微波振荡器相位噪声的非线性电流源分析法

提出了一种微波场效应晶体管振荡器相位噪声新的分析方法,该方法利用非线性电流源法分析振荡器基波和各次谐波的稳态响应和相位噪声特性,把稳态响应分析与相位噪声分析有机统一起来,便于微波振荡器综合性能的ＣＡＤ 优化设计。经验证,计算机辅助分析结果与传统分析方法的结果相一致,证明了该方法的正确性     

企业突破性技术创新的管理方法

当电子管生产企业正孜孜不倦地致力于渐进性创新时,晶体管的出现几乎击溃了所有的电子管生产企业;当瑞士科技人员和企业家正精益求精地进行着渐进性创新以提高机械表的性能时,日本石英钟技术给瑞士的钟表业以致命的一击,而这种技术恰是当年从瑞士流出的.     

创新人才的成长——以伟大的物理学家John Bardeen成长为例

一、John Bardeen简介 今年是John Bardeen诞生100周年,而去年是他发现晶体管的60周年,也是建立低温超导理论的50周年。他参加了这两项伟大发现的研究,做出了杰出贡献,所以他也成为唯一在同一个领域里获得两次诺贝尔物理奖的科学家。大家知道,最伟大的物理学家当然是爱因斯坦,但爱因斯坦也只获得过一次诺贝尔奖。John Bardeen,我不知道有多少同学知道,大家对他的了解恐怕不及对爱因斯坦的了解。正是因为他跟爱因斯坦的不同,他很值得我们大家向他学习。我今天就来讲讲他的故事。     

一条曲线救索尼

1956年2月的一天,日本索尼公司创始人盛田昭走又一次来到美国。他带着小型晶体管收音机,走街串巷,登门拜访那些可能与索尼公司合作的零售商。     

晶体管多级放大器教学思考

晶体管多级放大器,是应用晶体管三种基本放大电路各自的特点,再根据信号源和负载的特性巧妙地组合形成的电路。它既要有高的放大倍数,又要有合适的输入、输出电阻,并能稳定正常地工作满足实际需求。这部分内容实用、重要、综合性较强,学生感到难学,可从文中所述的方面努力来提高其教学效果。     

高速IGBT的二维数值分析

借助双极传输理论导出了高速绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）传输特性的物理模型。稳态时，其工作原理与普通ＩＧＢＴ完全相同，但瞬态时，由于Ｎ＋阳极对基区非平衡载流子的抽出作用，使其关断速度比普通ＩＧＢＴ大大提高。文中利用二维器件数值分析软件（ＰＩＳＣＥＳ－ＩＢ）对其稳态和瞬态工作特性进行了详细的模拟分析，获得了其工作时的浓度分布、电流分布等内部物理参数，并得到了它的关断时间Ｔｏｆ，其模拟结果与实验值比较吻合     

α-Si∶H/Si异质结双极型晶体管的研制

报导了采用平面工艺制作a-Si∶H/C-Si HBT的基本工艺和测试结果。在Si-HBT的研制中,取得了H_(FE)=60、∫_r=530MHz的良好结果。     

晶体管温度传感器的特性研究

本文分析了晶体管温度传感器的非线性大小,它不但与工作点的选择有关,还与晶体管的工艺参数和结构有关。本文提出了提高互换性的途径。测试结果表明:在0～100℃温区内,最小非线性误差为0.2℃,互换性误差最大为5℃。     

a-Si:H FET特性理论新分析及验证

本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ_(GS)与表面电势φ_S 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并制出α-Si:H MOS FET 样品,测试结果表明理论与实验能较好吻合.