵,观测的路段交通量和通过ＥＭＭＥ／２获得的快速公共汽车Ｏ－Ｄ矩阵,首先,建立每个收费站的一个有效区域,每个收费站的出入量被分配到有效区域中的小区,这一分配好的Ｏ－Ｄ矩阵再被分配给出由所有收费站和它们的有效区域组成的网络,其次,我们校正区域Ｏ－Ｄ矩阵,排除ＴＣＳ Ｏ－Ｄ矩阵,目的是反映观测到的交通量,而将快速公共汽车和     

美国GMAT考试内容和特点探讨

ＧＭＡＴ（ＧＲＡＤＵＡＴＥＭＡＮＡＧＥＭＥＮＴＡＤＭＩＳＳＩＯＮＴＥＳＴ）是美国高校商业经济管理专业研究生入学考试。ＧＭＡＴ考试内容反映了美国管理学专业研究生教育确认的一般能力和水平,其题型,成绩评价等特点反映了美国多年积累的研究生考试方面的研究成果。本文对ＧＭＡＴ考试的内容和特点进行了探讨     

串联稳压器基准误差放大电路的设计

针对串联型稳压器,设计了一种应用于串联型稳压器具有自建基准的新型误差放大电路。该电路具有构思巧妙,结构优化,易于集成及较高的开环增益,共模抑制比及交流特性的优点。通过验证,实测数据与仿真结果基本一致。     

对三相调压器中性点位移的探讨

本文探讨了三相调压器在实验中出现的中性点位移的问题．这对调压器的正确使用有着一定的实际意义。     

应用情景检测的安全任务内电压调度算法

针对移动嵌入式实时系统的低功耗设计,提出一种改进的应用情景检测的安全任务内电压调度算法。该算法利用任务程序少数参数的值域定义情景并在任务处理过程中进行检测,因而在处理在线的情况下,可较为精确地预测后续处理的部分路径,优化地调度处理电压。通过所提出的情景检测点设置算法,在任务程序中找到检测参数情景最合适的点,给出算法的实现方法。通过仿真实验证明该算法能有效地降低任务处理能耗。     

一类电力系统电压崩溃的控制

电力系统电压出现崩溃之前存在着混沌和分岔现象 ,如果对它们加以控制 ,则可防止电压崩溃 ,提高电压稳定性。应用连续变量线性反馈对一类由负荷无功功率变化引起的电压崩溃进行控制 ,仅用单个变量即可实现。数值分析表明 ,该方法简单易行 ,能够达到预期的目的     

示波管直接直流电压相抵测千伏级脉冲电压

提出一种可以精确测量千伏级微秒脉冲幅值的方法;经一简单 RC 网络,将脉冲和直流电压同时加到示波管偏转板上,当扫描线保持原状时,直流电压即为脉冲幅值。理论分析表明当脉冲幅值大于500V,其误差<0.25%。对100V 方波进行了测量,并获得了满意的结果。     

УBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体V—H测量中的电压台阶效应

在液氮温区首次观测到由外加静磁场引起的电压台阶与滞后效应,用颗粒和弱连接有效钉扎模型对其进行了分析。分析表明,这是一种类似I—V特性中具有回滞的直流约瑟夫森效应的新现象,与颗粒和弱连接对磁通流动产生的不同钉扎与陷获有关。     

多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响

根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性。     

高压静电场制备微胶囊的研究

在自行研制的高压静电成囊装置上进行了制备微胶囊的试验研究。以海藻酸钠在氯化钙中固化成囊方法,进行了平针头与斜针头的成囊电压,跳火电压对比试验研究,得出平针头优于斜针头的结果;分析了电压、推进速度、液面距等参数变化对制成的微胶囊直径和均匀度的影响;对于１．５％的海藻酸钠溶液和７＾＃平针头,得到满足胰岛细胞团胶囊化要求的较佳参数组合为电压５ｋＶ,推进速度５０ｍｍ／ｈ,液面距２０ｍｍ。     

防触电保护与接地装置的要求

针对我国目前的建筑状况,旧的建筑物比较多,且对旧的建筑内的用电安全还没有引起足够的重视,经常发生触电事故,也是由于我国对低压电气线路安全知识不够普及的情况下,撰写此文。本文以TN及TT系统的不同接地故障形式以及雷电引起的高电压阐述MEB对降低危险电压Uc的作用。     

"555"初始脉冲的修正

由“555”构成的多谐振荡器作为脉冲信号源时,往往会出现通电后产生的第一个脉冲比后续脉冲宽,就这种现象的原因进行具体分析,并给出其解决方法。