Al -Zn -Mg -Cu 合金晶格应变场的研究

对热处理后Al-Zn-Mg-Cu合金的晶格应变场的定量测量,可以较准确地揭示铝合金的强化机理。本文分别使用X射线衍射与会聚束电子衍射技术对在120℃时效处理14小时的Al-Zn-Mg-Cu合金产生的晶格应变进行测量计算。研究结果表明：通过X射线衍射与会聚束电子衍射测量 Al -Zn -Mg -Cu 合金的有效应力分别为105．44MPa 和110MPa,且会聚束电子衍射可以弥补X射线只能测量平均宏观应变的缺点,实现了铝合金微区晶格应变场的实际测量。这两种方法配合使用,为进一步揭示Al-Zn-Mg-Cu合金的强化机制奠定了基础。     

毛竹竹材几个热力学特性参数的测试与分析

采用闪光法和比较法及直线法分别测量了毛竹竹材沿垂直竹纤维方向的几个热力学特性参数:热扩散率α、比热Cp及竹材密度ρ, 并根据公式λ= 418.68 α Cp ρ得出其另一个重要的热力学特性参数--导热系数λ.结果表明:竹材的热扩散率α与竹材生长的方向和高度的关系不大;导热系数λ、热扩散率α、比热均Cp在温度为70℃左右时具有最大值.这一结果对竹材的热处理加工具有一定的指导意义.     

浅谈有关晶体结构的计算

中学化学中经常用到晶体结构的计算；从晶格结点的三维共用，面共用，体占有以及多元环共用方面，提出多种简便计算方法。     

ErNiGe磁蓄冷材料的比热特性

测量了磁性蓄冷材料ErNiGe的比热曲线,计算了它的晶格常数和晶格比热,得到了它的磁比热曲线,ErNiGe的Néel温度为3.3K,此温度下的比热峰值远大于传统的金属Pb的比热,这是由于它的磁性相变引起的.磁墒变计算结果表明,晶体场使Er3+的能级分裂.     

PbWO4晶体中铅空位周围晶格弛豫的研究

使用相对论性密度泛函计算程序，按照能量最低原理采用共轭梯度方法，对缺铅的钨酸铅晶体进行结构优化处理．计算了铅空位周围晶格的弛豫，得到铅空位周围的晶格结构．结果表明，铅空位周围次近邻的正离子(Pb^2 和W^6 )向铅空位迁移，而铅空位周围最近邻的负离子(O^2-)向远离铅空位的方向迁移．晶格的驰豫结果使铅空位处的电负性降低．     

液晶状态下逐层催化机理对金刚石触媒结构的要求

提出了液晶状态下石墨向金刚石逐层催化转变机理,并根据现代催化理论,分析了金属催化剂的电子结构和晶格结构与催化活性之间的关系。在此基础上,结合工业实践,对合成金刚石所用触媒的优选原则提出了新的见解,认为可以利用触媒的d带空穴和d性百分数衡量其是否符合能量适应原理。     

ABO3型结构陶瓷中的半导化问题

本文研究了在ABO3钙钛矿型结构氧化物陶瓷中，晶格结构因素半导化的影响。氧缺位和B位离子变价是使ABO3氧化物呈n型导电的原因。A位离子半径大、B位离子变价还能能力强的材料，如BaTiO3、BaSnO3通过施主掺杂或还原气氛凝结，易得到n型半导体。相反，如SrTiO3、CaTiO3、BaZrO3实现n型产导化较为困难，对SrTiO3，若在施主掺杂同时辅以还原气氛烧结，可造成氧缺位实现n型半导化。PbTiO3的晶格结构因素本有利于n型半导化，但由于Pb易辉发而具P型导电性，故通常要采取抑制Pb挥发的措施。     

液氦表面上的二维电子

本从几个方面介绍在液氦表面上二维电子系统中所取得的进展：（1）液氦表面上电子这一理想的二维电子系统的形成；（3）近年来对液氦表面上二维电子与液氦表面涟波子物（ripplon field)耦合系统以及它们处于外磁场时系统的基态能量、有效质量等有关物理性质的研究工作的进展情况；（3）液氦表面上Wigner晶格以及dimple的形成。     

柔性显示器用InGaZnO薄膜的第一性原理研究

采用第一性原理研究方法对InGaZnO的电子结构、晶体结构、电学、光学等性质进行了计算。结果表明,与未掺杂的ZnO结构相比,掺杂In、Ga元素使得ZnO结构的费米能级进入导带,使其带隙宽度变窄、导电性增强,适合制备应用于柔性显示器上的透明导电薄膜。     

应力对LaAlO_3/BaTiO_3超晶格结构及性能的影响

采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格。利用高能电子衍射技术和X射线衍射技术对LaAlO3/BaTiO3超晶格的生长过程和微结构进行了表征。发现由于LaAlO3和BaTiO3晶格常数的不匹配,在LaAlO3/BaTiO3超晶格中存在应变,该应变又对超晶格的铁电性能具有很大的影响。而不同的结构存在的应变不同,非对称结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格的应变随每个周期中LaAlO3层厚度的增加、BaTiO3层厚度的减少而增大,其剩余极化强度不仅未减少,反而增加。