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SnO2作为一种典型的宽带隙半导体材料具有许多优异的物理和化学性质,例如极高的电子电导率、可见光透过率和化学稳定性,因此广泛用于光电材料、太阳能电池和气敏材料等各领域。采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备了Ta掺杂SnO2透明导电薄膜,其中Ta含量在8 atom.%左右。Ta:SnO2薄膜的表面形貌较平整,但由于局部应力使薄膜出现了细小的断裂。Ta:SnO2薄膜为金红石结构,结晶程度较高,由于Ta5+、Sn4+离子半径接近,Ta原子溶入SnO2的晶格中置换Sn原子位置形成了稳定均一的固溶体结构,因此没有第二相出现,但是其晶格常数略有变化。 相似文献
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本试验采用溶胶-凝胶工艺在印有电极的石英玻璃表面,通过浸渍-提拉法制备稀土离子掺杂的TiO2-20wt%SnO2复合薄膜.研究当测试频率为0.01kHz时,烧结温度和稀土掺杂量对薄膜湿敏性能的影响.试验结果表明:在400℃和500℃下烧结的薄膜的湿敏性能要优于在600℃和700℃烧结的薄膜的湿敏性能;掺杂稀土离子的薄膜的感湿性能得到了改善,固有阻值降低;400℃烧结的0.5wt%La2O3掺杂的薄膜在45~95RH%湿度范围内阻抗值下降两个数量级;500℃下烧结的0.2wt%CeO2掺杂的薄膜在25~95RH%湿度范围内阻抗值下降两个数量级. 相似文献
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本文介绍了SiH_4/PH_3混合气体的高频辉光放电法,在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性,并对样品作了高温退火试验。应用x射线衍射和红外吸收,对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明,所淀积的是一种微晶——非晶混合相掺P氢化非晶硅膜(AM-Si:P:H),这种膜具有良好的光电性能,较高的掺杂效率。经退火后,光电性能有所改善,是P-i-n太阳能电池所希望的n~ 材料。 相似文献
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正文章摘自:《草根也能玩收藏》出版社:人民邮电出版社版次:2012年7月第一版本书简介:草根也能玩收藏?能。缺乏资金、缺乏知识,草根收藏难在入门。本书讲述了没有家学渊源、没有相关工作经验的应用物理专业的80后工薪玩家,7年间打眼、捡漏的收藏故事。本书择作者40件精选藏品,揭秘古玩江湖里的门门道道。 相似文献
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对印制电路板(PCB)金手指表面变色进行研究,通过对铜原子扩散的分析,解释了PCB金手指表面变色的原因,即铜原子扩散到PCB金手指表面而被氧化;另外,通过分析铜原子在PCB金手指表面的扩散的内在驱动力,并利用菲克定律结合实际条件得出铜在PCB金手指表面的扩散流量和浓度分布表达式,为在实际运用中防止铜原子在PCB金手指表面的扩散提供了理论依据。 相似文献
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朱安定 《长沙铁道学院学报(社会科学版)》2009,(2)
本文从提高挖泥船的流量、泥浆浓度两个方面论述如何提高绞吸式挖泥船的生产效率;对绞吸式挖泥船远、近两种排距施工进行工况分析。 相似文献
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SBR工艺是一种理想的间歇式活性污泥处理工艺,它具有工艺流程简单、处理效果稳定、占地面积小、耐冲击负荷强及具有脱氮除磷能力等优点,是目前正在深入研究的一项污水生物处理新技术。 相似文献