超晶格Al_xGa_（1－x）As／GaAs中相对键强度的研究

用半经验的ＣＮＤＯ／２量子化学计算方法，对一组模拟超晶格ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的原子簇体系作了第一性原理的电子结构研究。结果表明，化学键Ａｌ—Ａｓ和Ｇａ—Ａｓ的强度，在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ环境中的结果均高于它们在纯晶体ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ环境中的数值；随着ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｘ值的增大，Ｇａ－Ａｓ键强度相应地提高，但平均键强度计算结果，Ｇａ－Ａｓ总低于同环境中的Ａｌ－Ａｓ。本文结果同ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ红外光谱键强度分析等实验事实相吻合，而且为离子注入ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ中引起的晶格损伤分布行为提供了合理的解释。     

高能硅离子注入GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在３５０℃高温和室温下以不同剂量注入ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温注入下，观察到ＣａＡｓ中存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相互平衡的剂量范围以及两种速率失去平衡时的临界剂量。用级联碰撞理论分析了所观察到的实验结果。     

K_（1，3）－Free图中的D－闭迹

设Ｇ是一个图，Ｖｅ∈Ｅ（Ｇ），定义ｅ＝ｕＶ的度ｄ（ｅ）＝ｄ（ｕ）＋ｄ（Ｖ），其中ｄ（ｕ）和ｄ（Ｖ）分别为ｕ和Ｖ的度．本文的主要结果是：设Ｇ是π≥３阶几乎无桥的简单连通Ｋ_（ｌ，３）－ｆｒｅｅ图。若对任何无公共顶点的两边ｅ_０及ｅ_１，有ｄ（ｅ_０）＋ｄ（ｅ_１）≥π＋Ｌ，则Ｇ有一个Ｄ－闭迹，从而Ｇ的线图１（Ｇ）是哈密顿图。     

快速循环晶化Al／BiGa：DyIG双层磁光膜的磁和磁光性能研究

基于快速循环退火的技术及经验，给出纳米晶化和增大有效法拉第角的理论公式，通过与实验结果比较能够很好地解释Ａｌ／Ｂｉ，Ｇａ∶ＤｙＩＧ双层膜的磁光增强及温度变化特性等原因，同时发现在石榴石膜厚０．１～１．３μｍ范围内，双层膜法拉第角比单层膜增大了０．２０度，居里温度降低到１４０～１６１℃范围，这一结果来源于多层膜界面效应及Ａｌ３＋离子在四面体和八面体位对Ｆｅ３＋离子的取代。有效法拉第角增大的原因是由于细的晶料和双层膜介面光干涉作用     

阴离子型簇合物（Ph3P）2N）（FeCo3（CO）12）的晶体结构表征

本文合成了簇合物（Ｐｈ３Ｐ）２Ｎ）（ＦｅＣｏ３（ＣＯ）１２）并测定了其晶体结构，单晶结构数据如下：Ｍ＝１１０７．３６，单斜晶系，空间群Ｐ２１／ｎ，ａ＝１３．８５７（３），ｂ＝１０．９０６（５），ｃ＝３２．１５５（６）Ａ，β＝１００．０９（２）°Ｖ＝４７８４（２）Ａ＾３，ｚ＝４，μ（ＭｏＫａ）＝１４．４８ｃｍ＾－１，Ｄｃ＝１．５３７ｇ／ｃｍ＾３，Ｆ（０００）＝２２３２。用３０８２个可观测衍射点（Ｉ〉     

0．53μm光致大气击穿实验研究

对锁模Ｎｄ：ＹＡＧ倍频激光作用下，气溶胶粒子对激光大气击穿阈值的影响进行了研究，并对不同光学参数、不同气溶胶下的击穿阈值进行了测量。得到：空气中含较大粒子（Ａｌ２Ｏ３，ＺｎＯ，ＺｒＯ２，１８ｔｈｇｌａｓｓ、ｄ＞３０μｍ）的光致击穿阈值比含较小粒子（ｄ＜１μｍ）的空气击穿阈值低２～３个数量级；含杂空气的击穿阈值随入射激光束直径的增大而下降、随气溶胶粒子直径的增大而减小，且随气溶胶的成分不同而不同。     

非完整非保守动力学系统的不变量

提出了一种研究非完整非保守动力学系统的不变量的方法。首先，将一个非完整非保守动力学系统问题当作一个有条件的完整动力学系统问题来处理；然后建立确定该系统具有形如不变量的方程组，其中ａ_０，ａ_ｓ，ａ_（ｓｌ）是ｔ，ｑ_ｓ的任意函数；最后举例说明其应用。     

褐家鼠（Rattusnorvegicuscaraco）精母细胞中联会复合体的组型分析

本文用表面铺展──ＳＤＳ处理硝酸银（ＡｇＮＯ３）和磷钨酸（ＰＴＡ）染色电镜技术，对中国东北地区褐家鼠（Ｒａｔｔｕｓｎｏｒｖｅｇｉｃｕｓｃａｒａｃｏ）粗线期精母细胞中的联会复合体（ｓｙｎａｐｔｏｎｅｎａｌＣｏｍｐｌｅｓ，ＳＣ）的组型进行分析研究，发现褐家鼠的ＳＣ组型与实验大白鼠有丝分裂中染色体组型有良好的一致性，尤其与Ｗｉｓｔａｒ─Ｋｉｎｇ品系大鼠有丝分裂染色体组型的相关性高（相关系数ｒ＝０．９７１２）．本文还比较ＴｇＮＯ３染色与ＰＴＡ染色的ＳＣ标本，对ＳＣ上着丝点嗜银性问题进行了讨论．     

聚噻吩透明导电复合膜的研究

采用减压蒸溜，０℃低温气相淀积法在聚酯（ＰＥＴ）基材上合成了聚乙烯醇－聚噻吩（ＰＶＡ－ＰＴｈ），获得性能优良的透明导电聚合物复合膜。研究了ＦｅＣｌ３和ＰＶＡ浓度配比、反应压强、聚合温度和时间对透过率和导电率的影响。最优工艺条件：ＦｅＣｌ３８．０ｗｔ％，ＰＶＡ６．０ｗｔ％，压强３．３７×１０４Ｐａ，温度０℃，气相淀积聚合时间１０ｍｉｎ。５５０ｎｍ处膜的透过率Ｔｒ≥８０％，导电率ρ≥０．２ｓ·ｃｍ－１，膜厚约１μｍ。     

（0，1）—矩阵类U（R，S）的势函数

讨论了（０，１）—矩阵类Ｕ（Ｒ，Ｓ）中所含指定的行和向量Ｒ＝（ｒ１，ｒ２，…，ｒｍ），列和向量Ｓ＝（ｓ１，ｓ２；，…，ｓｎ）的（０，１）—矩阵的势ｆｍ，ｎ（Ｒ，Ｓ），给出了求ｆｍ，ｎ（Ｒ，Ｓ）的递归公式．     

外电场对压力下有限深量子阱中杂质态结合能的影响

考虑压力及屏蔽效应,利用变分法讨论外电场下有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AL0.3Ga0.7As量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随阱宽和电场强度的变化关系,并讨论了有无压力和屏蔽时的区别.结果显示,施主结合能随电场强度增加或减少既依赖于杂质位置的不同又依赖于阱宽的不同,电场强度对杂质态的结合能影响也与压力及屏蔽有关.     

調制摻杂場效应晶体管的研制与測試

对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行了微波测试。在4GHz下,最小噪声系数为2.49dB,最大功率增益为10.2dB,在国内尚未见到类似报导。     

3d过渡金属掺杂GaAs的居里温度研究

本文用Zener模型对GaAs掺杂3d过渡金属（TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni）的居里温度进行理论计算.文中详细介绍了GaAs材料的晶体结构和基本参数;推导了计算居里温度的函数表达式;并计算了不同元素在不同掺杂浓度下的居里温度值,通过计算得到如下结论：3d过渡金属取代Ga位置时,掺杂Cr和Mn时居里温度较高,可以实现室温铁磁性,掺杂其余元素时居里温度很低;3d过渡金属取代As位置时除了掺杂V和Ni居里温度很低以外,其余均可获得室温铁磁性;取代As位置时合成的DMS材料的居里温度普遍高于取代Ga位置时的居里温度.     

推力波箔轴承的理论分析和试验研究

本文对半径比为0.3、0.5和0.7三种尺寸的推力波箔轴承进行了理论计算。并对其中的二种进行了参数优化。计算结果绘成了便于设计应用的图线,并对设计图线各参数间的关系作了讨论。文中还介绍了该类轴承的试验装置和试验方法,给出了一组试验数据。并将理论结果与试验结果作了比较。最后用实例说明了设计图线的使用方法。     

应力对LaAlO_3/BaTiO_3超晶格结构及性能的影响

采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格。利用高能电子衍射技术和X射线衍射技术对LaAlO3/BaTiO3超晶格的生长过程和微结构进行了表征。发现由于LaAlO3和BaTiO3晶格常数的不匹配,在LaAlO3/BaTiO3超晶格中存在应变,该应变又对超晶格的铁电性能具有很大的影响。而不同的结构存在的应变不同,非对称结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格的应变随每个周期中LaAlO3层厚度的增加、BaTiO3层厚度的减少而增大,其剩余极化强度不仅未减少,反而增加。     

Gd掺杂对La0.67Sr0.33CoO3/La0.7Sr0.3MnO3微观磁结构的影响

采用固相反应法制备了系列样品La_(0.67-x)Gd_xSr_(0.33)CoO_3(x=0.00,0.05,0.10,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0. 67)和La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3(x0.00,0.10,0.15,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0.70)。通过磁化强度-温度(M-T)曲线,磁化强度随磁场变化(M-H)曲线,研究了Gd掺杂对La_(0.67)Sr_(0.33)CoO_3和La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3宏观磁性质和微观磁结构影响。结果发现它们的磁性质完全不同：La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3体系的磁化曲线随掺杂量增加,在低温下表现为铁磁到团簇再到反铁磁；La_(0.67-x)Gd_xSr_(0.33)CoO_3体系的磁化曲线在60K以下随温度进一步降低表现出快速上升的行为。这是由于Mn离子和Co离子具有不同的电子结构和自旋态。在La_(0.67-x)Gd_xSr_(0.33)CoO_3中是由于Gd次格子的顺磁性贡献引起的,并且Gd格子和Co格子之间的耦合很弱,甚至可以忽略；而在La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3中是由于Gd次格子的铁磁性贡献引起的,Gd~(3 )格子与Mn~(3 )/Mn~(4 )格子形成反铁磁排列,并且Gd格子与Mn格子之间的耦合很强。     

Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱光伏效应研究

测量以GaAs为衬底的Zn1-xCdxSe／ZnSe应变层多量子阱在不同温度下（18～300K）的光伏谱，研究Zn1-xCdxSe／ZnSe多量子阱的光伏效应和带间激子跃迁，实验结果表明，Zn1-xCdxSe／ZnSe量子阱具有显著的量子限制效应，从18K直至室温，都能观测到清晰的激子跃迁峰，说明Zn1-xCdxSe／ZnSe是制作室温下工作的蓝绿激光器等发光器件的合适材料。     

动态膜处理污水性能的研究

研究了在陶瓷管载体内壁制成高岭土动态膜及动态膜对城市二级出水的过滤性能、动态膜的清洗和再生方法。实验中采用错流操作方式处理二级出水，结果表明，涂膜液中高岭土质量浓度在0.3～0．7g／L、涂制时间在10～37min时，成膜的水处理性能差别不大；跨膜压差对过滤有一定影响，当0．1～0．3MPa时，滤出液通量基本相同，但明显低于0．4MPa时滤出液通量；错流速度对过滤影响显著，速度愈大则滤出液通量愈大，错流速度在1～2m／s时出水通量比较稳定，动态膜对浊度的去除率基本上为100％，对COD（化学需氧量）去除率约为40％。     

疲劳与断裂中细观损伤的群体响应

实验中观察到，在疲劳短裂纹损伤阶段，损伤累积由众多的短裂纹萌生和发展而构成。对于韧性材料裂纹起始，实验中观察到裂尖前方孔洞群体损伤累积．依据损伤以群体方式发生和发展的特征，分别采用裂纹数密度守恒和孔洞数密度守恒的分析方法，探讨了疲劳短裂纹和裂尖前方孔洞群体损伤的演化过程和损伤累积行为。