普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8nm的负阻型HBT。该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1000,并伴有电流控制型负阻。     

a-Si:H FET特性理论新分析及验证

本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ_(GS)与表面电势φ_S 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并制出α-Si:H MOS FET 样品,测试结果表明理论与实验能较好吻合.     

阻抗变换器的负阻特性分析

本文就广义阻抗变换器的负阻特性进行了分析。在采用运算放大器单极点模型的条件下,得到了负阻特性并作出其频率曲线,给出了负阻变换器的最佳元件设计方案,并进行了灵敏度分析,提出了选择负阻变换器参数应注意的问题。     

ADC和DAC技术在TD—SCDMA基站中应用分析

针对TD—SCDMA中的空口部分关键指标要求（输出信号的功率要求、输出信号的动态范围要求、多载波输出信号的峰均比要求、输入信号动态范围、接收机参考灵敏度要求、输入信号的抗阻塞要求）对设计实现中ADC、DAC需要的位数要求进行分析。     

VHF高压双栅功率MOS及CAD程序

主研人员:唐茂成 曾军 李肇基 根据自行设计的特殊的叉指式结构,采用离子注入硅栅自对准工艺,研制出了耐压120V、工作频率100MHz、最大输出功率5W、功率增益为8.45dB的VHF双栅功率MOSFET.研制中借助于自行开发的二     

基于动态偏离—份额分析法的延边地区产业结构实证研究

通过动态偏离—份额分析法分析延边地区产业结构优劣、竞争力的强弱、总偏离等,并以此回顾西部大开发以来延边地区产业结构调整的成果,评价未来产业结构调整方向,进而提出符合延边地区实际的发展战略.动态偏离—份额分析模型结果显示,延边地区的实际增长额小于假定的地区份额,延边地区各产业皆处于区位竞争劣势,其中第一、第三产业总偏离也为负值.而第二产业的发展势头尚可,其增长主要来自产业内部结构优势.     

短沟道MOSFET准二维分析模型

现有的各种短沟道 MOSFET 分析模型都是所谓“两区模型”,即采用沟道长度调制的假设,把饱和 MOS 管的沟道划分为源区和漏区两个区,并在两区中分别采用缓变沟道近似与恒定电子漂移速度近似等.这就使在计算 MOS 管的沟道电场分布等内部特性时在两区分界点及其附近出现一定的误差,在计算外部特性时则在临界饱和点附近出现相应的误差.本文提出了一种新的适用于短沟道 MOSFET 的准二维分析模型.本模型的关键在于,     

短柱耦合结构固体源

本文提出一种新型偏置结构的毫米波固体源—短柱耦合结构.该结构的特点是便于调试,适应于参般离散性较大的负阻器件.运用谐振腔理论解释了该结构同通常的拉耦合结构相比具有较好的克服横向同轴谐振干扰能力.在 ka 波段对机调和电调源的实际调试获取较宽的调谐特性.     

横向绝缘栅双极晶体管的电压电流特性分析

求解泊松方程和电子与空穴的连续性方程以计算横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)电压电流关系,获得在加有 p~+ 短路槽和 p~-/p~+ 衬底等结构下的伏安特性和正向电压值以及载流子寿命对它们的影响。计算在 MOS 管衬底区域的纵向和横向分布电子电导和空穴电导,发现电子电导与阳极电流具有相似的负阻特性。文中还对求解的 DN 法和 NR 法进行了讨论。     

中国—东盟自由贸易区背景下国际贸易法律进路机理研究

随着中国—东盟自由贸易区的全面启动,作为自由贸易区重要的经济交流方式——国际贸易的发展直接关系到各国实现自身国际实力的提高.国际贸易法律进路机理为保护国际贸易的发展提供了法律支撑,具有重要的现实意义.利用演化博弈的复制动态方法,通过对国际贸易法律进路机理形成的演化博弈构建和分析,得到中国—东盟自由贸易区国际贸易法律体系建设的演化稳定策略(ESS),并揭示其内在机理.     

大直径混凝土灌注桩质量早龄期动力测试与分析

本文对大直径混凝土灌注桩质量早龄期动力测量的可能性,测试方法,桩身混凝土的成熟度计算进行了探讨,并根据试验资料提出了依据早期混凝土成熟度、实测弹性波速推算混凝土准抗压强度的方法和实用计算公式.     

农民专业合作组织协同动力衰退机理研究

我国农民专业合作组织发展速度慢、生命周期短的根本原因是缺乏一种自我持续成长的协同动力。农民专业合作组织的协同动力是内生动力、内生阻力、外在动力与外在阻力综合作用的结果,遵循形成、增长、维持、衰退的变化规律,因此,在组织衰退之前,需要及时增加动力,降低阻力,促使组织向更高结构层次演化。     

单相流体通过节流管的阻力特性研究

本文导出了单相流体通过节流管的压降计算模型,其理论计算值与试验结果相吻合,精度可满足一般工程测量的要求。文中还指出,单相流体通过节流管的阻力损失主要是突扩阻力损失,但其进口突缩阻力也不能忽略;此外,对于较长的节流管,还须计及沿程摩阻损失。     

F-MAT251离子源高压电源电路的维修

介绍了西德MAT公司F—MAT251同位素固体质谱仪离子源加速器高压电源中分压电阻棒的制作工艺和高压逆变器用逆变晶体管的代换的两个维修难题的突破。     

速肿消注射液毒性研究

为提供速肿消注射液的安全性毒理学评价资料,本试验采用改良Ｋａｒｂｅｒ法测定小鼠ＬＤ５０;以剂量递增法测定小鼠蓄积性和耐受性;分别以剂量 ５００、２００、１００ｍｇ／ｋｇ为３个试验组,设阴性和阳性对照组进行小鼠骨髓微核试验;分别以剂量 ７５０、３７５、１８８ ｍｇ／ｋｇ为３个剂量组,设阴性和阳性对照组进行小鼠精子畸形试验。结果表明：其ＬＤ５０为９９４．７２ ｍｇ／ｋｇ,蓄积系数大于５．３,无显著积毒性和耐受性（Ｐ＞０．０５）,小鼠骨髓微核试验和精子畸形试验结果均为阴性。     

辽宁城市整体竞争力水平的测定与分析

城市竞争力大小决定着地区综合实力水平的高低.通过对我国部分省份城市整体竞争力的静态的和动态的综合比较,可以看出辽宁城市整体竞争力水平较低.正是城市整体竞争力的下降,导致近年来辽宁地区经济实力的逐步下降.要提高辽宁城市整体竞争力水平,必须一方面加快各个城市的建设与发展,提高各市竞争力;另一方面要增强城市群体发展意识,提高城市协同竞争力.     

谈伏安法测电池内阻和电动势的图像法处理

图像法处理实验是物理学中十分重要的研究方法。伏安法测电池内阻和电动势的图像法处理,除可测量出电池 内阻及电动势外,还可研究电源输出最大功率的条件、效率问题、电源的反向充电问题及电源内阻对电路而言可视为 负电阻的概念,可得出比单纯测量出电池的内阻和电动势更为丰富的有关电学概念。     

调制掺杂场效应晶体管的直流特性

对调制掺杂场效应晶体管的栅控特性进行了研究。考虑费米能级随二维电子气浓度的变化,计算了器件的直流特性。计算结果包括在阈值电压附近以及非饱和区,与实验结果吻合较佳。     

单头螺旋槽管的强化换热研究

对螺旋槽管强化换热机理进行了理论分析,并结合实验结果分析了管内雷诺数R e、槽深及螺距对螺旋槽管换热和阻力的影响.     

DVS系统硬实时周期任务动态调度算法

与实时任务的可调度分析不同,实时DVS调度在保证任务截止时间限制同时,还要关注任务执行的处理器功耗。功耗研究一段时间的累积效果,传统基于最坏执行时间的任务调度模型不能满足实时DVS调度需要。该文采用实际执行时间(AET)概率分布建立实时任务调度模型,利用随机分析的方法分析AET分布对实时DVS调度算法性能的影响,提出了基于平均执行时间的实时DVS动态调度算法。实验结果表明,该算法在任务具有不同AET分布情况下可保持稳定的功耗性能。