具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型

基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。     

基于数字全息术的粒子定位测量

将数字全息术应用于粒子场测试,数字全息术中采用电荷耦合成像器件CCD记录全息图,采用计算机模拟再现所记录的粒子场中粒子的一些定量信息.阐述了同轴数字全息的基本概念、原理、方法及其在粒子定位测量中的应用,并进行了计算机仿真与实验研究,证明了该方法的适用性.     

熔锥光纤定向耦合理论

提出了一种分析熔锥光纤定向耦合器及其衍生器件的新数理模型。通过把基模场的高斯理论发展到双包层光纤,并采用正态分布函数来描述耦合区的几何形态,较为完善清晰地反映了模场及边界的渐变特性。导出了本地标量场耦合系数的简洁解析式及其矢量修正式。具体器件的理论计算与实验相符较好。     

提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构

研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同时，深阱终端结构在不减小散热面积的情况下，还大大减小了结面积，减小了漏电流，有助于改善器件的频率特性，提高器件的稳定性。     

Λ≠0理想流体源的爱因斯坦场方程的宇宙学解

本文讨论方程为P=γρ^Γ且Γ=2时引力源为理想流体的爱因斯坦场方程在宇宙因子Λ≠0时的宇宙学解。     

英/法语学习者与场独立/场依存型认知风格关系研究

认知风格与外语学习者之间的关系已成为国内外学者关注焦点。研究选取52名英/法语学习者为调查对象,对其进行认知风格（场独立/依存/混合型）测试,采用定量计算与定性分析相结合的方法,分别分析场独立/依存/混合型学习者与英/法语成绩之间的关系。结果表明,认知风格与外语成绩有一定的相关性,且与场依存型学习者相比,场独立/混合型学习者与英、法成绩的相关性更加显著。因此,外语教学中可根据不同类型学习者的特点制定不同的教学计划和方案。     

弯曲光波导的本地场理论

本文从弯曲光波导的本地正交弯曲坐标系出发,展开MaxweII方程组,并借助于函数变换和普通小参数展开法导出了在o(1/R)近似下的弯曲光波导的修正场本地方程及修正传播常数。以圆光纤为例,讨论了一阶近似本地场形式及基模场在最大值处的场位移。与一些文献作以比较,我们的计算与数值方法相一致。本理论的特点是利用相应直波导的已知场来构造弯曲光波导的本地场,故本理论适应于分析任意截面,亦满足于在弱导条件下的弯曲光波导。     

真空微电子微三极管特性的计算机模拟

用计算机模拟方法研究了真空微电子场致发射微三极管的特性，建立了数理模型。用差分方法求解泊松方程，以福勒──诺德海姆理论处理场致发射特性。细致处理了阴极表面电场，考虑了空间电荷效应的影响，并对模拟结果进行了分析讨论。     

状态方程为P=γρ~г的理想流体源爱因斯坦场方程的R-W宇宙学解

状态方程P=γρ~Γ是比P=nρ更一般的模型,本文讨论方程为P=γρ~Γ,引力源为理想流体的爱因斯坦场方程,在R-W度规下无宇宙因子时的解,这个解原则上应包括与P=nρ对应的解,因此,应该更具有适应性。     

场量子及其薛定谔波的物质属性

由R =2π/λ=1/r =P/定义场量子的量子曲率,则量子曲率为场量子建构了一个可认知的"空间形态".在量子伴生空间r是场量子的空间占位,在外部物理空间r=△x则是"点量子"的位置测不准量.同点粒子抽象一样,量子曲率R是对与场量子相伴生的波动物质形态的抽象,而且点粒子抽象只是量子曲率R=∞的特例.     

数值模式匹配法解波导混合模问题

针对任意非均匀介质填充波导问题，用数值模式匹配法进行了全波分析，给出了波导中电磁场的完整表达式和色散方程。所导出的公式皆为不含任何积分的代数运算，从而具有精度好效率高的优点。最后以部分介质填充波导为例进行了计算，所得结果与文献报道吻合一致。     

高压半导体器件电場的二維数值分析

本文介绍了作者们为高压半导体器件的电场分布所编制的模拟程序,此程序是从泊松方程的积分形式出发的.对高压器件模拟程序中的溢出问题提出了一个解决办法.利用此程序对横向功率MOS结构的电场分布进行了模拟分析,得到了有益的结果.显然这一研究对高压器件和高压集成电路极为有益.     

d轨道相对能量的应用

根据ｄ轨道的相对能量计算了配体场稳定化能，比较成功地解释了某些配合物的热力学稳定性、动力学反应性和光谱现象     

几种传输线的场分布

求开放平板线、外正三角形內圆同轴线、外方內圆同轴线、外正六边形內圆同轴线的特性阻抗而建立的精确保角变换的基础上,本文进一步讨论了显式逆变换函数,从而求得了这几种传输线的场分布的闭合表达式。由于所用保角变换的精确性,所得的显式场分布在内导体和外导体的内接圆尺寸之比小于0.5in。基本上是准确的,在这个尺寸比稍大些时也可作为参考。这些场分布对于了解传输线的功率容量,计算衰减常数,考虑功率耦合,设计有关的有源器件等都是必不可少的。文中获得的几种传输线的场分布的显著特点是计算方便,在一般实用范围內有足够的精度。     

从现代奥运会看世界田径运动的创新与发展

推动世界田径运动发展的因素有内在和外在两种动力因素,内在动力因素是田径专项训练理论的发展与成熟,外在动力因素是各项运动技术的改进与完善、训练方法的变革与创新和运动场地器材设备的研制与革新,本文从现代奥运会出发重点论述了其外在动力因素。     

外电场对压力下有限深量子阱中杂质态结合能的影响

考虑压力及屏蔽效应,利用变分法讨论外电场下有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AL0.3Ga0.7As量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随阱宽和电场强度的变化关系,并讨论了有无压力和屏蔽时的区别.结果显示,施主结合能随电场强度增加或减少既依赖于杂质位置的不同又依赖于阱宽的不同,电场强度对杂质态的结合能影响也与压力及屏蔽有关.     

汽泡周围温度场的观测

本文利用光测技术的新发展，针对流动核态沸腾中汽泡温度场观测的一系列难点．提出了解决的力案，并成功地观测厂汽泡温度场，这为研究性态流动沸腾的机理打下了基础．     

磁场力作用下金属液体流动的数值模拟

对电磁力作用下的金属液体流动,建立了合理的数学模型,并数值模拟了流场情况。结果表明,磁场力可明显改变旋涡的形状。     

一种评估光学系统焦深范围的方法

本文提出绘制特征孔径的子午和弧矢场曲曲线的方法,用以控制各种象差的平衡,达到纵观光学系统焦深范围的目的。