1000VMOSFET用常规低压工艺的实现

采用常规低压集成电路工艺实现了耐压达１０００Ｖ的高压横向ＭＯＳＦＥＴ，详细介绍了该高压横向ＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、工艺技术及测试结果。文中从实验和分析的角度上首次探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅长度对该高压横向ＭＯＳＦＴ击穿电压的影响。     

企业的国际供应链运作研究

本文重点分析了企业国际化供应链运作机制和供应链运作的IMCBKVW—7F模式，以中国苏州地区的笔记本电脑制造业为例，分析了国际供应链的实际运作，并由此得出一些有意义的结论。     

考虑地基非线性的框架—筏基—土共同作用分析

采用有限元法,对空间框架－筏基－土系统进行分析,着重引入Ｋ－Ｇ模型,以及地基上的非线性特征。通过典型算例,分析了非线性对系统内力场和位移场的影响,研究了该模型的合理性。     

初等r-循环矩阵的几个性质

给出了初等ｒ－循环矩阵可逆的充要条件及逆矩阵的表达式;对奇异的初等ｒ－循环矩阵给出了Ａ的一个ｇ－逆Ｇ（满足ＡＧＡ＝Ａ,ＧＡＧ＝Ｇ）及Ｍｏｏｒｅ－ｐｅｎｒｏｓｅ广义逆矩阵的表达式．     

关于平面Navier—Stokes流的估计

本文在外力ｆ∈Ｌ２（Ω×（０,Ｔ））的较一般情形得到平面Ｎａｖｉｅｒ－Ｓｔｏｋｅｓ流的关于ｔ‖ｖｘ（ｔ）‖２的估计,改进了О．А．Ладыженская,Ｐ．Ｃｏｎｓｔａｎｔｉｎ与Ｃ．Ｆｏｉａｓ的已有结果。     

基于规范场理论的技术创新网络知识时空测度

基于分形的技术创新网络的数学描述,解决研究方法中个人主义与集体主义的冲突;在此基础上,将技术创新网络中不同结点间的相互作用抽象为对应的主丛联络,分别建立技术创新网络知识时空在不同结点处的时空曲率和时空温标的数学结构,并进一步对其进行经验解释.研究表明,对技术创新网络的分形描述可以克服不同层次技术创新网络研究中集体主义与个人主义的冲突,引入知识规范可以形成知识时空,研究知识时空可以决定真实世界的技术创新活动;知识时空是对应技术创新过程中信息场与其上面特定的结构形成的,可以与信息流结合研究技术创新过程中创新企业之间的交互作用;知识时空的曲率特征刻画技术创新网络中特定知识对外部信息(不确定性)的作用,而知识时空温标特征刻画技术创新网络的能量状态,并进一步确定创新网络知识的有序状态.     

脉宽调制型DC—DC变换器的线性描述函数分析法

介绍了一种分析开关变换器的新方法－线性描述函数法的理论证明及实验结果,这种方法具有精确度高的优点。