晶体管的小型化与科技进步

当代信息技术的迅猛发展得力于晶体管的小型化,而晶体管的小型化又依赖于科技进步。从分立晶体管的三个发展阶段———点接触晶体管,扩散平面型晶体管和金属—氧化物—硅晶体管,到集成电路再到今天全新结构的万亿赫兹纳米晶体管,小型化这条红线贯穿始终,它的每一步都离不开科技发展的事实,晶体管小型化与科技进步紧密相连。     

1300V/20A绝缘栅双极晶体管IGBT

基于理论概括与实验研究,已经在N~-/N~+/P~+外延基片上获得了1300V/20A高性能IGBT;并进而指出了实现该器件互相关联的关键技术。它们分别是:优质厚层低缺陷密度异型硅外延材料的工艺制备,器件纵横向几何结构及工作参数的准确量化,和通过叠加组合形成的复合高压终端结构。     

蓄电池测试装置中大功率晶体管散热的研究

在介绍蓄电池测试装置主电路的基础上,设计出水冷散热及强迫风冷散热器;并对两种散热效果进行了分析与比较。     

MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究

在分析热电子效应与辐射效应在ＭＯＳＦＥＴ产生界面态关系的基础上，给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对ＭＯＳ器件热电子退化效应进行研究的方法和采用该方法对１μｍ工艺Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行热电子退化效应的研究结果，并对热电子退化与偏置的关系进行了讨论，得到了确定热电子退化寿命的快速而简便的方法。     

晶体管稳压电源的过流保护

本文介绍串联型晶体管稳压电源的过流保护原理及限型、截止型的各类典型电路及主要件参数的调整规律。     

大功率IGBT参数建模与仿真分析

介绍了绝缘栅双极性晶体管的模型分类及常见的电力电子仿真软件,并分析了各自的特点.针对2 kV/2 kA全固态调制器组件设计中使用的大功率绝缘栅双极性晶体管(3.3 kV/1.2 kA),根据具体参数,建立了基于Saber的行为模型.重点分析了该模型的静态和动态特性仿真表现.通过对比手册参数曲线和实际测量结果,验证了该大功率绝缘栅双极性晶体管模型的有效性,为大功率脉冲电路的进一步分析和优化设计提供了参考.     

找寻方法

最优秀的员工最注重找方法最优秀的人,往往是最重视找方法的人。他们相信凡事都会有方法解决,而且总是有更好的方法。主动寻找方法并能找到办法解决问题的人,总是社会的稀有资源。不管是过去还是现在,不管是国内还是国外,只要有这样的人出现,他们就能够     

調制摻杂場效应晶体管的研制与測試

对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行了微波测试。在4GHz下,最小噪声系数为2.49dB,最大功率增益为10.2dB,在国内尚未见到类似报导。     

E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制

本文对 E/D 型 MODFET 直接耦合倒相器进行了设计与研制。利用国产分子束外延设备制备的 Al_xGa_(1-x)As/Ga As 调制掺杂外延材料,采用常规化合物半导体工艺,获得了具有正常逻辑输出功能的 MODFET 直接耦合倒相器。这对国内开展 MODFET 数字电路的研究与开发具有实际意义。     

BSIT组合器件

本文研制了BSIT组合器件,它是由BSIT和BJT组合而成的一种复合器件,具有开关速度高、功率容量大、h_(FE)的温度稳定性好等优点,可用于低压开关电源、优质脉冲功率源和高低温恶劣环境下的仪表等场合。