高温超导薄膜带状线谐振器的研究

采用准分子激光淀积外延YBCO超导薄膜,成功地研制出高T_c超导薄膜带状线谐振器,在77K时测试,谐振频率为8.56 GHz,无载品质因数为8400,超导薄膜微波表面电阻为600μΩ。     

减压CVD技术

本文简要地叙述减压CVD技术的基本理论,着重介绍该技术应用于半导体器件加工掺硼、磷和砷氧化物源,二氧化硅薄膜,四氯化硅—氨—氮系统淀积氮化硅薄膜以及热分解硅烷淀积多晶硅薄膜等工艺技术问题。提供了各类薄膜制作时采用的典型工艺数据(仅供参考)。对薄膜厚度的均匀性,掺杂层浓度控制与均匀性及薄膜表面状况等进行了分析讨论。由理论分析和实验结果看出,减压CVD技术制作的半导体器件中应用的各类薄膜最突出的优点是:薄膜厚度的均匀性高(可达1～3％),实现了高密度装片(生产量可达10厘米温区内可装40片)。因而,减压CVD技术在目前大规模集成电路、微波半导体器件中是一种十分值得重视的工艺技术。     

光学薄膜镀制技术的对比研究

本文介绍了两种光学镀膜真空淀积技术——离子辅助淀积和反应离子镀,并详述了近年来的应用及进一步的发展。     

薄膜厚度对Cu膜光电性能的影响

在室温条件下,用直流磁控溅射Cu靶制备出了不同厚度的Cu膜,测量了Cu膜的光学透过率和面电阻,分析了光电性质薄膜厚度的变化情况.实验结果表明,随着Cu膜厚度的增加,其光学透过率逐渐减小,透过率在波长为580 nm处出现峰值.Cu膜的面电阻随薄膜厚度的增加先急剧减小,然后减小变得缓慢,最后趋于定值.理论模拟了Cu膜的光学透过率随薄膜厚度的变化和光学透过率随入射光波长的变化,理论模拟结果与实验结果吻合.     

掺硼金刚石膜热敏电阻器的制备工艺及温度响应

介绍了一种帽状结构的掺硼金刚石膜热敏电阻器及其制备工艺。使用ＰＣＶＤ方法在Ｓｉ３Ｎ４或Ｓｉ基片上淀积掺硼金刚石膜，然后在金刚石膜上淀积Ｔｉ／Ａｕ薄膜以形成欧姆接触电极。结果获得了具有良好温度响应和欧姆接触的金刚石膜热敏电阻器。     

PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析

用等离子（增强）化学气相淀积（PECVD）法在Si基底上制备氮化硅薄膜，通过红外吸收光谱研究分析了薄膜中的成分及键结构．     

复合膜光学常数的研究

在1.33×10~(-3)Pa真空度下,用电子束蒸发法在K_?玻璃上成功地淀积了厚度为1200～1500A的复合光学膜,测量了不同参数下制备的膜折射率的平均值,并从色散方程推导出了折射率随波长变化的理论公式,发现复合膜成份决定其折射率的大小值。真空度和衬底温度对折射率值也有明显的影响。文中也给出部分膜色散系数值。     

氮化物应力膜SOI SiGe异质结双极晶体管的频率特性研究

为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si_3N_4)应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si_3N_4,使其在基区引入单轴压应力,增强载流子的迁移率,来提高器件的截止频率f_T和最高振荡频率f_(max)。采用SILVA-CO软件进行仿真,重点研究不同埋氧化层厚度和氮化膜对器件频率特性的影响。结果表明:在埋氧化层厚度为190 nm,基区Ge组分为17%～30%的阶梯型分布且淀积Si_3N_4薄膜引入应力时,截止频率f_T约为638 GHz,最高振荡频率f_(max)约为795 GHz。与传统的SOI SiGe HBT相比,截止频率f_T提高了38 GHz,最高振荡频率f_(max)提高了44 GHz。     

Sigmund热尖峰溅射模型的研究

对Singmund热尖峰溅射模型进行了修正.用平均能量淀积密度近似代替了Singmund热尖峰溅射模型中的表面能量淀积密度近似.并用TRIM87程序对Sb~+,Bi~+轰击银靶的能量淀积过程进行了模拟计算.将计算所得到的平均能量淀积密度代入修正后的Sig-mund热尖峰溅射模型中,所得到的起始热尖峰区尺寸与能量淀积理论相容.     

Ta／Al复合薄膜性能及应用

铝含量为５０％的Ｔａ／Ａｌ复合薄膜由于其具有优良的热稳定性而适用于制造高精密、高稳定功率型电阻或功率集成电阻网络。用钽铝复合靶直流共溅射的方法可以制备这种薄膜，但淀积参数及热处理条件对薄膜的热稳定性能有很大影响。用该复合薄膜制出了功率负荷性能优良的中功率薄膜衰减器。最后，用ＸＰＳ分析了薄膜表面的化学组成。     

全光纤滤波器、波分复用器

用简化模型分析了单模光纤横向耦合的波谱特性。在自行设计、筹建的研制和测试系统上研制出高性能的全光纤滤波器和波分复用器。1.3/1.55μm 波分复用器主要指标:波长隔离度分别优于20 dB 和25 dB,插损小于0.5 dB。实用化的带通滤波器工作波长为1.3μm,带宽小于80nm,插损小于1 dB。     

LiNbO_3光波导输出光场分布的测量

介绍了用二维扫描振镜测量LiNbO3光波导输出光场分布的方法。分析了影响测量准确性与空间分辨率的因素。同CCD摄像法比较，该方法具有更广的波长适应性。     

一种新型SOA-MZI光功率均衡器的研究

提出了一种基于SOA-MZI结构的光功率均衡器,利用SOA的相移随输入光功率变化的特性,改变 MZI两臂的相位差,实现了在一段输入光功率范围内达到钳制输出光功率的目的．仿真分析表明该光功率均衡器能够减小光功率波动,提高接收灵敏度:光脉冲经过SOA导致的脉冲畸变是限制该光功率均衡器性能的主要原因．     

光孤子与光纤孤子通信

对光孤子形成的物理机制、性质及其在光纤通信中的应用作了较为深入的介绍     

无源光网络的动态带宽分配调度算法

提出了一种建立在询问-应答基础上的新以太网无源光网络动态带宽分配算法。理论分析和仿真结果表明,该算法具有时延低、带宽利用率高等优点。     

一种新型的光学时分复用系统的设计及实验

提出一种采用单个皮秒(ps)光源分路后,由具有增益的半导体激光放大器作为南速调制开关的光学时分复用(OTDM)系统方案,并进行了两个信过的2Gbit/s 光学时分复用发射系统模拟实验.     

GPON系统的保护

在ITU-T G984．1建议给出的A,B,C,D4种保护方案的基础上,提出了C 和E两种新的保护方案． C 保护提高了C类保护的性能,将系统正常工作状况下的业务容量翻倍;E方案相比D方案,降低了线路终端设备的成本,减小了设备的体积和电源消耗．     

光分组交换中FP-SOA光信号处理研究

利用FP-SOA的增益特性曲线,实现了光分组交换中标签和净荷的分离,光功率均衡和TTL的功能．仿真结果表明:在分离标签和净荷的应用中,分别实现了对窄脉冲和宽脉冲的抑制比为10．5 dB和9 dB;在光功率均衡的应用中,实现了将10dB的功率动态范围减小到1．6dB;在TTL的应用中,实现了将6 dB功率差提升到14．5dB．     

湛江地磁场的测定及其结果的分析

使用DH807光磁共振实验装置,测量了湛江地磁场的大小和方向,并对其结果进行了误差分析。     

单模光纤定向耦合器的理論分析(英文)

本文应用弯曲光波导耙合系统中的广义耦合模方程来分析弯曲单模弱导光纤耦合结构,导出了在模式间的耦合系数、非正交系数及耦合功率式,与经典的耦合模理论相比较,本文提出的公式显得更精确,同时与实验结果一致。