高速IGBT的二维数值分析

借助双极传输理论导出了高速绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）传输特性的物理模型。稳态时，其工作原理与普通ＩＧＢＴ完全相同，但瞬态时，由于Ｎ＋阳极对基区非平衡载流子的抽出作用，使其关断速度比普通ＩＧＢＴ大大提高。文中利用二维器件数值分析软件（ＰＩＳＣＥＳ－ＩＢ）对其稳态和瞬态工作特性进行了详细的模拟分析，获得了其工作时的浓度分布、电流分布等内部物理参数，并得到了它的关断时间Ｔｏｆ，其模拟结果与实验值比较吻合     

大功率IGBT参数建模与仿真分析

介绍了绝缘栅双极性晶体管的模型分类及常见的电力电子仿真软件,并分析了各自的特点.针对2 kV/2 kA全固态调制器组件设计中使用的大功率绝缘栅双极性晶体管(3.3 kV/1.2 kA),根据具体参数,建立了基于Saber的行为模型.重点分析了该模型的静态和动态特性仿真表现.通过对比手册参数曲线和实际测量结果,验证了该大功率绝缘栅双极性晶体管模型的有效性,为大功率脉冲电路的进一步分析和优化设计提供了参考.     

横向绝缘栅双极晶体管的电压电流特性分析

求解泊松方程和电子与空穴的连续性方程以计算横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)电压电流关系,获得在加有 p~+ 短路槽和 p~-/p~+ 衬底等结构下的伏安特性和正向电压值以及载流子寿命对它们的影响。计算在 MOS 管衬底区域的纵向和横向分布电子电导和空穴电导,发现电子电导与阳极电流具有相似的负阻特性。文中还对求解的 DN 法和 NR 法进行了讨论。     

1300V/20A绝缘栅双极晶体管IGBT

基于理论概括与实验研究,已经在N~-/N~+/P~+外延基片上获得了1300V/20A高性能IGBT;并进而指出了实现该器件互相关联的关键技术。它们分别是:优质厚层低缺陷密度异型硅外延材料的工艺制备,器件纵横向几何结构及工作参数的准确量化,和通过叠加组合形成的复合高压终端结构。