調制摻杂場效应晶体管的研制与測試

对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行了微波测试。在4GHz下,最小噪声系数为2.49dB,最大功率增益为10.2dB,在国内尚未见到类似报导。     

E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制

本文对 E/D 型 MODFET 直接耦合倒相器进行了设计与研制。利用国产分子束外延设备制备的 Al_xGa_(1-x)As/Ga As 调制掺杂外延材料,采用常规化合物半导体工艺,获得了具有正常逻辑输出功能的 MODFET 直接耦合倒相器。这对国内开展 MODFET 数字电路的研究与开发具有实际意义。     

砷化镓肖特基势垒栅微波场效应晶体管的直流特性

本文主要分析了砷化镓肖特基势垒栅微波场效应晶体管的直流特性。分析表明,在低电压区基本符合肖克莱缓变沟道理论,但当电压增加到沟道内的载流子达到饱和漂移速度时,源-漏间的直流特性不能再用肖克莱的缓变沟道理论,必须进行二维分析。由于砷化镓的速度-电场特性具有(刀贝)的斜率,其源-漏间的直流特性要出现微分(刀贝)阻,通过对实际砷化镓肖特基势垒栅微波场效应晶体管的测量,观察了这一微分(刀贝)阻,并为测量 S_(22)大于1所证实。当漏电压进一步提高时,会出现栅流随漏电压的增加而增加,这一现象可用来研究碰撞电离,且具有较高的灵敏度。     

晶体管温度传感器的特性研究

本文分析了晶体管温度传感器的非线性大小,它不但与工作点的选择有关,还与晶体管的工艺参数和结构有关。本文提出了提高互换性的途径。测试结果表明:在0～100℃温区内,最小非线性误差为0.2℃,互换性误差最大为5℃。     

霍耳效应实验的今与昔

1985年和1998年的两项诺贝尔物理学大奖,都是源于霍耳效应实验.本文从霍耳发现霍耳效应开始,直到现在的量子霍耳效应和分数量子霍耳效应,较系统地讲述了这个实验.     

超混沌序列的数字语音扩频调制研究

超混沌系统与普通混沌系统相比,产生的混沌序列有着更好的复杂性和类随机性,在保密通信中,具有很高的安全性。该文提出了把超混沌序列降维后应用于扩频通信的思想;设计了超混沌序列的降维模型,通过此降维模型生成了扩散均匀度较好的随机序列,对所设计的超混沌随机序列性能进行了深入分析,并对超混沌序列的语音扩频调制模型进行了实际仿真,验证了设计思路的正确性,为扩频保密通信技术的纵深研究提供了另外一条新的解决思路。     

横向绝缘栅双极晶体管的电压电流特性分析

求解泊松方程和电子与空穴的连续性方程以计算横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)电压电流关系,获得在加有 p~+ 短路槽和 p~-/p~+ 衬底等结构下的伏安特性和正向电压值以及载流子寿命对它们的影响。计算在 MOS 管衬底区域的纵向和横向分布电子电导和空穴电导,发现电子电导与阳极电流具有相似的负阻特性。文中还对求解的 DN 法和 NR 法进行了讨论。     

S掺杂锐钛矿TiO2电子结构的第一性原理研究

对完整锐钛矿TiO2晶体及S掺杂锐钛矿TiO2晶体电子结构进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过对能带、态密度的分析,发现在S掺杂后,O原子,S原子与Ti原子在导带区发生了强烈的相互关联作用,致使Ti原子3d轨道上的电子向S原子的3p轨道,O原子的2p轨道移动,使得导带向低能区移动,从而使TiO2的禁带宽度变小,吸收边红移.从而揭示了S掺杂导致锐钛矿TiO2晶体禁带宽度变小的机理.理论计算与实验结果基本相符.     

脉内调制特性的中频解调分析

在分析中频解调原理的基础上,讨论了雷达情报侦察系统中脉內调制特性的分析方法。此外,就影响对不同的复杂雷达信号的脉内调制特性分析的因素进行了讨论。计算机模拟结果证明:在中频上解调分析雷达信号的脉內调制特性是简单可行的。     

用时域信息改善机扫雷达参数估计性能的方法

针对一个波束宽度内存在多目标的情况,提出了一种基于时空级联处理的用单天线、单接收通道实现目标角度和多普勒频率联合超分辨估计的方法.与阵列天线利用目标反射波的相位关系不同,单天线、单通道方法是根据天线扫描时,对回波脉冲的增益变化而构造导向矢量阵的,此时若直接采用常规空间谱估计方法,则实现的是信号多普勒频率的超分辨,角度估计效果较差.时空级联处理方法可充分利用信号的时域结构信息,明显提高角度的估计性能,并且无需高维搜索,计算量小.计算机仿真结果证明了新算法的有效性和正确性.