Pb—In—Au合金薄膜約瑟夫森結的制备

本文介绍了我们用微晶玻璃作衬底,研制Pb和Pb合金薄膜隧道结的进展情况。通过表面物理分析和在4.2K液氦温度下隧道结I—V特性的测试,把三种隧道结的实验作了对比,明确了制结中存在的问题,提出了改进方法。并重点阐述了Pb—In—Au合金结的制作工艺,提高了隧道结的成品率,保证了结的质量,为进一步实际应用打下基础。     

考虑热載流子效应的MOS管模拟特性

本文分析了短沟N-MOS管衬底雪崩热空穴所产生的三个作用:改变反型层电导,降低源—衬底结和漏—衬底结势垒高度以及导致衬底横向n-p-n管的寄生效应,并由环增益为1的条件导出其击穿公式。讨论了纵向电场对热电子的作用所导致载流子迁移率下降的现象。最后给出了考虑这两种热戴流子作用的几种N-MOS管模型的模拟比较。     

成果与专利

一种辐射式水负载 辐射式水负载让波导内传输的微波通过波导终端的辐射口向外辐射，利用直接连接在辐射口上的水室中的水来吸收微波。水室由复盖在辐射口中的介质江板与金属空腔构成，水的密封采用密封橡皮圈完成，因而可以做到不破损、无粘结、不漏水、功率容量大，同时使水负载实现小型化。 用于高速电导调制功率器件的隧道结键合单晶衬底 用于高速电导调制功率器件的隧道结键合单晶衬底是采用含有隧道结直接键合(TJB)单晶衬底代替了以往的异性高阴硅厚外延片，并给出了TJB层的设计规则。在本发明提供的TJB单晶衬底上采用常规的电…     

ZnO基异质结构的制备及其光电特性

利用水热法以及脉冲激光沉积(PLD)技术分别在Si(100)和GaAs(100)衬底上制备了沿c轴高度取向的ZnO纳米棒,并对ZnO/p-Si以及ZnO/p-GaAs异质结的发光特性和电学特性进行了测量.通过对比两种衬底上生长的ZnO纳米结构的表面形貌和结晶质量,发现:生长在GaAs(100)衬底上的ZnO纳米棒排列整齐,结构致密,沿c轴择优生长取向较好.ZnO/p-GaAs异质结的光致发光光谱由三个主要的发光峰组成,分别是:380 nm附近的紫外发光峰、450~700 nm的黄绿光发光带以及850 nm左右的GaAs本征发光峰.通过计算得到该光致发光谱的色度坐标,与标准白光的CIE色度坐标(0.333,0.333)接近,这为进一步实现ZnO基固体白光LED发光器件提供了依据.     

扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压

采用以结深r_j及qN_Br_j~2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深的关系。为便于实用,给出了与扩散工艺条件有关的量作参考的曲线族。对边、角部分的击穿电压有时可高于平面部分的击穿电压的情况,进行了物理解释。     

《心电图》CAI课件的设计和制作体会

心电图是诊断学教学中的难点,为提高诊断学教学水平和教学效果,作者根据心电图教学需要和教学经验,设计和制作了<心电图>多媒体计算机辅助课件(CAI),并就该课件制作过程中的体会作一总结.     

电子温度计的设计及其测量误差分析

分析ＰＮ结的温度特性，设计制作了指针式电子温度计和数字式电子温度计．根据实测数据对温度测量误差作了定量分析。     

混合信号集成电路数字PLL衬底噪声的SPICE模拟及分析

应用PSPICE及采用C语言自编的外部程序,对单片数字锁相环电路中的衬底噪声及对电路性能的影响进行了模拟研究和分析,有助于进一步理解衬底噪声及衬底噪声对复杂的混合信号电路工作的影响,提出了实际应用中选择衬底类型的方法。     

反相集成电光调制器中共面波导的偏移效应

在实验室条件下，以ＬｉＮｂＯ３晶体为衬底，加工制作了各种不同程度的偏移性电极（共面波导），模拟光调制的反相结构。通过在微波频段下的实验研究．结果表明反相调制器共面波导偏移引起的微波传输损失是完全可以忽略的。     

衬底效应对LiTaO_3薄膜制备的影响

用溶胶凝胶法在N型硅、P型硅、石英、铂、镍衬底上制备了钽酸锂(LiTaO3)薄膜,用XRD和SEM对钽酸锂薄膜性能参数进行了表征;发现掺杂少量环氧树脂能提高钽酸锂薄膜的均匀性,改善薄膜与衬底的粘附性;研究了衬底效应与薄膜厚度的关系,薄膜厚度超过0.2μm,Ni衬底的XRD峰值强度几乎不再出现,说明衬底对薄膜初始结晶取向有重要影响;利用不同衬底上生长钽酸锂薄膜,XRD研究结果表明:N型硅、P型硅、石英衬底上只能制备多晶钽酸锂薄膜,铂衬底上制备的钽酸锂薄膜在(012)晶向有强大的择优取向性,镍衬底上制备的钽酸锂薄膜有更好的C轴择优取向性,C轴择优取向系数可达0.082。     

混合信号集成电路中的衬底噪声耦合(英文)

研究混合信号集成电路中衬底噪声耦合反衬底噪声对模拟／数字电路的影响。采用带外延层的重掺杂型衬底,对混合信号集成电路中研究衬底噪声的两个基准（Ｂｅｎｃｈｍａｒｋ）电路进行了模拟和评价,提出了在高速和高频工作时应用ＳＰＩＣＥ对混和信号电路进行模拟的正确方法．     

衬底温度对八羟基喹啉镉薄膜光学性能的影响

用真空蒸镀方法,在不同衬底温度下,在玻璃衬底上制备了八羟基喹啉镉薄膜. 用MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪对八羟基喹啉镉薄膜的研究发现,衬底温度升高导致衬底的反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小,且发现随着衬底温度越高,所生成的薄膜折射率和消光系数也增大,并给出了两种光学系数的变化范围,所的到的试验结果,对制备有机发光器件有一定的参考意义.     

基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）

在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。     

240nm Si_(0.8)Ge_(0.2)虚衬底的应变Si沟道PMOSFET

针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%。器件性能可与采用1μm以上SiGe虚衬底的PMOSFET器件相比拟。     

Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱光伏效应研究

测量以GaAs为衬底的Zn1-xCdxSe／ZnSe应变层多量子阱在不同温度下（18～300K）的光伏谱，研究Zn1-xCdxSe／ZnSe多量子阱的光伏效应和带间激子跃迁，实验结果表明，Zn1-xCdxSe／ZnSe量子阱具有显著的量子限制效应，从18K直至室温，都能观测到清晰的激子跃迁峰，说明Zn1-xCdxSe／ZnSe是制作室温下工作的蓝绿激光器等发光器件的合适材料。     

衬底温度对a-Si1-xCx:H薄膜成分的影响

采用热壁低压化学气相沉积(LPCVD)技术,在Si(100)衬底上成功制备出了具有化学计量的氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx∶H)薄膜,并用傅里叶变换红外光谱仪和X射线光电子能谱仪对薄膜成分进行了分析,探讨了衬底温度对a-Si1-xCx∶H薄膜成分的影响,结果发现随着衬底温度升高,CH4分解效率得到提高,过量的C形成...     

脉冲激光沉积法制备Zn0薄膜中衬底温度对Zn0薄膜结构的影响

采用溶胶——凝胶法制备高纯的靶材,利用PLD法生长薄膜,成功地在Si衬底上生长了高质量的ZnO薄膜,系统的研究了衬底温度对薄膜生长的影响。采用XRD对薄膜结构进行分析。XRD测试表明,大部分薄膜都具有高度的C轴择优生长取向性,只有衬底温度过高薄膜结构才发生改变。     

一种基于电压比较器衬底噪声的测试方法

论述了一种测试混合信号集成电路衬底噪声波形的方法采用电压比较器利用衬底电压对比较器状态的影响对噪声作出统计测试根据测试结果重建噪声波形设计了一测试系统的原理框图推导出了用于衬底噪声波形重建的表征取样噪声电压的平均电压和表征测试误差的均方根值的计算公式建立了模拟实验电路给出了SPICE模拟实验结果     

硅烷流量对热丝CVD制备多晶硅薄膜的结构及性质影响

采用热丝化学气相沉积法(HWCVD),以高纯SiH_4、H_2作为反应气源,N型(100)的单晶硅片和Corning 7059玻璃片作为衬底来制备多晶硅薄膜材料.在优化了其它沉积参数条件下,研究硅烷流量对多晶硅薄膜的结构及性质的影响.通过X射线衍射谱(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、紫外-可见光透射谱(UV-Vis)、傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)和扫描电镜(SEM)分别对薄膜的晶粒大小、结晶取向、带隙宽度、Si-Si键的键合特性及表面形貌进行表征与分析.实验结果表明:在1 600℃的热丝温度条件下,硅片衬底上沉积的多晶硅薄膜在(111)面生长存在择优取向.随着硅烷流量的增加,硅片衬底上沉积的薄膜样品晶粒尺寸减小,氧含量降低,玻璃衬底上制备的薄膜样品光学带隙出现了展宽.相对其他薄膜,在硅烷流量为1.02 sccm时,硅片衬底沉积的薄膜得到了较好的沉积速率(0.239 nm/s),样品的晶粒尺寸得到优化.同时在硅烷流量为1.02 sccm时,玻璃衬底上带隙也得到了一定的优化.     

脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜中衬底温度对ZnO薄膜结构的影响

采用溶胶--凝胶法制备高纯的靶材,利用PLD法生长薄膜,成功地在Si衬底上生长了高质量的ZnO薄膜,系统的研究了衬底温度对薄膜生长的影响.采用XRD对薄膜结构进行分析.XRD测试表明,大部分薄膜都具有高度的C轴择优生长取向性,只有衬底温度过高薄膜结构才发生改变.