相变扩散对PTCR效应的影响

从Kanzig微区的概念出发，求得具有扩散相变的铁电体中序参量的温度分布，推导出铁电半导体陶瓷中晶界电阻率温度变化的的函数关系，讨论了扩散相变对PTCR效应的影响。结果表明，扩散相变对PTCR效应的某些特征参量有重要影响，特别是明显地降低了电阻突变的起跳温度和变化陡变。对这种影响的程度作了数值估计。     

电阻混联电路简化新方法

将电阻混联电路中用导线直接相连的点用同一个字母表示,没有用导线直接相连的点则分别用不同的字母表示,而后设电流从两个端纽中的任一端纽流进,从另一端纽流出,按电位的高低由高到低排列各字母,最后将各电阻填入对应的两个字母之间,就可以得到串、并联关系清楚的电路图。     

基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）

在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。     

高精度渗碳控制方法

在采用电阻法直接测控碳势的方法中,提出了一种分段参数调节增量式PID算法,通过实际调试和理论推导表明,渗碳工艺过程控制具有控制超调量小、过渡时间短、精度高、软件实现方便等优点,稳定后碳势控制精度可达±0.03%。     

积分第二中值定理中ξ的渐近性质

本文研究了积分第二中值定理中ξ的渐近性质，得到主要结果：ｌｉｍｂ→ａζ－ａ／ａ－ｂ＝ｎ＋１√ｎ／２ｎ＋１。     

台劳公式余项中点“ξ”的若干分析性质

台劳中值定理保证了将函数f(k)利用台劳公式展开时余项中点“ξ”的存在性。 Ruben Mera在[1]中对ξ的某些性质进行了研究,本文在此基础上,对ξ的性质进行了较为系统的综合讨论,证明在函数f(x)满足一定条件时,ξ是唯一的,因而ξ可作为x的函数是:ξ=ξ(x),并且还证明了ξ(x)的连续性,可导性以及可将ξ(x)展成台劳台式。     

基于 JCR 的不同学科类目文献计量学指标的统计与分析

基于2011年JCR网络版,对JCR所划分的176个学科类目的文献计量学指标,包括总被引频次、中值影响因子、学科集合影响因子、学科集合立即指数、学科集合被引半衰期、学科期刊数和学科总文章数,进行了统计与分析.结果表明：不同学科类目计量指标差异很大.建议在学术期刊评比和科研绩效评价时,应使用相对指标来消除学科之间的差异.     

恰当地选择 合理地改进——例谈物理实验方法优化

物理是一门以实验为基础的学科,从初中到高中的几年学习过程中,学生、老师要接触到很多的实验。因此在实验教学中教师就很有必要引导学生恰当地选择好的实验方法和工具,合理地改进实验方案,使实验教学有序有效地进行下去。这里略举几例予以说明。     

论输电线路雷击的分类防治

对雷电形成的原因进行简单说明,把雷击分为直击雷和感应雷,根据雷电特点引申出雷暴日、年平均落雷密度、易击点和易击段的概念。雷击架空输电线路引起的绝缘闪络主要分为反击闪络和绕击闪络,加装避雷线是最基本的防雷保护措施。通过对反击和绕击的分类解析,差别性制定防雷措施．线路雷击跳闸多由绕击引起,对220kV及以上线路要把防绕击作为防雷侧重点,而绕击跳闸又与避雷线的保护角有关,采取杆塔升高改造或是设计时减小保护角可以显著降低绕击率。降低接地电阻是提高输电线路耐反击的最有效措施之一,加装金属氧化物避雷器可以防止反击和绕击闪络。