TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究

利用2,2,3,3-tetraphenyl-4,4-bisthienylsilole(TPBTSi)作为发光材料,采用真空镀膜的方法制备双层器件ITO/N,bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/TPBTSi/Mg:Ag;在此基础上,利用N'-diphenyl-N,N'-tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)作为电子传输材料,以TPBTSi为发光层制备了结构为ITO/NPB/TPBTSi/Alq3/Mg:Ag的三层有机发光器件。结果表明,与双层器件相比,三层器件的发光性能得到很大提高,发光光谱谱峰位于516nm处,即TPBTSi的特征光谱,CIE坐标为(0.275,0.448),且不随电压的改变而变化。在15V的驱动电压下,器件的最大亮度和流明效率分别为7032cd/m2和0.79lm/W。     

空穴传输层厚度对OLED性能的影响

该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK(0～60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,有机发光二极管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,当空穴传输层厚度为15nm时,有机发光二极管器件具有最低的起亮电压、最高的发光亮度和最大的发光效率。     

ADN掺杂的高效率红光有机电致发光器件的制备

针对目前红光有机电致发光器件普遍存在效率低的缺点,以9,10-di-beta-naphthylanthracene(AND)为主体材料,利用真空蒸镀双掺杂的方法,制备了基于ADN的结构为ITO/N,N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl]-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamineNPB/ADN:AlQ(20%):DCJTB(2%)/AlQ/Mg:Ag/Al的红光掺杂器件。测试结果表明该器件亮度可以达到3000cd/m2,EL光谱的峰值为598nm,色纯度CIE坐标为(0.59,0.41),最大流明效率为2.54lm/W,比AlQ为单一主体材料的红光掺杂器件性能有很大的提高。     

使用AlQ的高效率红色有机电致发光器件

以8-羟基喹林铝(AlQ)为主体材料,通过4(Dicyanomethylen)-2-methyl-6-(P-dimethylaminostyryl)-4H-pyran(DCM)红色发光材料的掺杂,制备了AlQ:Rubrene:DCM体系的高效率、高亮度的红色电致发光器件。器件结构为ITO/N,N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl]-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/AlQ:Rubrene(3%):DCM(3%)/AlQ/Mg:Ag/Al,亮度为4330cd/m2,色坐标为(0.51,0.44),最大流明效率为6.77lm/W。     

聚合物白光发光二极管的研究进展

针对聚合物白光发光二极管(WPLEDs)在显示和照明领域广阔的应用前景,从器件结构和相关材料方面进行了讨论。从结构上将白光器件分为单发光层器件和多发光层器件;从发光材料的性质上将白光器件分为荧光器件、磷光器件和单一高分子白光器件。通过探讨各种器件的优势和不足,提出了各种器件的发展方向,并对WPLEDs面临的机遇和挑战做出了评述。     

Mo(Ⅵ)─PAN─KBrO_3极谱催化波研究

Mo（Ⅵ）于0．05mol／LHAC－0．5mol／L，NaAC（PH＝4．6），3．5×10(－5)mol／L1－（2－吡啶偶氮）－2一萘酚（PAN），0．16mol／LKBrO3形成良好的导数极谱波。峰电位Ep＝－0．71V（VS．SCE），峰电流与mol（Ⅵ）的浓度在2．0×10(-8)－1．0×10~(-6)mol／L范围内呈线性关系，检出限可达5．0×10(-9)mol／L，用多种电化学手段研究极谱波的性质及反应机理，实验表明为具吸附性质的催化波，应用该法测定污水，自来水及回收试验，结果满意。     

氮化物应力膜SOI SiGe异质结双极晶体管的频率特性研究

为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si_3N_4)应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si_3N_4,使其在基区引入单轴压应力,增强载流子的迁移率,来提高器件的截止频率f_T和最高振荡频率f_(max)。采用SILVA-CO软件进行仿真,重点研究不同埋氧化层厚度和氮化膜对器件频率特性的影响。结果表明:在埋氧化层厚度为190 nm,基区Ge组分为17%～30%的阶梯型分布且淀积Si_3N_4薄膜引入应力时,截止频率f_T约为638 GHz,最高振荡频率f_(max)约为795 GHz。与传统的SOI SiGe HBT相比,截止频率f_T提高了38 GHz,最高振荡频率f_(max)提高了44 GHz。     

Co-Phen配合物的合成与晶体结构

硝酸钴、邻菲罗啉(Phen)和4,4′-联吡啶在碱性的水溶液中反应得到一种晶体配合物[Co(NO3)(Phen)2]NO3.4H20,本文探讨了该化合物的合成和晶体结构。结构分析表明:晶体属三斜晶系,P-1空间群:a=0.79584(16)nm,b=1.0349(2)nm,C=1.6579(3)nm,α=105.96(3)°,β=103.32(3),°γ=90.14(3),°V=1.2744(4)nm3,Z=2,R1=0.0546,w2R=0.1429.     

总剂量辐照加固的功率VDMOS器件

采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。     

ITO表面改性对有机电致发光器件性能的影响

采用乙醇、氧等离子、NaOH、浓硫酸分别对氧化铟锡薄膜进行了处理;利用原子力显微镜、X-射线光电子能谱、接触角测试仪对处理后薄膜的表面形貌、化学组分及表面能进行了研究。实验结果表明经浓硫酸和NaOH处理后的氧化铟锡薄膜表面具有较低的粗糙度、较小的表面颗粒半径、较低的碳污染以及较高的表面能;另外,以不同材料处理的氧化铟锡基片为阳极采用真空热蒸发法制备了双层结构发光器件ITO/NPB/AlQ/Mg:Ag/Ag,并对器件的电流-电压(J-V)、亮度-电压(B-V)特性以及效率(η)进行了测试和分析,结果表明乙醇处理基片做制备器件性能最差,而经浓硫酸、NaOH处理后的氧化铟锡基片所制备的双层器件的光电性能优于氧等离子处理,其启亮电压更低,发光亮度及效率更高。     

高亮度高分辨率YAG投影显示管(英文)

介绍了一种HDTV显示用的7.6cmYAG（钇铝石榴石）投影阴极射线管（CRT），采用离心沉屏法将荧光粉沉积在YAG面板上制作高密度荧光屏，该荧光屏上制作有多层干涉过滤膜。管壳采用能与YAG进行匹配封接的玻璃材料。经过优化设计的预聚焦透镜和主聚焦透镜满足显示HDTV图像的要求。测试结果表明，在阴极电流为1.0mA和阳极电压为29kV条件下，红、绿、蓝管的亮度分别可达1．4×105cd／m2、6．2×104cd／m2和8×103cd／m2，绿色管子50％图像线宽为85μm。采用该管的122cm背投和183cm前投电视机的水平分辨率为1000电视线，平均白场亮度分别为624cd／m2和890cd／m2.     

草酸根桥联的Zn_3~ⅡFe~Ⅲ异四核配合物的合成及其性质

合成和表征了两种新的草酸根桥联的异四核配合物 [Zn3Fe(C2 O4 ) 3(bpy) 6](NO3) 3(1 )和 [Zn3Fe(C2 O4 ) 3(Me2 bpy) 6](NO3) 3(2 ) ,其中 bpy表示 2 ,2′-联吡啶 ,Me2 bpy表示 4,4′-二甲基 - 2 ,2′-联吡啶 .经元素分析、摩尔电导率和红外光谱等测定结果推定 ,配合物具有草酸根桥联结构 .实验结果表明 ,异四核配合物的杀菌活性优于桥联配体的杀菌活性 .     

InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2／V.s,晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω,乘积灵敏度达90～150V／A·T。     

钢铁表面W-S簇合物彩色膜的研究

通过(NH4)2WS4溶液浸渍,在钢铁表面获得了具有良好装饰效果和耐蚀性能的彩色W-S簇合物膜。FT-IR、F-IR、FT-Raman、XPS和AES分析结果表明,簇合物膜中存在W-S-Fe、端基W-S和端基W-O键,膜层由W、S、Fe、O元素组成,膜外层各元素价态分别为+6、+6(+4)、+3、-2,膜内层其价态则分别为+6(+4)、-2、+2、-2,膜为多分子层结构,从AES深度分布曲线的组成恒定区求得了元素的相对原子百分浓度和膜层厚度。反应时间越长,膜越厚。加热后膜层所含元素种类和价态不变,但各元素的分布和膜的结构发生了变化。     

镉及镉锌联合对雄性大白鼠增重及生精能力的影响

随着现代工业的发展,(如:蓄电池、合金等)镉中毒引起了广泛的重视。本文研究了镉及镉锌联合对雄性大白鼠的生精能力以及体重、睾丸重及附睾重的影响。77只60日龄wistar雄性大白鼠,随机分成七组,连续3天,按每公斤每天分别注射:omg cd(Ⅰ组)1mg cd(Ⅱ组)、2mg cd(Ⅲ组)、4mg cd(Ⅳ)、1mg cd+10mg Zn(Ⅴ组)2mg cd+20mgZn(Ⅵ)、4mg cd+40mg Zn(Ⅷ组)。实验结果表明:实验结束时,Ⅲ、Ⅳ组大白鼠体重、睾丸重、附睾重明显低于Ⅰ组。Ⅲ、Ⅳ组的精子数/睾丸、精子数/克睾丸为0,其生精功能完全丧失。     

基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）

在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。     

YAG:RE3+(RE=Eu,Tb)的制备及发光特性研究

利用柠檬酸-凝胶方法,以Y2O3,Eu2O3,Tb4O7和Al(NO3)3·9H2O作为初始原料,柠檬酸作为配位剂,成功制备出了Y3Al5O12:Eu3+(Tb3+)发光材料,其烧结温度为1?000℃,时间4?h.通过X射线衍射测试,表征Y3Al5O12为单相;计算其晶胞参数,发现晶胞体积v随着pH值的增大而增大.对Y3Al5O12:Eu3+(Tb3+)系列样品在紫外光谱区域和真空紫外光谱区域的发光性能进行了研究,结果表明:在真空紫外光谱区域激发下,Eu3+(Tb3+)的猝灭浓度比在紫外光谱区域激发下的低.     

温度对单层有机发光器件电流注入机制的影响

温度是影响有机发光器件特性的一个重要因素,考虑了电流的注入限制和体限制之后,运用数值方法,研究了在低电场下温度对单层有机发光器件电流注入机制的影响.结果表明,在电压一定的情况下,当温度逐渐升高时,器件的电流传导将趋向于体限制,而当温度逐渐将低时,器件电流传导将趋向于注入限制,此时有机层内各处电场强度趋于均匀.     

Eu(Ⅲ)/Gd(Ⅲ)-HTTA-BA-Phen配合物的合成与荧光性质研究

合成一系列关于Eu(Ⅲ)/Gd(Ⅲ)与2-噻酚甲酰三氟丙酮(HTTA)、苯甲酸(BA)和邻菲罗啉(Phen)的配合物,并对这配合物进行元素、红外与荧光光谱分析.结果表明:这些配合物的组成为Eu1-x Gdx (BA)-(TTA)2 Phen (x＝0～1),配合物Eu(BA)(TTA)2 Phen比配合物Eu(TTA)3 Phen具有更宽的激发带,且激发带发生明显的蓝移,说明新的配合物已经生成.共发光Gd3+ 离子对配合物Eu1-x Gdx (BA)(TTA)2 Phen的荧光增强非常明显,最佳Gd3+ 离子浓度为0.4 (摩尔分数).配合物Eu1-x Gdx (BA)(TTA)2 Phen荧光增强的主要机理是Eu(BA)(TTA)2 Phen 与Gd(BA)(TTA)2 Phen配合物分子间的能量传递.     

功率器件有 JTE 结构的电场的数值分析与模拟

本文用 damped-Newton(DN)法求解由一般非线性方程获得的Poisson 方程。研究了阻尼因子λ对其收敛性和求解效率的影响。利用此方法计算了横向表面掺杂为 Gauss 分布的器件的归一化电场与掺杂浓度和掺杂层宽度的关系。