固体电解质研究的实验方法及原理

文章从固体电解质的加工制作、电导率测定、结构分析等方面入手，阐述了对其研究的一般实验方法及相应原理。     

主要放射工作场所监测结果分析

目的了解各类放射工作场所放射卫生防护现状,探讨放射防护管理模式。方法收集2005年我省部分放射工作单位工作场所空气吸收剂量率,通过数据统计和现场调查相结合进行分析。结果核医学工作场所空气吸收剂量率最大,核仪表工作场所空气吸收剂量率最小。结论应将核医学工作人员列为放射性健康监护重点人群,加大医疗机构放射卫生监督执法力度。     

Al -Zn -Mg -Cu 合金晶格应变场的研究

对热处理后Al-Zn-Mg-Cu合金的晶格应变场的定量测量,可以较准确地揭示铝合金的强化机理。本文分别使用X射线衍射与会聚束电子衍射技术对在120℃时效处理14小时的Al-Zn-Mg-Cu合金产生的晶格应变进行测量计算。研究结果表明：通过X射线衍射与会聚束电子衍射测量 Al -Zn -Mg -Cu 合金的有效应力分别为105．44MPa 和110MPa,且会聚束电子衍射可以弥补X射线只能测量平均宏观应变的缺点,实现了铝合金微区晶格应变场的实际测量。这两种方法配合使用,为进一步揭示Al-Zn-Mg-Cu合金的强化机制奠定了基础。     

基于逆γ偏正态分布的Tobit回归模型

Tobit模型是一种应用很广泛的截尾回归模型,并假定其误差项服从正态分布.相对于对称分布,偏态分布能获得更全面准确、及时有效的信息.基于此,文章提出了基于逆尺度因子偏正态分布的Tobit回归模型,并给出了该模型参数的极大似然估计,通过数值模拟与正态假设下的Tobit模型进行比较,结果表明该模型和方法是有用和有效的.     

简化Newton法在仿射反变条件下的半局部收敛性

通过引入仿射反变的γ条件,研究了简化Newton法的收敛行为,得到了相应的半局部收敛性及误差估计,其中的收敛结果是基于优序列法分析得到的,从而对仿射反变条件的应用作了进一步深化.     

复杂多散射环境下EM-TRM成像技术应用研究

将电磁时间反转(EM-TRM)技术与射线追踪(Ray-tracing)方法相结合,建立了复杂多散射环境下隐蔽目标成像模型。通过该模型开展了数字仿真,分析了模型环境的多散射效应,并对单目标和多目标的情况进行EM-TRM成像实验。仿真结果表明,在复杂多散射背景下,EM-TRM技术可对隐蔽目标实现高分辨和高对比度的成像。     

高效率馈源HE_11~0口径辐射的复源点场模拟

高效率馈源，口径分布所产生的辐射可以用复源点场有效地表示，文中导出了对给定馈源确定其等效义源点在参数的公式，并以口径场菲涅尔变换及角谱等方法为参考，通过数值计算比较了它们在口径面上、辐射近区及远区场分布的差别。     

基于γ散度的单元水平模型小域稳健估计

在基于抽样调查数据对总体参数进行估计的方法中,小域估计方法能够借助于辅助信息对小样本乃至无样本区域的参数进行有效的估计,并被广泛应用于抽样估计领域。单元水平模型作为小域估计的基本模型之一,是处理单元级别数据估计的有力工具之一。在单元水平模型的应用条件中,需假定区域随机误差和模型随机误差均服从正态分布。然而,在抽样调查中,满足这一条件的调查数据是很少的,尤其是在观测数据中出现离群值时。不满足正态性假设条件下的小域估计量会产生较大的偏差和均方误,因此有必要研究针对正态性假设和离群观测值不敏感的稳健估计方法。通过引入γ散度和γ似然函数,构建了基于单元水平模型的小域稳健估计方法,得到了模型参数的稳健估计和小域目标变量的稳健估计。与现有的稳健估计方法相比,所提新方法能更好地处理区域随机误差和模型随机误差非正态的情形,对于目标变量存在离群观测的情形,具有更好的稳健性,估计均方误更小。在利用模拟数据进行验证中,比较了不同误差分布情形下几类常用估计方法得到的估计量的均方误差,并进一步探究了随着污染分布的方差和比率变化,所得估计量的均方误差变化情形。最后,通过应用于经典的小域估计数据,进一步验证了所提新...     

宁德核电厂外围环境γ辐射水平监测研究

该文介绍2013—2015年对宁德核电厂外围环境γ辐射计量水平的监测结果。监测结果表明,宁德核电厂周围环境连续监测系统测得的环境γ辐射剂量率总平均值为99.7nGy/h,略低于福州对照点测量值(110.3nGy/h)及核电运行前本底值(112.3nGy/h);50km范围内测得环境γ辐射剂量率(瞬时值扣除宇宙射线贡献)为73.4nGy/h,略高于对照点福州测量值(66.7nGy/h)及运行前本底值(70.8nGy/h);30km范围内环境γ辐射累积剂量率为104.8nGy/h,与福州对照点测量值(102.2nGy/h)及运行前本底值(100.0nGy/h)接近,均在本底范围内涨落。     

脉冲激光沉积法制备Zn0薄膜中衬底温度对Zn0薄膜结构的影响

采用溶胶——凝胶法制备高纯的靶材,利用PLD法生长薄膜,成功地在Si衬底上生长了高质量的ZnO薄膜,系统的研究了衬底温度对薄膜生长的影响。采用XRD对薄膜结构进行分析。XRD测试表明,大部分薄膜都具有高度的C轴择优生长取向性,只有衬底温度过高薄膜结构才发生改变。