Eu2+对 Sr2SiO4:Eu2 荧光粉相变过程和发光性能的影响

采用高温固相法合成了Sr2SiO4:xEu2+荧光粉. 使用X射线衍射仪（XRD）和荧光分光光度计（PL）分析了Sr2SiO4：Eu2 荧光粉的晶体结构和发光性能. 结果表明：XRD谱中所有样品为β和α′-Sr2SiO4混合相,主相为β相,α′相为辅相.随着Eu2 浓度增大,β相向α′相转变.在310 nm激发下,所有样品的发射谱均在466 nm左右的宽蓝光区,在400 nm激发下发射光谱在位于532 nm左右的宽黄绿光区. 两个发射都来源于Eu2 部分取代Sr2SiO4晶格中两个不同的Sr格位,并且两个格位之间存在能量传递,导致两个发射带的存在.当Eu2 掺杂浓度为0.75﹪时,级联能量传递加剧,出现浓度猝灭现象.     

UV-LED用2(Sr,Ba)O-0.16B_2O_3-0.84P_2O_5:Eu~(2+)荧光粉

以SrCO3、BaCO3、H3BO3、Eu2O3和NH4H2PO4为原料,通过高温固相法,合成了2(Sr,Ba)O-0.16B2O3-0.84P2O5:Eu2+荧光粉。通过XRD图谱、激发和发射光谱、光色参数和相对亮度的测量,研究了Ba2+对荧光粉的晶体结构以及发光性能的影响。结果表明:2(Sr,Ba)O-0.16B2O3-0.84P2O5:Eu2+荧光粉属于四方晶系,晶胞参数随Ba2+摩尔含量增加而增大。Ba2+的引入可以显著提高荧光粉的相对亮度,同时,随着Ba2+摩尔含量的增加,荧光粉的发射主峰向短波方向移动,出现蓝移,其色坐标y值逐渐减小,有利于提高白光发光二极管的流明效率和显色指数。     

前驱体预烧-共沉淀法制备SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)发光粉体及其发光性能

采用助熔剂预烧-共沉淀法制备初始荧光亮度较高的SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光粉体,并利用XRD、SEM、PL光谱等表征手段研究了预烧结过程与硼酸掺杂对发光粉体的结构与荧光性能的影响。结果表明:在硼酸摩尔分数为0.3和300℃空气气氛下对前驱体预烧结2 h后,粉体的结晶性能得到改善,其初始荧光强度相对于未预烧的产品,提高了2倍多。初步研究了其发光机理,发现初始强度提高的原因是经过预烧结处理能够在Eu2+周围产生更多的氧缺陷,从而提高了发光中心的发光效率和强度。     

Sol-Gel法合成SrO-TiO_2-SiO_2:Eu~(3+),Bi~(3+)发光材料

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法合成了ＳｒＯ－ＴｉＯ_２－ＳｉＯ_２为基质、稀土Ｅｕ~（３＋）激活的发光材料;研究了材料的合成条件,测试了样品的激发光谱、发射光谱、Ｘ－ｒａｙ衍射光谱等;用ＴＧＡ－ＤＴＡ分析了样品合成时的反应行为;获得了合成样品的最佳组成及最佳实验条件。     

Sr2CeO4荧光粉的制备与发光性能研究

以铈、锶的碳酸盐与柠檬酸为原料用改良柠檬酸-凝胶法合成了Sr2CeO4荧光粉,用荧光光谱(PL)检测Sr2CeO4的发光性能.实验研究发现,用改良柠檬酸-凝胶法合成的Sr2CeO4荧光粉具有宽带光谱,发射光谱的最大峰位于467 nm;研究还发现,恰当的焙烧温度,加入少量硝酸铵有利于获得发光亮度高的Sr2CeO4粉末.     

两种新型Ce~(3+)/Sm~(3+)和Eu~(3+)激活的2CaO-Al_2O_3体系荧光体的制备及光致发光特性

采用自蔓延燃烧合成(SPCS)技术成功制备了两种新型Ce3+/Sm3+和Eu3+激活的2CaO-Al2O3体系荧光体,发光性质研究表明2CaO-Al2O3:Eu3+在598nm、618nm、650nm、699nm、718nm及749nm六组发射峰分别归属于Eu3+的5D0→7FJ(J=1,2,3,4,5,6)跃迁,其中来自于5D0→7F2的电偶极跃迁发射最强,产品在紫外光激发下发红光,体系中存在5D1,2和5D0之间的多声子驰豫作用;2CaO-Al2O3:Ce3+/Sm3+在576nm与622nm两组发射峰分别来自于4G5/2→6HJ(J=5/2,7/2)跃迁,产品在近紫外光激发下发红光.Eu3+和Sm3+离子在2CaO-Al2O3中主要占非反演中心格位.SEM显示样品表面光滑,结晶较好.     

Sr_(2.98-x)Al_2O_6:Eu_x~(2+),Dy_(0.02)~(3+)发光材料的制备与光学性能研究

采用快速燃烧法制备了Sr_(2.98-x)Al_2O_6:Eu_x~(2+),Dy_(0.02)~(3+)长余辉发光材料.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光测试(PL)、余辉特性测试及热释光特性测试(TL)对样品的物相结构、微观形貌及光学性能进行分析.结果表明,样品均为Sr_3Al_2O_6纯相且具有纳米花状形貌;当x=0.08时,样品的发光强度最大;Sr_(2.98-x)Al_2O_6:Eu_x~(2+),Dy_(0.02)~(3+)样品展现出较好的长余辉特性,原因是材料中具有合适的陷阱能级,其深度约为0.674eV.     

Co~(2+)对红霉素生物合成过程的影响

研究了红霉素生物合成过程中糖代谢相关的关键酶:己糖激酶、6-磷酸葡萄糖脱氢酶、磷酸果糖激酶和异柠檬酸脱氢酶,以及合成红霉内酯环前体甲基丙二酰CoA相关的酶:甲基丙二酰CoA异构酶和甲基丙二酰CoA羧基转移酶的时序变化,并测定了过程中有机酸的含量变化。实验表明:Co2+能大幅提高红霉素效价。这可能与Co2+能明显提高甲基丙二酰CoA异构酶与甲基丙二酰CoA羧基转移酶的比活,并在一定程度上促进糖代谢有关。     

固相化学反应研究(1) 外加阴离子盐对[Co(C_2O_4)(NH_3)_4]Cl热分解的影响

本文采用气相色谱逸出气体分析(EGA)法,配合红外光谱、X—射线粉末衍射等技术,研究了[Co(C_2O_4)(NH_3)_4]Cl与阴离子盐KY(Y=Cl,Br,I,CN,SCN)在氢气氛中的多组分固相反应,用Coats—Redfern公式计算了固相反应放出CO_2的动力学参数,得到活化能值与外加阴离子有如下顺序:Cl~->Br~->CN~->I~->SCN~-,固相反应机理均为成核生长机理(F1)。     

Eu~(2+)离子在碱土金属和稀土铌酸盐中的光致发光研究

为寻找新的发光基质材料,作者研究了在紫外线激发下,Eu~(2+)离子激活的4MO·Ln_2O_3·Nb_2O_3体系的激发光谱和发射光谱随组成变化的规律,并研究了 Eu~(2+)离子浓度对体系发光性能的影响。     

K_2PdX_4:Cu~(2+)超超精细参量研究

利用离子簇模型,建立了四角伸长八面体中3d9体系超超精细参量的微扰公式;在理论上得到了轨道混合系数、未配对自旋密度、平均共价因子等参量的关系,并应用于K2PdX4(X=Cl,Br)中的四角[CuX4]2?中心,理论与实验比较符合。与文献[4]相比,该文在计算公式上有所简化,并且调节参量数目进一步地减少,因而具有较好的适用性。     

铅离子胁迫对小麦萌发的影响

[目的]研究了不同浓度铅离子胁迫对不同品种小麦种子萌发和生理特性的影响。[方法]以宿70141、宿553和宿7078为供试小麦品种,通过播种和发芽试验研究了铅离子对小麦萌发的影响。[结果]在同等浓度铅离子胁迫下,宿7078的发芽率和出苗率相对较高,且其根系最发达;宿7078和宿553比宿70141的叶绿素含量高,说明这2种小麦的光合性能比宿70141强;宿7078的脯氨酸含量最低;3个供试小麦品种中宿7078 M DA含量最低,表明宿7078对铅离子胁迫的抗性最强。[结论]铅离子明显抑制小麦的萌发;宿7078的抗逆性最好。     

LaSrAlO_4中Cu~(2+)的自旋哈密顿参量的理论分析

根据晶体场理论,利用3d~9离子在四角对称(伸长八面体)中自旋哈密顿参量g因子的四阶微扰公式以及超精细结构常数A因子的三阶微扰公式,对掺Cu~(2 )的LaSrAlO_4晶体的自旋哈密顿参量作出了理论分析。其中的四角晶场参量D_s、D_t由重叠模型和杂质中心的局部结构计算,A因子公式中的芯区极化常数κ≈0.286。所得到的计算值与实验符合较好,并从理论上确定了A//为负值。     

PET/SiO_2/TiO_2纳米复合材料的合成及其光降解性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)/二氧化硅(SiO2)/二氧化钛(TiO2)纳米复合材料,利用红外光谱(IR)、乌氏黏度计表征了该复合材料的分子结构和特性黏度,并测定其在紫外光下的光降解性能.实验表明,PET/SiO2/TiO2体系中存在Si-O-Ti键,并与PET基体作用形成PET/SiO2/TiO2纳米复合材料;该复合材料的特性黏度随体系中SiO2-TiO2含量增加而降低;在紫外光下,SiO2和TiO2纳米颗粒的引入可有效地提高PET的光降解性能.     

锐钛矿中填隙V~(4+)的EPR参量的理论研究

采用离子簇模型,通过分析配体轨道和旋轨耦合作用的贡献,建立了改进的3d1离子在四角畸变八面体中电子顺磁共振(EPR)参量的微扰公式,能级间距可由重叠模型和局部结构数据给出。将该公式应用于锐钛矿(TiO2)中填隙V4+离子的EPR谱,讨论了配体轨道和旋轨耦合作用以及共价效应对EPR参量的贡献。理论结果与实验符合得很好,且比前人的计算,尤其是g∥和A∥有明显的改进,说明对这类共价性较强的体系,配体轨道和旋轨耦合作用的贡献不能忽略。     

LiF和AgCl中四角的V~(2+)中心的缺陷结构研究

基于离子簇近似下四角场中3d3离子EPR参量的微扰公式,通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V2 中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究,提出V2 在LiF和AgCl中的缺陷结构模型,即处于杂质离子与C4轴方向上VC间的配体将由于VC的静电排斥作用而朝靠近杂质离子的方向上位移一段距离?Z。根据上述缺陷结构模型得到的EPR参量理论值与实验值吻合较好。