BTO/LAO超晶格性能研究

利用横场伊辛模型,考虑四体相互作用,研究了BaTiO3/LaAlO3(BTO/LAO)铁电超晶格的居里温度、介电常数和极化强度与厚度周期的变化关系。发现BTO/LAO铁电超晶格的极化、居里温度和介电影响有显著的尺寸效应,耗散因子对BTO/LAO铁电超晶格的性能影响较大。随着耗散因子的减少,BTO/LAO超晶格的极化强度和居里温度增加,但介电常数几乎不变。当耗散因子σ=2.66时,模拟计算同实验结果相近,表明该理论模型可以作为研究BTO/LAO铁电超晶格的有效方法之一。     

金属超晶格的电子结构

本采用TR－CPA方法，考虑了非对角无序，研究存在界面扩散的超晶格电子能谱，给出了某些参数下局部态密度曲线，并与其它理论结果进行了比较。     

计算晶体比热容的两种模型

晶体比热容是反映晶体性质的一个重要的物理量,本文介绍了计算晶体比热容的两种模型———爱因斯坦模型和德拜模型,以及利用这两种模型计算晶体比热容的具体过程.通过比较揭示这两种模型的物理意义、差异性以及各自在物理学发展史上的重要地位.     

半导体物理的发展及其启示

半导体物理学作为凝聚态物理学一个重要分支，是现代微电子器件工艺学的理论核心。探讨半导体物理学发展规律，对于更好地掌握半导体科学技术的发展趋势有重要意义。     

高能硅离子注入GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在３５０℃高温和室温下以不同剂量注入ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温注入下，观察到ＣａＡｓ中存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相互平衡的剂量范围以及两种速率失去平衡时的临界剂量。用级联碰撞理论分析了所观察到的实验结果。     

应变对GaN/GaxIn1-xN异质结中界面声子的影响

本文采用介电连续模型,讨论了晶格应变对材料的体光学声子频率、介电常数、禁带宽度和电子带质量的影响.对GaN/GaxIn1-xN异质结中材料的界面声子频率随晶格应变的变化关系进行了数值计算.结果显示,应变对该异质结的界面声子频率有一定的影响.     

超晶格Al_xGa_（1－x）As／GaAs中相对键强度的研究

用半经验的ＣＮＤＯ／２量子化学计算方法，对一组模拟超晶格ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的原子簇体系作了第一性原理的电子结构研究。结果表明，化学键Ａｌ—Ａｓ和Ｇａ—Ａｓ的强度，在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ环境中的结果均高于它们在纯晶体ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ环境中的数值；随着ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｘ值的增大，Ｇａ－Ａｓ键强度相应地提高，但平均键强度计算结果，Ｇａ－Ａｓ总低于同环境中的Ａｌ－Ａｓ。本文结果同ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ红外光谱键强度分析等实验事实相吻合，而且为离子注入ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ中引起的晶格损伤分布行为提供了合理的解释。     

金属晶体结构的体积解

本文根据晶体结构的周期性,求解出金属晶体结构的正格子原胞、倒格子原胞、维格纳—赛茨原胞和布里渊区以及金属晶体的两种典型晶格:体心立方晶格、面心立方晶格的体积,并探求出它们的几何关系。     

玻璃系统零点剩余熵的一种新解释

本文综述了有关一般玻璃系统零点剩余熵研究的新进展，同时介绍了自旋玻璃系统的熵冻结问题。对零点剩余熵的存在提出了一种新解释，指出零点剩余熵的存在和熵冻结实际上是等价的，比热测量的结果并不伟初级热力学第三定律。