用离子化技术制备C-BN薄膜

立方晶系的氮化硼(C-BN)具有极好的硬度、绝缘性,近年来受到国内外的注目。本文介绍在10~(-1)Pa的氮气氛中,用电子束蒸发硼,再进行离子化,制得氮化硼薄膜。经电子显微镜衍射图分析及与块状材料相比,其晶格距离极为一致,本文还分析了薄膜形成过程中基板温度、真空度等的影响。     

含氮氟化非晶碳(a-C∶F∶N)薄膜电学性能的研究

用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜,用电桥测试薄膜的介电常数,研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响.结果表明:掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升.     

碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响

采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜,测试其场发射特性,并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较,得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低,为1～1.2V/μm。对碳纳米管薄膜进行老炼处理,最大场发射电流由12.3μA提高到34μA。     

PECVD法制备SnO_2气敏元件的研究

采用等离子体增强化学汽相沉积薄膜型SnO_2的方法,研究了不同掺杂浓度及衬底温度对成膜的影响,用能带论估算了表面吸附原子密度,并测量了元件对石油气、氢气的灵敏度。     

电子平行金属表面运动激励表面等离子体波研究

从麦克斯韦方程组出发,结合边界条件,理论分析了电子平行金属表面运动所激励的表面等离子体波的色散关系等特性,分别讨论了匀速电子在金属块和金属薄膜上方运动激励表面等离子体波的两种情况。并结合粒子模拟仿真,对理论分析进行了验证。     

SnO_2：Sb薄膜的光学和电学性能的研究

本文采用等离子体激活化学气相沉积制备了ＳｎＯ_２掺杂透明导电膜，并研究了薄膜的光学和电学性能．制得的薄膜电阻最低约为１７Ω／口，其可见光透射率为８５％以上，红外吸收率为８０％左右；还测得该膜具有负温阻特性。     

浅析XHG消弧柜限制弧光接地过电压特点

重点介绍XHG消弧柜限制弧光接地过电压的工作原理,及与传统消弧线圈限制弧光接地过电压所表现的不同特点及优点.     

HT-7托卡马克等离子体电子热扩散系数与等离子体参数的关系

研究了HT-7托卡马克装置欧姆放电情况下电子热扩散系数χe的空间分布以及它与等离子体参数如等离子体中心弦平均密度、等离子体电流的关系。χe沿等离子体小半径的分布是逐渐增大,中心最低。χe在等离体1/2小半径处的数值随等离子体的中心弦平均密度增大而降低,随等离子体电流的增大而增大。且硼化后的值比硅化后的值稍小一些。χe比INTOR定标小很多,但与欧姆放电情况下的Merezhkin定标以及Coppi-Mazzucato定标数值差不多。     

SO4^2-／TiO2催化合成乙酸乙酯的实验设计

SO4^2-／TiO2固体超强酸薄膜化催化剂能完全代替浓硫酸作催化剂，用乙酸、乙醇来合成乙酸乙酯。在膜催化器上，考察了薄膜化催化剂对乙醇和乙酸合成乙酸乙酯的催化性能。结果表明，薄膜化催化剂显著提高了催化活性；当n（乙醇）：n（乙酸）=1．5：1，原料流量3．0mL／h，在反应温度为110℃时，乙酸乙酯产率可达94．8％，且薄膜催化剂的处理很方便，催化剂再生后可重复使用，不污染环境。     

XHG消弧及过电压保护装置在矿山电力系统中的应用

针对矿山6KV电力系统弧光接地过电压对电缆等固体绝缘的积累性破坏,引用XHG消弧及过电压保护装置,能够快速地将弧光接地转化为金属接地,尽快将过电压限制在安全水平,延长了电缆的使用寿命。     

科研成果介绍

高性能膜状软磁材料与旋磁薄膜材料及应用研究 主研人员：张怀武 刘颖力 王豪才 钟智勇 贾利军 周海涛 石 玉 黄 平 苏 桦 唐晓莉 高性能膜状软磁材料及旋磁薄膜材料是近期磁集成器件和微波集成器件的基础，也是近期国际上研究开发的热点之一。该项目在软磁薄膜和旋磁薄膜研制方面解决了压靶溅射，纳米晶化和旋镀中温热解工艺等技术难点，成功地研制出性能优良的薄膜材料。基于材料的研制，解决了层间绝缘、多层不同薄膜材料的连续掩膜光刻基片附着力、高频化问题以及保护层与电极引出问题。并首次设计和研发出E型初/次级交叉…     

基于LED光源下的CO2焊自动跟踪系统的熔池图像处理

由于受到强烈弧光和强焊接电流磁场的干扰,直接采用自然光获取图像,往往达不到使用者要求.设计了一种采用特种LED光源照射,并具有一定前导量的CCD图像采集和处理自动跟踪系统.能对同时存在弧光、烟尘、飞溅干扰条件下的CO2焊进行高精度的实时自动跟踪.     

电磁波在等离子体层中衰减的数值分析

采用分层介质方法处理非均匀等离子体层,研究了电磁波射向覆盖磁化等离子体层的金属平板时电磁波的衰减特性。着重讨论Epstein密度分布的等离子体层,分析了等离子体电子密度、电子碰撞频率、外加磁场和入射角度等因素对电磁波衰减的影响,得出在一定等离子体密度和电子碰撞频率下,等离子体对电磁波的吸收特性。     

低压气体弧光放电的熄弧角及其简单推导

低压气体放电管在弧光放电时具有负的伏安特性。这是因为在弧光放电时,随着电流的增加,电极温度升高,阴极有大量热电子发射,在热电子的参与下,等离子区的等离子浓度剧增,使放电气体的导电性能显著变好,阻抗大大变小,结果使得电流和阻抗的乘积——放电管的管压降降低。     

铁磁性金属簿膜磁特性的研究

讨论了铁磁性金属薄膜中的各向弄性磁阻效应。通过对晶体结构分析和实验验证,提出了一种假设:在外磁场作用下,产生了原子对的方向有序化,导致感生磁各向异性,并使晶体织构消失。根据对5种样品的实测数据,讨论了薄膜的动态磁化过程。     

直流磁控溅射铂电阻薄膜

根据薄膜理论和通过成膜工艺实验，研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。１）对铂靶材料的纯度要求高，含杂质极少；２）淀积薄膜要有一定厚度，通常近于１μｍ才能有较大的α；３）成膜以后，需经过高温热处理，减少缺陷，结晶化改善。通过大量实验，使用高铝陶瓷基片或微晶玻璃基片，溅射铂薄膜的厚度为８００ｎｍ，高温热处理１ｈ，可以获得电阻温度系数为３．８５０×１０－３／℃的铂电阻薄膜。     

光化学法沉积金属硫化物薄膜的研究进展

叙述了一种制备金属硫化物薄膜的新的光化学方法,并分析了该方法与传统化学方法制备金属硫化物薄膜之间的差别;根据影响光化学沉积的各种因素,对二元和多元金属硫化物薄膜的制备工艺研究进行了综述;对金属硫化物薄膜的光化学制备方法进行了展望.     

GeTe系非晶相变薄膜的制备及性能研究

介绍了用真空烧结和真空蒸发制备ＧｅＴｅ和ＧｅＴｅＳｂ非晶薄膜的工艺；从热力学的角度分析了发生相变时在两电极之间形成了晶化的导电丝，熵减少。讨论了Ｓｂ的加入对ＧｅＴｅ非晶薄膜性能的影响。利用电阻与温度的关系计算出ＧｅＴｅＳｂ的相变温度，计算结果与实验测定的相变温度接近。最后用衍射对ＧｅＴｅＳｂ薄膜进行了结构分析。     

非均匀等离子体覆盖下目标流场的透射特性研究

分析等离子体对电磁波的透射特性时,一般可以对等离子体鞘套进行分层处理,根据各层的媒质特性大致确定测控信号相位和幅度的变化,该方法通常只能处理空间结构分布相对简单的媒质,无法精确地分析复杂绕流流场。针对覆盖于目标的非均匀等离子体鞘套,采用色散媒质的时域有限差分方法较为准确地计算和分析了等离子体鞘套对不同频段测控信号的透射特性的影响。该方法具有计算精度高、可移植性强等优点;同时,所得到的数值分析结果对实际工程应用有一定的参考价值。     

等离子体隐身技术的研究

等离子体隐身是一种全新的隐身技术。建立等离子体隐身的基本模型,分别从折射效应和吸收衰减两方面论述了等离子体隐身的基本原理,通过理论分析和数值模拟,计算了电磁波等离子体中的衰减与等离子体碰撞频率、电磁波频率、等离子体厚度的关系。并对实现等离子体隐身进行研究,结果表明利用等离子体对雷达波隐身是可行的。