紫蓝磁光材料的量子法拉第效应

从量子角度分析了Ｂｉ３＋离子替代对紫蓝磁光材料法拉第效应的影响，研究了ＤｙＩＧ（镝铁石榴石）材料的磁光频谱特性，结果表明ＤｙＩＧ材料在３５０ｍｍ和５５０ｎｍ有两个磁光极大峰值，这极有利于短波高密度磁光记录。     

Al_（0．3）Ga_（0．7）As／GaAs超晶格在高能高温注入下的晶格损伤

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了ＩＭｅＶＳｉ￣＋衬底加温注入Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和作为比较的ＧａＡｓ晶体后晶格的损伤积累与注入剂量的关系。实验结果表明，在注入剂量比较小的情况下，两种晶体都只有很轻微的损伤；动态退火过程的存在抑制了晶格损伤的积累。但在较高的注入剂量下，在几乎无损伤的表面下两种晶体中都形成了损伤埋层，且ＧａＡｓ中损伤峰处的损伤程度和损伤峰的宽度都大于Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格中的情形，根据级联碰撞理论分析了晶体中的损伤积累过程，并从化学键相对强度差异的角度定性地解释了ＧａＡｓ和Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格实验结果的不同。     

聚噻吩透明导电复合膜的研究

采用减压蒸溜，０℃低温气相淀积法在聚酯（ＰＥＴ）基材上合成了聚乙烯醇－聚噻吩（ＰＶＡ－ＰＴｈ），获得性能优良的透明导电聚合物复合膜。研究了ＦｅＣｌ３和ＰＶＡ浓度配比、反应压强、聚合温度和时间对透过率和导电率的影响。最优工艺条件：ＦｅＣｌ３８．０ｗｔ％，ＰＶＡ６．０ｗｔ％，压强３．３７×１０４Ｐａ，温度０℃，气相淀积聚合时间１０ｍｉｎ。５５０ｎｍ处膜的透过率Ｔｒ≥８０％，导电率ρ≥０．２ｓ·ｃｍ－１，膜厚约１μｍ。     

Bi代DyGaIG多层磁光薄膜的优化设计

Ｂｉ代ＤｙＧａＩＧ材料是新一代磁光存贮介质。文中用导纳矩阵法计算了多层结构磁光记录薄膜的光学特性，分析了记录层厚度和反射层厚度对记录性能的影响。从磁光记录过程的光和热效应相结合的角度提出了一个新的优化目标函数，并以此完成了Ｂｉ代ＤｙＧａＩＧ／Ａｌ（Ｃｒ）／Ｇｌａｓｓ多层结构磁光盘的优化设计。     

K_（1，3）－Free图中的D－闭迹

设Ｇ是一个图，Ｖｅ∈Ｅ（Ｇ），定义ｅ＝ｕＶ的度ｄ（ｅ）＝ｄ（ｕ）＋ｄ（Ｖ），其中ｄ（ｕ）和ｄ（Ｖ）分别为ｕ和Ｖ的度．本文的主要结果是：设Ｇ是π≥３阶几乎无桥的简单连通Ｋ_（ｌ，３）－ｆｒｅｅ图。若对任何无公共顶点的两边ｅ_０及ｅ_１，有ｄ（ｅ_０）＋ｄ（ｅ_１）≥π＋Ｌ，则Ｇ有一个Ｄ－闭迹，从而Ｇ的线图１（Ｇ）是哈密顿图。     

高系一四甘薯茎尖培养及快繁技术研究

通过筛选培养基,研究了高系一四甘薯茎尖培养及快速繁殖的方法．结果表明,ＭＳ＋６－ＢＡ０．１０～０．２５ｍｇ／Ｌ,ＩＡＡ０．０１ｍｇ／Ｌ或ＮＡＡ０．０５ｍｇ／Ｌ,ＧＡ０．０５ｍｇ／Ｌ是较好的茎尖诱导培养基,茎尖的萌动率为８０％以上,６５ｄ即可一次成苗．茎尖苗以茎切段进行增殖,经筛选,增殖培养基以ＭＳ＋６－ＢＡ０．０５～０．５０ｍｇ／Ｌ,ＮＡＡ０．００５～０．０５０ｍｇ／Ｌ,ＧＡ０．１ｍｇ／Ｌ为最好,２０～３０ｄ即可成苗,移栽成活率为１００％．     

固体超强酸TiO2—Al2O3／SO4^2—催化合成水杨酸甲酯

研究以固体超强酸ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３／ＳＯ２－４为催化剂，水杨酸和甲醇为原料合成水杨酸甲酯。并考察了醇酸比、反应时间、反应温度等对酯化率的影响。结果表明，在水杨酸用量为０．１ｍｏｌ的情况下，用固体超强酸ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３／ＳＯ２－４为催化剂，催化剂用量为１ｇ，甲醇和水杨酸的摩尔比为１０∶１，反应时间４ｈ，反应温度６６～６９℃，是最适宜的反应条件，酯产率达到８５％以上。     

0．53μm光致大气击穿实验研究

对锁模Ｎｄ：ＹＡＧ倍频激光作用下，气溶胶粒子对激光大气击穿阈值的影响进行了研究，并对不同光学参数、不同气溶胶下的击穿阈值进行了测量。得到：空气中含较大粒子（Ａｌ２Ｏ３，ＺｎＯ，ＺｒＯ２，１８ｔｈｇｌａｓｓ、ｄ＞３０μｍ）的光致击穿阈值比含较小粒子（ｄ＜１μｍ）的空气击穿阈值低２～３个数量级；含杂空气的击穿阈值随入射激光束直径的增大而下降、随气溶胶粒子直径的增大而减小，且随气溶胶的成分不同而不同。     

磁参数对六角铁氧体RAM温度稳定性影响

从磁参数（饱和磁化强度,磁晶各向异性场）温度稳定性出发,对六角铁氧体ＲＡＭ的温度稳定性进行了讨论;通过对Ｍ、Ｗ型六角铁氧体在温度ｔ＝１８～１００℃,频率ｆ＝８～１２ＧＨｚ时吸收率Ｒ（Ｒ～ｆ）的温度稳定性和材料起始磁导率μ1随温度的变化曲线（μ1～ｔ）的测试,得到单轴六角铁氧体材料Ｒ～ｆ的温度稳定性优于平面六角铁氧体材料,并且和材料的μ1～ｔ变化规律吻合较好的结果。     

超晶格Al_xGa_（1－x）As／GaAs中相对键强度的研究

用半经验的ＣＮＤＯ／２量子化学计算方法，对一组模拟超晶格ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的原子簇体系作了第一性原理的电子结构研究。结果表明，化学键Ａｌ—Ａｓ和Ｇａ—Ａｓ的强度，在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ环境中的结果均高于它们在纯晶体ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ环境中的数值；随着ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｘ值的增大，Ｇａ－Ａｓ键强度相应地提高，但平均键强度计算结果，Ｇａ－Ａｓ总低于同环境中的Ａｌ－Ａｓ。本文结果同ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ红外光谱键强度分析等实验事实相吻合，而且为离子注入ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ中引起的晶格损伤分布行为提供了合理的解释。     

偶图中独立边集的1－因子扩张

Ｇ＝（Ａ，Ｂ；Ｅ）是偶图，｜Ａ｜＝｜Ｂ｜＝≥２，若ｅ，ｆ∈Ｅ，ｅ≠ｆ，有ｄ（ｅ）＋ｄ（ｆ）≥３ｎ＋ｋ（ｋ≥１），则Ｇ中所有ｋ个边的独立集Ｍ皆可扩张成Ｇ的１－因子．     

催化光度法测定微量苯酚

利用苯酚在酸性条件下能减慢Ｉ－ 对Ｃｅ４ ＋ 和ＡｓＯ３３－ 反应的催化速度的特性，采用动力学催化法测定微量苯酚．在Ｈ２ＳＯ４ 和ＮａＣｌ 存在下，加入醋酸马钱子碱终止Ｃｅ４＋ 和ＡｓＯ３３－ 的反应，通过测定马钱子碱和Ｃｅ４ ＋ 配合物的吸光度来测得苯酚的含量．该方法测定的的线性范围是０ ．０２０ ～０ ．７００ ｍｇＬ，ｒ＝ ０ ．９９２ ，样品平均回收率是９９ ．２ ％ ，表观摩尔吸光系数为８ ．３ ×１０４Ｌ（ｍｏｌ·ｃｍ） ．     

流动注射法测定磷石膏制水泥中铝含量

研究了反相流动注射分光光度法测定磷石膏制水泥中Ａｌ２Ｏ３含量。通过微波熔样，采用铬天青Ｓ作显色剂，抗坏血酸作干扰抑制剂，校正曲线并校正氟干扰。在波长５４０ｎｍ条件下测定，线性范围为０ｇ·Ｌ－１～１．２×１０－３ｇ·Ｌ－１，相对标准偏差为３．１％，回收率为９５％～１０５％。样品测定速度为１００样／ｈ。     

求解高阶常系数线性微分方程的新方法

探讨了避开复值解定理求解常系数线性微分方程的方法．施变换ｙ＝ｚｅ￣ｒｘ于方程ｙ（ｎ）＋α１ｙ（ｎ－１）＋…＋αｎｙ＝０，则新方程的特征方程为（λ＋ｒ）ｎ＋α１（λ＋ｒ）ｎ－１＋…＋αｎ＝０．指出了如特征方程分解为（λｌ＋ｐ１λｌ－１＋…＋Ｐｌ）（λｋ＋ｑ１λｋ－１＋…＋ｑｋ）＝０，，则其对应的方程可以写成复合微分方程［ｚ（ｋ）＋ｑ１ｚ（ｋ－１）＋…＋ｑｋｚ］ｌ＋ｐ１［ｚ（ｋ）＋ｑ１ｚ（ｋ－１）＋…＋ｑｋｚ］（ｌ－１）＋…＋ｐｌ［ｚ（ｋ）＋ｑ１ｚ（ｋ－１）＋…ｑｋｚ］＝０．通过把方程写成复合微分方程和转化为非齐次方程，用待定系数法研究了齐次方程的通解结构．在齐次方程通解理论的基础上，通过引进新方程、将其写成复合微分方程和转化为非齐次方程与所给的方程比较，导出非齐次方程的特解设置．     

CAI函数图形发生器FGG的设计与实现

介绍在Ｗｉｎｄｏｗｓ环境下用ＢｏｒｌａｎｄＣ＋＋３．１开发的通用函数图形发生器的结构和功能，讨论了实现中的表达式求值算法和图形生成算法。ＦＧＧ的主要特点是，对输入的任意一元、二元函数表达式可直接生成对应的二维和三维图形。ＦＧＧ作为ＣＡＩ写作工具的支撑软件，可用于ＣＡＩ课件的开发及演示。     

氢化物A─H键键能计算方法的研究

本文在研究氢化物分子中Ａ—Ｈ键键能变化规律的基础上，运用分子原子结构参数提出了一个新的Ａ—Ｈ键键能计算公式：Ｄ０Ａ－Ｈ＝３８．８７Φ１＋５２．０５Φ２＋Φ３＋３２．５（Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）［Ｒ＝０．９９９３］．用该式计算了３４个氢化物Ａ—Ｈ键的键能，其计算值与实际值较吻合．新公式物理意义明确，计算方便，可靠性强．     

硫醇在Au表面的SA膜的AFM观察

采用电子束蒸发沉积方法制备的Ａｕ基片，分别放在０．００１Ｍ的正丁硫醇、正十二硫醇的纯溶液和混合溶液中，通过化学吸附制备得到自组装单分子层膜。利用原子力显微镜（ＡＦＭ），对正丁硫醇、正十二硫醇以及两种硫醇混合物在Ａｕ基片上的自组装单分子层膜进行了观察研究。从原子分辨的ＡＦＭ图像观察三种分子膜的周期性六边形等间距排列图像，最邻近间距分别为０．５０ｎｍ±０．０２ｎｍ、０．５２ｎｍ±０．０３ｎｍ和０．５１ｎｍ±０．０３ｎｍ，与Ａｕ（１１１）晶格表面上的间距为０．５０ｎｍ的Ｒ３０°吸附层的间距一致。用ＡＦＭ观察测量出了膜的厚度分别为０．６７ｎｍ、１．６０ｎｍ和１．３２ｎｍ。     

10．6μm空芯导光软波导

１０．６μｍ空芯导光软波导主研人员：王瑞峰叶王堂陈冠华洪永和蔡伯荣采用了与国外重力牵引方法不同的具有创新意义的衍射镀膜新工艺，从而研制成功了不需附加聚焦系统的超细孔径（ｔｈ．８～１．２ｍｍ）的Ｇｅ／Ａｇ软波导，其长度为２３０～６５０ｍｍ，最高传输效率...     

投影CRT用磁聚焦电子枪

论述了一种成功运用于１２２ｃｍ背投式彩色投影电视机阴极射线管（ＣＲＴ）中的磁聚焦电子枪。该枪采用了预聚焦发射系统和磁聚焦主透镜构成的双聚焦系统。经测试发现，当阴极电流为０．５～１．０ｍＡ时，其上屏束斑直径仅为０．０６５～０．０８０ｍｍ。     

原矿类型对冷分解—浮选法生产氯化钾的影响

光餐石终分解－浮选法生产氢化钾，以正常光卤（ＭｇＣｌ３／ＫＣｌ＝１．４００～１．８００，ＫＣｌ／ＮａＣｌ≈１．００）完全分解为最理想，但在实际生产中，因受卤水组成和盐田工艺控制的影响，出现了各种非常规的盐田光卤石，计算表明，高钠光卤石分解回收率最高，单位氢化钾产量耗水量较秒，虽然分解产物质量一般，但与高镁光卤石，高镁高钠低钾光卤石相比，经济效益最好。