相变扩散对PTCR效应的影响

从Kanzig微区的概念出发，求得具有扩散相变的铁电体中序参量的温度分布，推导出铁电半导体陶瓷中晶界电阻率温度变化的的函数关系，讨论了扩散相变对PTCR效应的影响。结果表明，扩散相变对PTCR效应的某些特征参量有重要影响，特别是明显地降低了电阻突变的起跳温度和变化陡变。对这种影响的程度作了数值估计。     

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摩尔定律 摩尔定律是微软创始人摩尔在1965年提出的，芯片中的晶体管和电阻器的数量每年会翻番，原因是工程师可以不断缩小晶体管的体积。这就意味着，半导体的性能与容量将以指数级增长，并且这种增长趋势将继续延续下去。1975年，摩尔又修正了摩尔定律，他认为每隔24个月，晶体管的数量将翻番。因此，微处理器的处理能力每18个月到24个月将增加一倍。     

光分组交换中FP-SOA光信号处理研究

利用FP-SOA的增益特性曲线,实现了光分组交换中标签和净荷的分离,光功率均衡和TTL的功能．仿真结果表明:在分离标签和净荷的应用中,分别实现了对窄脉冲和宽脉冲的抑制比为10．5 dB和9 dB;在光功率均衡的应用中,实现了将10dB的功率动态范围减小到1．6dB;在TTL的应用中,实现了将6 dB功率差提升到14．5dB．     

三维涡流场基于有限元法的电磁位对

介绍了用有限元法解决三维涡流场问题时电磁位对的优选问题,分析了其适应情况和优缺点.对目前基于有限元法的三维涡流场数值分析方法的国内外现状作了综合评述.     

管路主动减振系统作动器设计

为提高管路主动减振系统中动磁式直线电机的减振效果，课题组提出了适用于不同情况的作动器的设计思路。以等效磁路法为基础，得到了作动器的电磁特性；利用有限元软件Ansoft Maxwell模拟仿真得出相关参数，并与公式计算的结果进行对比，确认设计具有合理性。应用此方法可以根据实际需求设计不同性能参数的作动器。     

量子阱光电子开关器件(二)

量子阱半导体器件是一种基于量子电子学原理的新型光电子器件。它具有体积小、速度快、功耗低等优点,并且由于它能够与逻辑电路元件混合集成,在解决高复杂度集成电路的高速互连方面具有巨大的实际应用价值。基于这一原理实现的光调制器和开关等光电子器件,可以制成波导,也可制成二堆并行阵列器件。目前,光逻辑和存贮器件阵列的集成规模已达2048个单元,其中所有的单元都可利用自由空间光(free-space optics)进行外部访问。本文概述了量子阱半导体器件的运行机理及其发展前景。     

掺杂半导体中孤立杂质能级的研究

提出一种计算掺杂半导体中孤立杂质能级的方法,该方法建立在密度函数理论基础之上。在应用时只需考虑杂质原子所在处的电子密度状态,对所研究对象的对称性没有特别的要求。在低掺杂浓度下,理论计算结果与实验结果基本一致。     

稀溶液依数性公式的推导

为了使初学者进一步掌握稀溶液依数性公式的推导过程,本文略去了较复杂的热力学及化学势推导过程,采用了简单而通俗的基本公式和直观的作图方法来进行推导.     

快速循环晶化Al／BiGa：DyIG双层磁光膜的磁和磁光性能研究

基于快速循环退火的技术及经验，给出纳米晶化和增大有效法拉第角的理论公式，通过与实验结果比较能够很好地解释Ａｌ／Ｂｉ，Ｇａ∶ＤｙＩＧ双层膜的磁光增强及温度变化特性等原因，同时发现在石榴石膜厚０．１～１．３μｍ范围内，双层膜法拉第角比单层膜增大了０．２０度，居里温度降低到１４０～１６１℃范围，这一结果来源于多层膜界面效应及Ａｌ３＋离子在四面体和八面体位对Ｆｅ３＋离子的取代。有效法拉第角增大的原因是由于细的晶料和双层膜介面光干涉作用     

中国对外经济转型思路

正消费、投资、出口作为中国发展经济的三驾马车,在中国经济增长中具有举足轻重的地位。2013年,中国进出口总额首次超过美国,成为世界第一贸易大国。中国对外贸易成绩喜人,但是面临的问题和挑战也不少,中国对外开放特别是对外贸易只有进行转型,才能更好地应对挑战。一、前言持续快速增长的对外贸易,对我国国民经济的发展做出了巨大贡献。一是促进经济增长和结构调整。从2005年到2007年,我国进出口总额增幅连续3年超过23%。2009年进出口规模为2.2万亿美元,20134.14