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51.
本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ_(GS)与表面电势φ_S 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并制出α-Si:H MOS FET 样品,测试结果表明理论与实验能较好吻合. 相似文献
52.
求解泊松方程和电子与空穴的连续性方程以计算横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)电压电流关系,获得在加有 p~+ 短路槽和 p~-/p~+ 衬底等结构下的伏安特性和正向电压值以及载流子寿命对它们的影响。计算在 MOS 管衬底区域的纵向和横向分布电子电导和空穴电导,发现电子电导与阳极电流具有相似的负阻特性。文中还对求解的 DN 法和 NR 法进行了讨论。 相似文献
53.
介绍了西德MAT公司F—MAT251同位素固体质谱仪离子源加速器高压电源中分压电阻棒的制作工艺和高压逆变器用逆变晶体管的代换的两个维修难题的突破。 相似文献
54.
本文介绍笔者研制的脉宽调制（PWM）300W开关稳压电压的电路，原理及部分电路的设计、调度方法，该机具有输出电流大、成本低、实用性强的特点。 相似文献