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71.
72.
本文介绍了作者们为高压半导体器件的电场分布所编制的模拟程序,此程序是从泊松方程的积分形式出发的.对高压器件模拟程序中的溢出问题提出了一个解决办法.利用此程序对横向功率MOS结构的电场分布进行了模拟分析,得到了有益的结果.显然这一研究对高压器件和高压集成电路极为有益. 相似文献
73.
本文介绍了采用“瑞康牌”XHYK全功能遥控、系统对“福日牌”HFC—321型老式彩电进行改造的原理与方法,为解决老式彩电面临的追加遥控扩展频道问题提供了一条途径。 相似文献
74.
75.
由重庆大学高电压技术专业的办学实践阐明了产学研结合是创办专业的成功道路,是优化人才质量培养的有效途径,也是提高办学水平的必然趋势。 相似文献
76.
防触电保护与接地装置的要求 总被引:1,自引:0,他引:1
针对我国目前的建筑状况,旧的建筑物比较多,且对旧的建筑内的用电安全还没有引起足够的重视,经常发生触电事故,也是由于我国对低压电气线路安全知识不够普及的情况下,撰写此文。本文以TN及TT系统的不同接地故障形式以及雷电引起的高电压阐述MEB对降低危险电压Uc的作用。 相似文献
77.
大屏幕彩色电视机的高压高达 2 5KV至 3 0KV ,整机功耗大 ,热耗散温度高 ,电视机的安全可靠性成为十分突出的矛盾 ,要求它必须具有较强的安全保护功能。为此机内设置了较系统的安全保护电路。本文介绍了松下画王 2 9英寸彩色电视机的各种保护电路 相似文献
78.
谢华 《电子科技大学学报(社会科学版)》2001,(3)
针对一种电力系统模型,探讨了由确定性方程得到的运动状态的混沌特性。仿真表明了该系统对初始条件的敏感性、内在的随机性等混沌运动的特征,以及因分支、混沌现象而导致的电压骤降现象。仿真结果发现,在远离鞍形分支处的混沌区域也出现了电压骤降现象。 相似文献
79.
运算放大器的动态频率补偿技术 ,是在带开关电容的运算放大器忽略了偏置电压的影响的情况下提出的 ,在这种情况下 ,有效地改善了低频小信号和高频大信号相对于传统的静态频率补偿技术的输出特性 相似文献
80.
总剂量辐照加固的功率VDMOS器件 总被引:1,自引:0,他引:1
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。 相似文献