空穴传输层厚度对OLED性能的影响

该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK(0～60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,有机发光二极管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,当空穴传输层厚度为15nm时,有机发光二极管器件具有最低的起亮电压、最高的发光亮度和最大的发光效率。     

聚合物白光发光二极管的研究进展

针对聚合物白光发光二极管(WPLEDs)在显示和照明领域广阔的应用前景,从器件结构和相关材料方面进行了讨论。从结构上将白光器件分为单发光层器件和多发光层器件;从发光材料的性质上将白光器件分为荧光器件、磷光器件和单一高分子白光器件。通过探讨各种器件的优势和不足,提出了各种器件的发展方向,并对WPLEDs面临的机遇和挑战做出了评述。     

TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究

利用2,2,3,3-tetraphenyl-4,4-bisthienylsilole(TPBTSi)作为发光材料,采用真空镀膜的方法制备双层器件ITO/N,bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/TPBTSi/Mg:Ag;在此基础上,利用N'-diphenyl-N,N'-tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)作为电子传输材料,以TPBTSi为发光层制备了结构为ITO/NPB/TPBTSi/Alq3/Mg:Ag的三层有机发光器件。结果表明,与双层器件相比,三层器件的发光性能得到很大提高,发光光谱谱峰位于516nm处,即TPBTSi的特征光谱,CIE坐标为(0.275,0.448),且不随电压的改变而变化。在15V的驱动电压下,器件的最大亮度和流明效率分别为7032cd/m2和0.79lm/W。     

衬底温度对八羟基喹啉镉薄膜光学性能的影响

用真空蒸镀方法,在不同衬底温度下,在玻璃衬底上制备了八羟基喹啉镉薄膜. 用MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪对八羟基喹啉镉薄膜的研究发现,衬底温度升高导致衬底的反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小,且发现随着衬底温度越高,所生成的薄膜折射率和消光系数也增大,并给出了两种光学系数的变化范围,所的到的试验结果,对制备有机发光器件有一定的参考意义.     

低阻ITO玻璃的制造工艺

有机发光显示器件是目前平板显示中的热点,所用ITO玻璃比液晶显示所用的有更高更严的要求。该文探讨了OLED用ITO玻璃生产的相关工艺,得出使用直流溅射ITO陶瓷靶时,较好的气氛是低氩微氧,功率约200W左右,溅射时基板温度约250℃,高温无氧退火。得到方阻20?以下、平均透过率大于80%的ITO玻璃。     

介质层对真空微电子三极管特性的影响研究

用粒子模拟程序MAGIC模拟了真空微电子三极管的电子学特性,其发射电流由Folwer-Nordheim公式得出.研究了栅极与阴极间介质层对电子发射特性的影响,发现介质层的位置对发射特性有较大的影响.对一个典型结构真空微电子三极管的模拟结果表明,当介质孔半径从0.4μm增加到2.0 μm时,发射电流将从0.198μA减小到0.115 μA,前人的研究工作中常常忽略了介质层对电子发射特性的影响.同时还得到了电流-电压特性和电子轨迹图等模拟结果.     

小尺寸器件栅隧穿电流预测模型

针对具有超薄氧化层的MOS器件,使用积分方法,提出了一个新的栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论预测模型,在此基础上使用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细的研究,并定量分析了器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影响下小尺寸器件的特性变化趋势。使用BSIM 4模型进行仿真的结果与所提出的理论模型相符合。     

量子相干性对串联平行板介观电容器中电子含时输运性质的影响研究

通过自洽方法讨论了介观器件间的量子相干性对串联平行板介观电容器中电子含时输运性质的影响.结果表明量子相干性强烈依赖电容器极板间距和外部电压的频率.当极板间距较小或者高频段时,量子相干性对输运特性的影响尤为明显,说明在此类条件下,电流特性不遵循基尔霍夫定律.     

Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱光伏效应研究

测量以GaAs为衬底的Zn1-xCdxSe／ZnSe应变层多量子阱在不同温度下（18～300K）的光伏谱，研究Zn1-xCdxSe／ZnSe多量子阱的光伏效应和带间激子跃迁，实验结果表明，Zn1-xCdxSe／ZnSe量子阱具有显著的量子限制效应，从18K直至室温，都能观测到清晰的激子跃迁峰，说明Zn1-xCdxSe／ZnSe是制作室温下工作的蓝绿激光器等发光器件的合适材料。     

助熔剂法合成Gd_2O_2S∶Tb荧光粉

采用共沉淀法制备前驱体,再加入助熔剂煅烧合成Gd2O2S∶Tb荧光粉,并对制备的荧光粉样品的晶体结构及发光性能进行了系统研究。结果表明:助熔剂的选择对Gd2O2S∶Tb荧光粉合成影响显著;当L i2CO3与L i3PO4添加量的摩尔比为2∶1时发光亮度最大,且颗粒分布较均匀;当助熔剂的质量分数为0.35时发光性能最好。     

空调制热效果为何不理想

在冬季气温较低的日子里,空调的制热效果往往很差,尤其早晨甚至连开都开不起来。这是因为空调制热的原理是利用热泵将室外环境中的热量传入室内的。一般情况下,当气温低于零下5℃,制热效果就开始明显变差。气温越低,制热效果则越差。当冬季室外温度过低时,室外机就很难再从室外空气里吸取热量传导到室内,这时空调即使能够运转,制     

聚合物电致发光材料及器件

本文着重介绍了聚合物电致发光器件的工作原理、器件结构、聚合物材料的种类及分子结构,并对影响器件发光效率和寿命的因素、聚合物电致发光材料目前存在的问题和发展前景作了简介.     

新型蓄光性长余辉荧光陶瓷的研制

研究了基础釉的成分、蓄光粉的加入量、釉层厚度和烧成温度制度等因素对蓄光陶瓷发光性能的影响以及各种制品最佳工艺技术路线的确定.     

关于远红外辐射器件使用温度的探讨

本文把远红外辐射器件看成灰体,运用黑体辐射规律,讨论了远红外辐射器件加热干燥不同吸收特性的物体时,应使用什么温度为宜。     

电化学合成纳米FeOOH的电解工艺研究

采用金属铁为"牺牲"阳极,不锈钢片为阴极,在无隔膜电解槽中,用电化学一步法合成纳米FeOOH.研究了电流密度、分散剂(PVP)的质量分数、电解温度对产物的粒度及分散性的影响.结果表明:当电流密度从1mA·cm-2增加到加mA·cm-2时,羟基氧化铁胶粒的平均粒径逐渐减小;分散剂(PVP)的质量分数从1%增加到4%时,羟基氧化铁胶粒的平均粒径逐渐降低,但当PVP的质量分数增加到5%时,羟基氧化铁的平均粒径反而增加;电解温度从20℃增加到50℃时,羟基氧化铁胶粒的平均粒径逐渐增大.     

高效率白色有机电发光器件研制

将磷光材料fae tris(2-phenylpyridine)iridium[Ir(PPy3)]作为敏化剂,制作了高效率的白色有机电发光器件。Ir(ppy)3和荧光染料4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-euyl)(DCJTB)共掺入4,4'-N,N'-diearbazole-biphenyl(CBP)母体中。此共掺层的厚度以及浓度影响整个器件的效率和颜色。Tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq)和2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)分别用作电子传输层和激子阻挡层,N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naph-thyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)用作蓝光发光层和空穴传输层。器件的最大效率和亮度分别可以达到9cd／A和12020cd／m2。通过调节掺杂层的厚度以及Ir(ppy)3和DCJTB的浓度,可得到相当纯正的白光,其色坐标为(0.33,0.32),在10V到19V的范围内几乎不随驱动电压的变化而变化。     

脉冲微束等离子弧焊参数对丝网焊点组织与性能的影响

为了获得具有良好性能的不锈钢丝网焊点,课题组采用脉冲微束等离子弧焊(P MPAW)的方法,对丝径为0.35 mm,孔隙为1.25 mm的方孔状丝网进行脉冲电流对接焊。利用超景深显微镜、显微硬度计和微拉伸机研究不同脉冲频率、占空比和基值电流对丝网焊点显微组织和力学性能的影响,以获得最佳的工艺参数组合。结果表明：在脉冲频率为100 Hz、占空比为50%、基值电流为1.2 A时,焊点处形成的晶粒最为细致且具有802 MPa的最高抗拉强度;当基值电流和占空比不变时,焊点晶粒随脉冲频率的增大而逐渐细化;当频率超过100 Hz时,焊点由细小等轴晶向粗大骨骼状晶转变。当脉冲频率和基值电流不变时,焊点晶粒随占空比的增大先细化后粗大,焊点力学性能先升高后下降;当脉冲频率和占空比不变时,焊点晶粒随基值电流的增大逐渐粗化,力学性能逐渐下降。     

沉淀反应温度对铜锰复合氧化物结构和催化性能的影响

采用共沉淀法制备铜锰复合氧化物,运用XRD、TPR、BET和常压微反评价装置对所合成样品进行了物相结构和催化性能的研究。XRD分析表明,沉淀反应温度在25~90℃时所合成铜锰复合氧化物前驱体均由Cu2+1O/Mn3O4组成,但随着温度的升高,其晶体组成Cu2+1O/Mn3O4比逐渐提高,晶粒逐渐减小,这些前驱体经550℃焙烧后均转化为Cu1.5Mn1.5O4,且晶粒大小基本相同。TPR分析结果表明,所制备催化剂为单一组成的铜锰复合氧化物,当沉淀反应温度<45℃时,随沉淀反应温度提高样品的还原温度升高,当沉淀反应温度从45℃提高到65℃,还原温度变化不大,只略有下降;而当沉淀反应温度>65℃时,还原温度继续升高。BET结果表明,虽然室温下(25℃)所制催化剂前驱体的比表面积较大,但焙烧后却大幅度下降,反而小于45℃以上样品的比表面积;而当沉淀温度在45℃以上时,焙烧前后样品的比表面积相差不大,样品的比表面积均在36.5-39 m2/g,说明当沉淀温度提高到45℃以上时,焙烧后样品的比表面积与沉淀温度关系不大。沉淀温度45℃是Cu-Mn沉淀物织构发生明显变化的拐点,在此温度下,沉淀反应体系的反应、传递及沉淀物的转...     

ITO表面改性对有机电致发光器件性能的影响

采用乙醇、氧等离子、NaOH、浓硫酸分别对氧化铟锡薄膜进行了处理;利用原子力显微镜、X-射线光电子能谱、接触角测试仪对处理后薄膜的表面形貌、化学组分及表面能进行了研究。实验结果表明经浓硫酸和NaOH处理后的氧化铟锡薄膜表面具有较低的粗糙度、较小的表面颗粒半径、较低的碳污染以及较高的表面能;另外,以不同材料处理的氧化铟锡基片为阳极采用真空热蒸发法制备了双层结构发光器件ITO/NPB/AlQ/Mg:Ag/Ag,并对器件的电流-电压(J-V)、亮度-电压(B-V)特性以及效率(η)进行了测试和分析,结果表明乙醇处理基片做制备器件性能最差,而经浓硫酸、NaOH处理后的氧化铟锡基片所制备的双层器件的光电性能优于氧等离子处理,其启亮电压更低,发光亮度及效率更高。     

制备温度对SnO_2/Au/SnO_2三层结构透明导电薄膜光学和电学特性的影响

采用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了SnO_2(40 nm)/Au(8 nm)/SnO_2(40 nm)三层薄膜结构.分别利用扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、四探针电阻测试仪等研究了制备温度对多层薄膜的形貌、结构和光电性能的影响.结果表明,制备温度对SnO_2/Au/SnO_2透明导电薄膜的光电性能有较大影响,随着衬底温度的升高,三层膜的品质因数逐渐下降.当制备温度为20℃,SnO_2/Au/SnO_2在可见光区(400~800 nm)的平均透过率为69.7%,面电阻为6.8Ω/sq,薄膜具有最佳品质因数3.96×10~(-3)Ω~(-1).