硅烷流量对热丝法制备富硅氮化硅薄膜的影响

以热丝化学气相沉积为方法,硅烷流量为变量,制备一系列氮化硅薄膜,并对样品进行傅里叶红外光谱、紫外-可见光谱、PL光谱的测试,结果发现:随着硅烷流量的增加Si-N键键合几率相对减小,Si-Si键键合几率相对增加,薄膜折射率局域增大且带隙值在富硅范围内呈减小趋势.在光致发光谱中也观察到有硅量子点发光波长范围内峰位明显移动的波峰,由测试可知,所得样品为向富硅相转变或已呈富硅相的氮化硅薄膜.     

Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究

在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO2薄膜进行了1 100℃以下不同温度的退火,采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明,600℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示,600℃退火后LO峰强度最强,认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO2/SiC MOS结构SiO2的漏电特性研究表明,600℃退火后的SiO2薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级。在外加反向偏压5 V时,漏电流密度仅仅只有5×10?8 A/cm2。600℃退火能显著地改善热氧化层SiO2的致密性。     

退火对ZnS薄膜光学性质和结构的影响

采用真空蒸发法在石英基片上制备了ZnS薄膜,把制备好的ZnS薄膜进行退火处理,温度从300℃到900℃,退火时间为1h.利用扫描电镜（SEM）研究了薄膜厚度随退火温度的变化,利用光致发光谱（PL）和光吸收研究了在不同退火温度处理下薄膜光学性质的变化.结果显示,700℃随退火温度的升高,薄膜厚度变小,而700℃以后,随退火温度的升高薄膜厚度变大.光吸收显示,随退火温度的升高,薄膜在可见光范围内的光吸收逐渐降低,光学带宽发生蓝移,700℃以后,随退火温度身高,光吸收有一定的升高,光学带宽发生红移.光致发光显示,随退火温度的升高,ZnS薄膜与深能级缺陷相关的发光带（DLE）增强,700℃后薄膜,随退火温度的升高,DLE减弱.     

红色及橙色荧光粉添加对白光LED光学特性的影响

采用荧光分光光度计测量不同种类荧光粉样品的光谱特性,分析橙色及红色荧光粉的添加对白光LED光学特性的影响.室温光致发光测量表明,橙色及红色荧光粉的发光强度明显弱于黄绿色荧光粉,其峰值强度分别只有黄绿色荧光粉峰值强度的21.5%和7.2%.在黄绿色荧光粉中添加20%含量的橙色或红色荧光粉后,样品在绿光波段的发光强度大幅下降,而在橙、红光波段的发光强度变化很小,表明白光LED显色性的提高主要是绿光强度的下降导致的.扫描电子显微镜测量表明,黄绿色荧光粉为粒径10μm左右的球形颗粒,而橙色及红色荧光粉的颗粒尺寸较小,且多为片状颗粒.因此,橙色及红色荧光粉对入射蓝光的反射光强度分别是黄绿色荧光粉的3.01倍和3.23倍,这是其光致发光强度远小于黄绿色荧光粉的主要原因.     

氧化锌薄膜的生长条件对其结晶及光学特性的影响

采用射频磁控溅射方法在硅（100）衬底上制备了ZnO薄膜,运用X射线衍射仪（XRD）分析了不同的生长条件和退火处理对ZnO薄膜结晶特性的影响．应用谢乐公式讨论了不同制备条件下晶粒直径．采用金相显微镜观察样品抛光后的横截面形貌来进一步验证XRD的分析结果．研究结果表明在溅射功率为120w．衬底温度为500C时可制备沿C轴取向生长且品质较好的ZnO薄膜．退火后,应用X射线衍射仪分析可知．晶粒直径可增至20nm左右,但晶面取向有所变化．由布拉格方程讨论了退火处理对样品晶面间距的影响．以此分析了可能的薄膜应力类型的变化．经金像显微镜可观察到氧化锌的柱状生长．应用日本岛津RF-5301PC型紫外-可见分光光度计测试ZnO薄膜的光致发光谱（PL）测的激发波长为363nm和463nm     

氧化锌薄膜的蒸发氧化制备及其光电特性研究

采用真空蒸发镀膜的方法分别在玻璃和硅片衬底上沉积金属锌前驱体,再在空气中通过不同温度的退火氧化处理制得氧化锌薄膜,主要研究了不同退火温度对氧化锌薄膜光电特性的影响.实验表明,在一定退火温度样品的方块电阻突增,PL发射峰出现红移,文中对结果进行了初步讨论.     

退火对非晶ErAlO高k栅介质薄膜特性的影响

利用射频磁控溅射法在P型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3(ErAlO)栅介质薄膜,得到了电学特性优异的薄膜样品,对薄膜的退火研究发现,600℃氧气氛退火可使ErAlO薄膜的介电常数得到了提高并使其漏电流特性也得到改善,退火后样品的有效介电常数达到了15,在-1.5 V偏压下,漏电流密度仅为2.0×10-7A/cm2.氧气退火消除了薄膜中原有的缺陷,并使得薄膜更加致密,表面更加平整.     

注氮ZnO:Mg薄膜的热稳定性研究

利用溶胶凝胶方法在石英玻璃衬底上制备了ZnO:Mg薄膜,将能量56 keV、剂量1×1017ions/cm2的N离子注入到薄膜中.离子注入后,将样品在500-900℃的氮气中退火,利用X射线衍射(XRD)和光吸收研究了薄膜中缺陷的恢复过程.结果显示,离子注入层在600-900℃的退火过程中分解和蒸发现象明显,这个结果对利用离子注入技术制备p型ZnO有很重要的意义.     

A位La和Dy替代Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷结构及介电性能的研究

研究了A位La,Dy替代对BZN基陶瓷结构和介电性能的影响.在替代量x≤0.2的范围内,La替代样品均保持单一的立方焦绿石结构;在x<0.15的范围内,Dy替代样品为单一的立方焦绿石相;当x=0.2时,结构中出现杂相.随着La、Dy替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸、密度和介电性能发生有规律的变化;低温介电弛豫峰的峰形逐渐宽化;La替代样品的峰值温度向低温方向移动,Dy替代样品的峰值温度向低温方向移动.与x为0.1、0.15和0.2相对应的La替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-95℃,-99℃,-104℃,Dy替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-96℃,-89℃,-85℃.     

硅烷流量对热丝CVD制备多晶硅薄膜的结构及性质影响

采用热丝化学气相沉积法(HWCVD),以高纯SiH_4、H_2作为反应气源,N型(100)的单晶硅片和Corning 7059玻璃片作为衬底来制备多晶硅薄膜材料.在优化了其它沉积参数条件下,研究硅烷流量对多晶硅薄膜的结构及性质的影响.通过X射线衍射谱(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、紫外-可见光透射谱(UV-Vis)、傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)和扫描电镜(SEM)分别对薄膜的晶粒大小、结晶取向、带隙宽度、Si-Si键的键合特性及表面形貌进行表征与分析.实验结果表明:在1 600℃的热丝温度条件下,硅片衬底上沉积的多晶硅薄膜在(111)面生长存在择优取向.随着硅烷流量的增加,硅片衬底上沉积的薄膜样品晶粒尺寸减小,氧含量降低,玻璃衬底上制备的薄膜样品光学带隙出现了展宽.相对其他薄膜,在硅烷流量为1.02 sccm时,硅片衬底沉积的薄膜得到了较好的沉积速率(0.239 nm/s),样品的晶粒尺寸得到优化.同时在硅烷流量为1.02 sccm时,玻璃衬底上带隙也得到了一定的优化.     

冷轧宽带钢连续退火炉与罩式退火炉的比较研究

在概述了罩式退火炉和连续退火炉的基础上,从带钢品种、性能、生产三方面对罩式退火炉和连续退火炉作了分析比较.     

基于模拟退火的进化算法性能对比研究

将模拟退火算法和遗传算法、粒子群优化算法分别进行结合,形成模拟退火—遗传算法以及模拟退火—粒子群优化算法,并作性能对比分析。研究结果表明,这两种算法都在进化代数和全局寻优能力方面有较大突破,在找寻最佳个体解的效率上,模拟退火—粒子群优化算法更突出。     

一种改进的模拟退火图像盲复原算法

通过分析均匀分布与Cauchy分布的分布机制,提出了一种改进的模拟退火图像盲复原算法,该算法选择Cauchy分布为随机扰动量来产生状态扰动函数。通过计算机仿真,验证了该算法对初值的鲁棒性和复原的效果优于基于均匀分布随机扰动量模拟退火盲解卷积算法,提高了收敛到最优解的速度。     

引入模拟退火机制的新型遗传算法

提出了一种将遗传算法与模拟退火算法相结合的新搜索算法。该算法以遗传算法运算流程作为主体流程,并把模拟退火机制融入其中,用以调整优化群体。在进化过程中使用了保留策略,以保存适应度较好的个体。在模拟退火算法的跳变操作过程中使用类似遗传算法变异来实现,先作置反操作,再作前后等长交换操作,以防止陷入局部最优。实验表明,该算法与传统遗传算法相比,提高了进化速度和全局寻优能力。     

模拟退火并行粒子群优化算法程序设计与研究

针对粒子群优化算法后期收敛差和模拟退火算法全局优化能力强的特点,建立模拟退火并行粒子群优化算法(SA-PSO算法)模型。利用MATLAB语言开发SA-PSO算法工具箱,实现SA-PSO算法的程序设计,高效、稳定地提高算法全局寻优能力。     

SA算法在基于模型推理入侵检测中的应用

鉴于模型推理的入侵检测方法,需要在庞大的审计记录空间中搜索巨量的攻击脚本子集中的最优值,对于这一NP类完全问题,提出了应用模拟退火算法。并建立了攻击检测的优化问题模型,给出了攻击检测实验中的解空间、目标函数、新解的产生和接受准则,得到了一个合理的冷却进度表,并对实验中的模拟退火算法进行了并行化研究。实验证明,与传统的贪心算法相比,应用模拟退火算法提高了进化速度和全局寻优能力,较好地解决了搜索效率问题。     

快速循环热处理对(Co_(0.35)Fe_(0.65))_(99)O_1薄膜磁性能的影响

针对(Co0.35Fe0.65)99O1薄膜,研究了两种不同热处理工艺对其磁性能的影响。结果表明:快速循环热处理可以改善高磁矩(Co0.35Fe0.65)99O1薄膜磁性能,在450°C几个快速循环热处理后,沉积薄膜的矫顽力从105下降到3Oe,电阻率下降到70%,a-Fe(Co)相晶粒尺寸可以减小到15～35nm,该处理方法较以往的热处理更能改善软磁薄膜的性能。     

基于模拟退火遗传算法优化的BP网络在质量预测中的应用

翘曲量预测精度是注塑成形优化的难点。文章以某零件翘曲量为对象,选取注射温度、模具温度、保压压力、保压时间、注射速度等参数,进行数值模拟实验,建立BP神经网络的翘曲量预测模型。针对BP神经网络易陷入局部最优解的缺陷,设计一种基于模拟退火遗传算法优化的BP网络模型,与BP网络的预测精度对比。结果表明,基于模拟退火遗传算法优化的BP网络模型预测精度高于BP网络模型,同时加快收敛速度,增强全局搜索能力。     

电缆生产线连续退火温度控制系统的研究

在电缆生产线连续退火装置中,采用SPWM电源感应供电方法和PI-模糊双模控制方案,既可弥补直流供电方式的不足,还可克服对象大惯性和不确定模型的影响,从而提高响应速度和控制精度。