用取代基效应预测吡啶衍生物的标准生成

提出了一个用取代基效应预测吡啶衍生物的气相标准生成焓的经验公式：△ｆＨ—ｍ（ｇ）／ｋＪ·ｍｏｌ－１＝ａ＋ｃｉｘｉ＋ｎ１ｏ＋ｎ２ｍ＋ｎ３ｐ＋ｎ′１ｏ′＋ｎ′２ｍ′＋ｎ′３ｐ′＋７ｂ．其中，ａ是吡啶（母体）的气相标准生成焓；ｃｉ和ｘｉ分别表示每类取代基的数目及其初级效应；ｎ１，ｎ２，ｎ３和ｏ，ｍ，ｐ分别表示吡啶Ｎ原子的邻、间、对位上取代基的数目及其次级效应；ｎ′１，ｎ′２，ｎ′３和ｏ′，ｍ′，ｐ′分别表示取代基之间互为邻、间对位的数目及其次级效应；ｂ是甲基的障碍点数．经验公式计算结果表明２５个已知化合物的平均相对误差为±０．４７８％，平均标准偏差为０．９８７，复相关系数ｒ１．０００（实际为０．９９９８）．     

关于丢番图方程（x~3－1）／（x－1）＝（y~n－1）／（y－1）

设ｎ是大于２的奇数．运用初等的组合方法证明了：方程（ｘ~３－１）／（ｘ－１）＝（ｙ~ｎ－１）／（ｙ－１）的正整数解（ｘ，ｙ）为满足ｘ≤２（ｎ２－３ｎ＋４）／２ｖ以及ｙ≤２ｎ－２．     

关于n维单形宽度的一个结果

证明了关于ｎ维单形宽度的一个不等式，结果是Ｗ≤（ｓｉｎθ）１／２αｎ１ｎ＋１ｎ＋１ｉ＝１Ｒ２ｉ１／２．这一结果蕴含并推广了Ｓａｌｅｅ－Ａｌｅｘａｎｄｅｒ定理     

一类方幂和中因子P的指数计算

设ｎ，ｒ为正整数且ｒ〉１，Ｐ为奇素数，ｎ＝Ｐ＾ａＣ，本文给出下列方幂和中因子Ｐ的指数计算公式：Ａｕ＝Σｋ＝０ ｎ－１ （１＋ＵＫ）ｒ，ｕ＝１，２。     

关于Diophantus方程px^2＋q^2y＋1=2^z（Ⅲ）

本文解决了（ｐ，ｑ）＝（２ｎ＋１，３·２ｎ－１），（２ｎ－１，３·２ｎ＋１），（３·２ｎ－１，２ｎ＋１），（３·２ｎ＋１，２ｎ－１），（３·２ｎ－１，５·２ｎ＋１），（５·２ｎ＋１，３·２ｎ－１），（３·２ｎ＋１，５．２ｎ－１），（５·２ｎ－１，３·２ｎ＋１）时，方程ｐｘ２＋ｑ２ｙ＋１＝２ｚ的求解问题。其中ｎ≥３，Ｐ、ｑ为素数．从而给出了Ｐ≡１（ｍｏｄ８），ｑ≡７（ｍｏｄ８）以及Ｐ≡７（ｍｏｄ８），ｑ≡１（ｍｏｄ８），且ｍａｘ｛Ｐ，ｑ｝＜１００时上述方程除（ｐ，ｑ）＝（７９，９７），（７９，７３），（４７，８９），（７９，８９），（７１，８９）之外的全部非负整数解。     

关于二次方程的根

我们知道一元二次方程ａｘ２＋ｂｘ＋ ｃ＝ ０（ａ ／ ０）的根的判别式为△＝ ｂ２－ ４ａｃ,则 １）当△＞０时,方程有两个不相等的实根; ２）当△＝０时,方程有两个相等的实根; ３）当△＜０时,方程无实根。 若方程ａｘ２＋ｂｘ＋ｃ＝ ０（ａ≠０）的两根为 ｘ１、ｘ２,则 ,这种根与系数的关系,我们又称韦达定理． 对于一元二次方程来说,根的判别式、根与系数关系是比较重要的基础知识,教科书和有关专业期刊都有涉及,本文主要从以下两个方面对二次方程的根进行更深入的讨论．１根的虚实正负 例 １ｍ取何实数值时,方程 ｘ２…     

Hamilton图的一个充分条件

本文的主要结果是：设Ｇ是Ｄ－圈圈，若存在某个ｔ≤δ，使得任何ｔ＋１为的独立集Ｘ＝（ｘ０，ｘ１，…），有∑ｄ（ｘｉ）〉１／２（ｔ＋１）（ｎ－１）则Ｇ是Ｈａｍｉｌｔｏｎ图。     

求解高阶常系数线性微分方程的新方法

探讨了避开复值解定理求解常系数线性微分方程的方法．施变换ｙ＝ｚｅ￣ｒｘ于方程ｙ（ｎ）＋α１ｙ（ｎ－１）＋…＋αｎｙ＝０，则新方程的特征方程为（λ＋ｒ）ｎ＋α１（λ＋ｒ）ｎ－１＋…＋αｎ＝０．指出了如特征方程分解为（λｌ＋ｐ１λｌ－１＋…＋Ｐｌ）（λｋ＋ｑ１λｋ－１＋…＋ｑｋ）＝０，，则其对应的方程可以写成复合微分方程［ｚ（ｋ）＋ｑ１ｚ（ｋ－１）＋…＋ｑｋｚ］ｌ＋ｐ１［ｚ（ｋ）＋ｑ１ｚ（ｋ－１）＋…＋ｑｋｚ］（ｌ－１）＋…＋ｐｌ［ｚ（ｋ）＋ｑ１ｚ（ｋ－１）＋…ｑｋｚ］＝０．通过把方程写成复合微分方程和转化为非齐次方程，用待定系数法研究了齐次方程的通解结构．在齐次方程通解理论的基础上，通过引进新方程、将其写成复合微分方程和转化为非齐次方程与所给的方程比较，导出非齐次方程的特解设置．     

关于环Z／（m）上线性型的正交组

文章证明了ｋ个ｎ（１≤ｋ≤ｎ）无整系数线型α１１ｘ１＋．．．＋ａ１ｎｘｎ,．．．,ａｋ１ｘ１＋．．．＋ａｋｎｘｎ是模ｍ的正交组的充要条件是整数矩阵（ａｉｊ）ｋ＊ｎ的所有ｋ级子式与ｍ的最大公因数为１。     

非线必规划在证明不等式中的应用

我们在讨论完全ｔ部图的色等价问题时,需要确定变量αｔ＝ｌ＾ＴＱＢ在约束（β＋ｂ）＾ＴＢ（β＋ｂ）〈ａ＾２ｔ下的变化范围,其中αｔ∈Ｒ,ｌ,ｂ,β∈Ｒｌ－１,Ｑ,Ｂ∈Ｒ＾（ｌ－１）＊（ｔ－１）（αｔ,ｌ,ｂ,Ｑ,Ｂ）的定义见正文中的定理）。我们利用非线性规划的方法,证明了如下不等式：ｃｔ－ｄｔ－１ａｔ〈ａｔ〈ｃｔ＋ｄｔ－１ａｔ,其中ｄｔ－１＝√２（ｔ－１）／ｔ,ｃｔ＝ｔ－１／∑／ｉ＝１（ｎｉ－ｎｔ）     

一类非线性对称方程组解集的结构

主要讨论了非线性对称方程组Ｓ１＝Ｓ２＝…Ｓ２＝…＝Ｓλ－１＝Ｓλ＋１＝…＝Ｓｎ＝Ｓｎ＋１（１≤λ≤ｎ）,（Ｓｋ＝ｘ１ｋ＋ｘ２ｋ＋…＋ｘｎｋ,ｋ＝０,１,２,…）的非零解,并指出其解集的结构．     

高阶等差数列的函数解法

高阶等差数列的函数解法王坛，王曜如果一个数列｛ａｎ｝，从第二项起，每一项与它前一项的差所得的新数列｛ａｎ＋１－ａ．ｎ｝为等差数列，我们称此数列｛ａｎ｝为二阶等差数列。如果数列｛ａｎ｝中由｛ａｎ＋１－ａｎ｝组成的数列为一个二阶等差数列，则称原数列｛ａｎ...     

关于丢番图方程n—1∑k=0[1＋（80s＋72）k]^r=[1＋（80s＋72）n]^r

本文证明了，当ｎ，ｒ为正整数，ｓ为非负整数，丢翻图方程ｎ－１∑ｋ＝０「１＋（８０ｓ＋８２）ｋ」＾ｒ＝「１＋（８０ｓ＋７２）ｎ」＾ｒ无整数解。     

直链饱和卤代烃沸点规律性的研究Ⅱ．沸点经验公式再探

本文对作者提出的计算直链饱和卤代烃沸点经验公式Ｔｂ（℃）＝１３３．５４ｎ~（１／２）＋１２３．４９ｒ_ｘ~（３／２）－１４．２９２ｎ~（１／２）ｒ_ｘ~（３／２）－－２７９．４进行了分析和探讨。由上式出发，讨论了直链饱和烃的沸点变化规律，计算了氢（Ｈ_２）和卤化氢（ＨＸ）的沸点，并与实际结果进行了比较，最后对修正项的意义也作了简要讨论。     

关于Escott方程

本文证明了：当ｎ，ｘ，ｒ为正整数且ｒ〉３（１）ｒ为奇数（Ⅱ）ｒ为偶数，ｘ，ｎ奇偶性相同，丢番图方程Σｋ＝０ ｎ－１ （ｘ＋ｋ）ｒ＝（ｘ＋ｎ）＾ｒ无正整数解。     

关于Moser方程

用初等方法证明：当ｎ、ｒ是正整数,丢番图方程ｎ∑／ｋ＝１Ｋ＾ｒ＝（１＋ｎ）＾ｒ只有正整数解ｒ＝１,ｎ＝２。     

两类联图的全着色

一个图Ｇ＝（Ｖ，Ｅ）的一个Ｋ－全着色是从Ｖ∪Ｅ到Ｉ＿Ｋ＝｛１，２…Ｋ｝上的一个映射ψ；如果对Ｖ∪Ｅ中任意两个相邻或相关联的元素ｅ＿１，ｅ＿２，都有ψ（ｅ＿１）≠（ｅ＿２）时，则称ψ为Ｇ的一个正规全着色。图Ｇ的全色数定义为Ｘ＿ｒ（Ｇ）＝ｍｉｎ｛Ｋ｜存在Ｇ的一个正规ｋ－全着色｝。令Ｃ＿ｎ为ｎ个点的圈，为ｍ个点的独立集，Δ为图的最大度。本文证明了在ｍ≠ｎ时联图Ｃ＿ｍ＋Ｃ＿ｎ的全色数为Δ＋１；在ｍ＋２＜ｎ或ｍ＞ｎ时，联图＋Ｇ＿ｎ的全色数也为Δ＋１。     

一类方幂和中因子5的指数计算

设ｎ，ｘ，ｒ为正整数且ｒ〉１，ｎ＝５ｃ＾ａ，５＋ｃ，本文给出下列方幂和中因子５的指数计算公式，并给出它在不定方程中的应用。     

具有变系数的2n+1阶中立型微分方程正解的存在性

本文利用 Ｋｎａｓｔｅｒ不动点定理，Ｌｅｖｉ引理，给出具有变系数 Ｐ（ｔ）的 ２ｎ＋ １阶中立型微分 方程［ｘ（ｔ）－ｐ（ｔ）_ｘ（ｔ－２）］~（２ｎ＋１）＋ｆ（ｔ，ｘ（ｔ－τ_１（ｔ）），…，ｘ（ｔ－τ_ｍ（ｔ））＝０正解存在的几个充分 条件．本文结果部分地回答了文２１提出的问题．     

超晶格Al_xGa_（1－x）As／GaAs中相对键强度的研究

用半经验的ＣＮＤＯ／２量子化学计算方法，对一组模拟超晶格ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的原子簇体系作了第一性原理的电子结构研究。结果表明，化学键Ａｌ—Ａｓ和Ｇａ—Ａｓ的强度，在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ环境中的结果均高于它们在纯晶体ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ环境中的数值；随着ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｘ值的增大，Ｇａ－Ａｓ键强度相应地提高，但平均键强度计算结果，Ｇａ－Ａｓ总低于同环境中的Ａｌ－Ａｓ。本文结果同ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ红外光谱键强度分析等实验事实相吻合，而且为离子注入ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ中引起的晶格损伤分布行为提供了合理的解释。