Ta/Al合金薄膜中功率衰减器的研究

介绍了一种用于微波电路的中功率薄膜衰减器。该衰减器是由铝原子含量为50％的Ta/Al合金薄膜制成。其性能优良。     

工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响

Ａｌ原子含量约为５０％的Ｔａ／Ａｌ合金薄膜具有优良的电阻性能。使用直流共溅射的方法制作这种薄膜，靶极采用了Ａｌ面积为４５％的Ｔａ／Ａｌ复合靶。研究了工艺参数如溅射气压、溅射电压以及热处理条件等因素对该薄膜的性能影响。结果表明，这种Ｔａ／Ａｌ合金薄膜能用于制作功率稳定的电阻器或电阻网络。     

直流磁控溅射铂电阻薄膜

根据薄膜理论和通过成膜工艺实验，研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。１）对铂靶材料的纯度要求高，含杂质极少；２）淀积薄膜要有一定厚度，通常近于１μｍ才能有较大的α；３）成膜以后，需经过高温热处理，减少缺陷，结晶化改善。通过大量实验，使用高铝陶瓷基片或微晶玻璃基片，溅射铂薄膜的厚度为８００ｎｍ，高温热处理１ｈ，可以获得电阻温度系数为３．８５０×１０－３／℃的铂电阻薄膜。     

Ta/Al合金薄膜TCR的方差分析

在用直流共溅射法制备Ｔａ／Ａｌ合金电阻薄膜的工艺中，研究了主要工艺参数，例如靶基距、气压、溅射电压和热处理时间等对薄膜电阻温度系数（ＴＣＲ）的影响。采用方差分析和正交试验方法获取薄膜的最佳工艺条件和ＴＣＲ值。结果表明只要适当选取和很好控制四种主要工艺参数就可以制出ＴＣＲ性能优良的Ｔａ／Ａｌ合金薄膜，同时证实了方差分析法行之有效。     

T型非线性电阻网络功率转移图的图解法

本文论述了利用非线性电阻的伏安特性，作出T型非线性电阻网络中任一元件的功率转移图的图解法．     

含氮氟化非晶碳(a-C∶F∶N)薄膜电学性能的研究

用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜,用电桥测试薄膜的介电常数,研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响.结果表明:掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升.     

PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征

提出了一种制备纳米量级铁电聚合物PVDF/PDDA超薄膜的新方法。聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)和极化处理后的聚偏氟乙烯(PVDF)复合超薄膜是通过层与层的静电自组装(LbL-SA)方法制备的,厚度约30～150nm,每层膜厚度约为9nm。PVDF/PDDA多层膜通过石英晶振微天平(QCM)、红外频谱仪、原子力显微镜(AFM)进行了测试与表征。QCM表征结果表明,PVDF与PDDA超薄膜能较好地交替组装;AFM表明PVDF/PDDA聚合物超薄膜的表面均匀、薄膜致密。与PVDF厚膜的电阻性能相比,PVDF/PDDA复合超薄膜的电阻性能有了很大提高。     

小型风力发电系统最大功率控制的扰动法

本文给出厂结构简单、成本低、可靠性高的小型风力发电系统结构，提出了实现最大功率控制的扰动法，基于状态平均模型进行了仿真研究，仿真结果验证了最大功率控制扰动法的正确性和可行性。     

异步电机双闭环串级调速系统研究

本文利用串级调速系统，使绕线式异步电动机实现高性能调速。用转子串反电动势来代替电阻，吸收转差功率，用双闭环控制提高系统的静、动态性能，分析设计了用附加电动势的方法将转差功率回收利用进行调速的双闭环串级调速系统。     

GeTe系非晶相变薄膜的制备及性能研究

介绍了用真空烧结和真空蒸发制备ＧｅＴｅ和ＧｅＴｅＳｂ非晶薄膜的工艺；从热力学的角度分析了发生相变时在两电极之间形成了晶化的导电丝，熵减少。讨论了Ｓｂ的加入对ＧｅＴｅ非晶薄膜性能的影响。利用电阻与温度的关系计算出ＧｅＴｅＳｂ的相变温度，计算结果与实验测定的相变温度接近。最后用衍射对ＧｅＴｅＳｂ薄膜进行了结构分析。     

基于ANSYS的硬质氧化铝薄膜／铝合金基体系统热屈曲变形有限元分析

假设薄膜和基体界面处于理想结合状态下，且不考虑薄膜中缺陷的影响，采用有限元软件（ANSYS8．0）分析了（5～30）μm厚氧化铝薄膜／铝合金基体系统中的热屈曲变形．结果表明：矩形薄板热屈曲后的拱高值随薄膜厚度的增加而增加，弦长和曲率值则随薄膜厚度的增加而减小．对应于（5～30）μm厚度区间，拱高变化量分布在（0．0681～0．2876）mm范围内，弦长变化量分布在（0．05817～0．05536）mm范围内．氧化铝薄膜／铝合金基体系统翘曲变形的曲率值分布在（1091～4610）mm的范围内，且曲率随薄膜厚度变化的非线性特征显著．矩形薄板z方向位移Ux和z方向位移Uz均是关于y轴对称的．另外，根据Uz的变形特点可知拱顶位于x=0处，该处弯曲程度最为严重，易造成氧化铝薄膜开裂而失效．     

YBCO薄膜不同位错的研究

研究了一系列不同Tc值的YBCO薄膜样品高分辨率的X射线衍射.计算了在平面中扭曲和在平面外倾斜的两种不同螺纹的位错,发现在平面中的螺旋位错的扭曲比感光底层正常倾斜对Tc的值更加敏感.在YBCO薄膜的Tc值随着不同伯格斯(Burgers)矢量对位错施加了不同的影响.在薄膜中的螺旋位错强烈地影响YBCO的性质.     

ZnO:Al薄膜性质研究

采用溶胶-凝胶法在硅(100)和玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(ZnO:Al)薄膜.当掺Al3 浓度小于或等于15%时,得到的薄膜均为单一c轴取向.c轴晶格常数随掺Al3 浓度的增加逐渐减小,当掺Al3 浓度增至15%时,薄膜c轴晶格常数值减小约0.56%.薄膜的光学带隙随掺Al3 浓度的增加而增大,掺Al3 20%的薄膜光学带隙达到3.99 eV.O1s结合能随掺Al3 浓度的增加而增大.     

不同掺Al~(3+)浓度的ZnO:Al薄膜性能研究

采用溶胶-凝胶法制备ZnO:Al(ZAO)薄膜,得到了不同掺Al3 浓度的ZAO薄膜;利用X射线衍射仪分析、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计及四探针法等仪器与方法对其性能进行了测试。通过分析比较,得出所制备的ZAO薄膜为多晶纤锌矿结构,薄膜表面平整、晶粒致密均匀;Al3 掺杂能提高其导电性能:低掺杂时,薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过80%,并伴有蓝移现象产生;高掺杂时,其透过率无明显增加,但蓝移现象加剧,最大蓝移量达340nm。     

氮化硅薄膜热性能测试研究

提出了一种可以测试氮化硅薄膜热导、热容的方法。该方法采用微机械加工技术制作成悬空结构,利用Pt薄膜来做加热与测温电阻。设计了合理的测试方案来减小测试过程中Pt薄膜附加热导、热容带来的影响。用Matlab模拟了结构的热响应特性。在Pt薄膜中通入直流电流后,桥面温度逐渐升高,最终达到稳定,在相同的电流输入下,微桥的热容、热导越大,桥面的温升越小。讨论了无效加热电阻和微结构加工工艺对测试精度的影响,并给出了提高测试精确度的方法。     

PEDT导电聚合物气敏特性研究

采用化学聚合法制备了导电聚合物3,4-乙烯二氧噻吩膜,利用扫描电子显微镜和傅里叶变换红外光谱法对薄膜的光学成分及形貌进行了分析。采用叉指电极结构研制出了3,4-乙烯二氧噻吩薄膜气体传感器,研究了3,4-乙烯二氧噻吩薄膜气体传感器对有毒气体NO2和NH3的敏感特性以及其自身的温度特性。结果发现,3,4-乙烯二氧噻吩薄膜气体传感器对低浓度的NO2和NH3都具有很好的敏感特性。该文还对3,4-乙烯二氧噻吩薄膜对NO2和NH3两种气体的敏感机理进行了详细的讨论。     

氮化铝(AIN)薄膜的光学特性研究

研究了宽禁带Ⅲ－Ｖ族化合物半导体氮化铝（ＡＩＮ）薄膜的折射率及其热光特性,采用棱镜──薄膜耦合装置和自动温控光波导测试仪,测出不同温度下氮化铝薄膜的波导特性,利用迭代法可得到ＡＩＮ的折射率与温度变化的关系,并首次测得了ＡＩＮ薄膜的热光特性。     

长周期光纤光栅薄膜传感器研究

采用耦合模理论建立了长周期光纤光栅薄膜传感器的理论模型，分析了其传感机理，并进行了实验研究，给出了初步的气敏实验结果．研究结果表明，光纤光栅包层外所镀敏感薄膜的光学参数(厚度和折射率)与传感器的灵敏度高低有直接关系，传感器的结构优化非常必要．长周期光纤光栅薄膜传感器具有薄膜传感器和光纤传感器的优点，具有广阔的应用前景．