罗尔中值定理的推广研究

高等数学中微分学占有很大比重,相对来说微分学中的基础理论比较重要也比较基本,微分学的科学价值在于逻辑运用。其中罗尔中值定理是最基本也是应用最为广泛,在应用过程中有着"钥匙"、"桥梁"的作用。充分利用开区间、闭区间以及半开半闭区间条件的转换,来运用罗尔中值定理的推广及其证明,并得出不同条件下的结论。     

非负单调函数"中值点"渐近性的一般结果

文[2]给出了非负单调函数积分中值定理的“中值点”的渐近性.本文对其渐近性作了深入的讨论.使它的主要结论成为本文结果的特殊情形.     

中低温固态氧化物燃料电池复合阴极材料的研究进展

本文阐述了近年来中低温固态氧化物燃料电池阴极材料的发展,介绍了不同阴极材料对固态氧化物燃料电池的过电位、极化电阻、界面电阻的改善作用,并讨论了氧化铋基电解质氧化物的发展趋势及对其界面电阻的影响。     

基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）

在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。     

电阻混联电路简化新方法

将电阻混联电路中用导线直接相连的点用同一个字母表示,没有用导线直接相连的点则分别用不同的字母表示,而后设电流从两个端纽中的任一端纽流进,从另一端纽流出,按电位的高低由高到低排列各字母,最后将各电阻填入对应的两个字母之间,就可以得到串、并联关系清楚的电路图。     

高精度渗碳控制方法

在采用电阻法直接测控碳势的方法中,提出了一种分段参数调节增量式PID算法,通过实际调试和理论推导表明,渗碳工艺过程控制具有控制超调量小、过渡时间短、精度高、软件实现方便等优点,稳定后碳势控制精度可达±0.03%。     

影响ZnO压敏电阻小电流区性能因素探讨

本研究了ZnO2粉料经不同温度预烧和ZnO陶瓷烧结体经不同温度热处理后，对ZnO压敏电阻小电流区性能的影响。结果发现，对于ZnO-Bi2O3-BaO系材料，刚制备出的ZnO陶瓷烧地体中，其Bi2O3主要是α相；经低温及高温热处理后，Bi2O3相结构未发生大的变化；α－Bi2O3相的存在是ZnO压敏电阻小电流区性能较好的主要原因。中温热处理使大部分α－Bi2O3转变为γ－Bi2O3相，相应地小电流区性能明显恶化。通常引入Al2O3·MgO添加剂是为了改善在电流区性能，但同时也不同程度地使小电流区性能下降；本认为，高温热处理能弥补这方面不足，使小电流区性能仍能得到保证。     

恰当地选择 合理地改进——例谈物理实验方法优化

物理是一门以实验为基础的学科,从初中到高中的几年学习过程中,学生、老师要接触到很多的实验。因此在实验教学中教师就很有必要引导学生恰当地选择好的实验方法和工具,合理地改进实验方案,使实验教学有序有效地进行下去。这里略举几例予以说明。     

论输电线路雷击的分类防治

对雷电形成的原因进行简单说明,把雷击分为直击雷和感应雷,根据雷电特点引申出雷暴日、年平均落雷密度、易击点和易击段的概念。雷击架空输电线路引起的绝缘闪络主要分为反击闪络和绕击闪络,加装避雷线是最基本的防雷保护措施。通过对反击和绕击的分类解析,差别性制定防雷措施．线路雷击跳闸多由绕击引起,对220kV及以上线路要把防绕击作为防雷侧重点,而绕击跳闸又与避雷线的保护角有关,采取杆塔升高改造或是设计时减小保护角可以显著降低绕击率。降低接地电阻是提高输电线路耐反击的最有效措施之一,加装金属氧化物避雷器可以防止反击和绕击闪络。     

论微分中值定理点ξ的性质

文章给出两个定理,主要讨论了微分中值定理点ξ的单调性、连续性及可导性。