简易晶体管特性图示仪

介绍了一种以单片机为核心，结合普通双踪示波器的简易晶体管特性图示仪，对该仪器的结构组成框图和软硬的设计作了较详细的介绍。     

专栏评述

◎评《提高SoC硬件系统验证效率方法的综述》在当前的SoC设计中,复杂的系统结构和50亿只晶体管的集成规模使得验证成为最关键也是最耗时的环节,占整个设计周期的比重高达70%。有效验证问题已成为SoC设计的一个重要主题,国内外学者和研     

刍议化学平衡的等效问题

在微波功率器件中,GaAs HEMT的应用成熟.本文探讨了对GaAs HEMT大信号进行研究.     

贴士帮你

摩尔定律 摩尔定律是微软创始人摩尔在1965年提出的，芯片中的晶体管和电阻器的数量每年会翻番，原因是工程师可以不断缩小晶体管的体积。这就意味着，半导体的性能与容量将以指数级增长，并且这种增长趋势将继续延续下去。1975年，摩尔又修正了摩尔定律，他认为每隔24个月，晶体管的数量将翻番。因此，微处理器的处理能力每18个月到24个月将增加一倍。     

阻容耦合放大器低频特性的研究

运用节点法和晶体管参数等效电路,对单级阻容耦合晶体管共射极放大器的低频特性进行了分析,说明教材中提供的分析方法不能用于讨论放大器的低频特性.     

SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究

基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入,最终建立了SiC MESFET工艺的模型库。该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等,可进行直流、散射S参数和谐波平衡等ADS软件中的仿真器。该模型在国内SiC MESFET工艺线上的验证结果表明模型具有较好的精度。     

一条妙计救索尼

1956年2月的一天,日本索尼公司的副总裁盛田昭夫又一次来到美国。这已经是他第一百次跨越太平洋,寻找产品的销路。身材矮小的盛田昭夫带着小型晶体管收音机,顶着凛冽的寒风,穿街走巷,登门拜访那些可能与索尼公司合作的零售商。     

1000VMOSFET用常规低压工艺的实现

采用常规低压集成电路工艺实现了耐压达１０００Ｖ的高压横向ＭＯＳＦＥＴ，详细介绍了该高压横向ＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、工艺技术及测试结果。文中从实验和分析的角度上首次探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅长度对该高压横向ＭＯＳＦＴ击穿电压的影响。     

晶体管的小型化与科技进步

当代信息技术的迅猛发展得力于晶体管的小型化,而晶体管的小型化又依赖于科技进步。从分立晶体管的三个发展阶段———点接触晶体管,扩散平面型晶体管和金属—氧化物—硅晶体管,到集成电路再到今天全新结构的万亿赫兹纳米晶体管,小型化这条红线贯穿始终,它的每一步都离不开科技发展的事实,晶体管小型化与科技进步紧密相连。     

晶体管超声雾化器的注意事项、常见故障及检修

目前，用于医疗上的超声雾化器，是临床不可缺少的常规医疗器械，是呼吸道给药的很好方式。由于临床使用频繁，故障率也较高，下面就一些注意事项、故障现象及检修方法做以下讨论。