一维无限深势阱的动量几率幅和等式型不确定关系

给出了一维无限深势阱这一特殊情况的动量几率幅和等式形式的不确定关系,导出了一个反常积分公式,弄清了根据德布罗意公式和驻波条件算出的势阱中粒子的动量实际上是粒子的方均根动量.     

用于提高ADC性能的自适应Dither结构

针对流水线型ADC(模数转换器)中加入Dither噪声后可能导致输入信号溢出问题,提出一种自适应Dither结构。该结构采用PN(伪随机码)作为宽带大幅度的Dither,通过自适应的方式在不影响输入信号动态范围的前提下将模拟信号随机化,减小ADC的DNL(微分非线性)误差,提高ADC的动态性能。实验结果对比了加入该Dither前后的输出码字分布以及不同幅度Dither加入后对ADC性能的影响结果。     

基于保幅延拓算子的共成像点道集敏感性分析

波动方程叠前深度偏移是解决复杂构造成像问题的有效手段。偏移速度分析和AVA/AVO分析都需要在共成像点道集完成,而共成像点道集对偏移速度的敏感性又直接决定了偏移速度分析的可行性,也影响到偏移速度迭代收敛的次数。利用双平方根保幅偏移算子,在波场延拓过程中抽取共成像点道集,保持了振幅的能量特征,有利于AVA/AVO分析。偏移距域和射线参数域共成像点道集对偏移速度较敏感,能够满足偏移速度分析的需要,两者联合应用有利于提高偏移速度分析的精度。     

运用霍尔维兹准则分析LC正弦振荡电路

从系统、从S域、从系统稳定的角度,运用霍尔兹准则,对典型LC振荡电路起振的幅值条 件、振荡频率分析求解,给出了相应的结果,为电子线路、信号与系统两者之间的结合提供了实例.     

基于时变跳跃次数的基准利率风险测算研究

各国央行包括美联储的利率调整和变动就是基准利率风险.基准利率的变化势必要导致金融资产定价的变动和风险溢价.本文通过自回归模型AR测算随时间变化的利率跳跃次数,确定基准利率跳跃的概率,利用伽马分布和正态分布分别测算基准利率跳跃的时间与幅度,根据利率跳跃的概率、时间和幅度确定基准利率跳跃风险溢价,建立基于时变跳跃次数的基准利率跳跃风险溢价测算模型,并利用中国上海证券交易所国债7天回购利率数据进行实证研究.本文创新与特色:1)通过自回归模型AR测算时变的利率跳跃次数,测算利率发生跳跃的概率,确定基准利率跳跃风险溢价,揭示跳跃次数的动态变化规律,反映历史利率跳跃行为对未来利率跳跃行为的影响,改变现有研究以常数跳跃次数测算利率跳跃概率、无法真实反映利率跳跃的频繁程度,导致利率跳跃概率及利率跳跃风险溢价测算不准的弊端.2)研究表明,现有研究的常数跳跃次数仅仅是本文跳跃次数测算模型在参数ρ、γ等于0时的特例.3)通过利率跳跃的概率、时间和幅度确定基准利率的跳跃风险溢价,解决基准利率跳跃风险补偿的测算问题.     

廉洁从政的标尺和规范——如何理解和贯彻《廉政准则》

领导干部廉洁从政、规范从政是中国共产党管党治党、反腐倡廉建设的重要内容。《廉政准则》的颁布对于进一步完善惩治和预防腐败体系建设、落实以人为本的科学理念、优化政治生态、促使党员领导干部廉洁自律规范从政具有重大意义。与1997年颁布的《廉政准则》（试行）相比较研究,《廉政准则》体现了与时俱进、全面深入,突出制度创新,要求更严、范围更宽、力度更大的特点。制度要真正有效管用,要在党员干部中加强对《廉政准则》的深入系统的学习教育;要重在落实,提升执行力;要完善制度建设,着重从源头上预防,以确保《廉政准则》真正得到贯彻落实。     

低码率TCMDS／SSMA系统在衰落信道下的性能

将高效网格编码调制（ＴＣＭ）应用于室内慢衰落信道下的直接序列扩频多址（ＤＳ／ＳＳＭＡ）系统中，提出了一种分析ＴＣＭＤＳ／ＳＳＭＡ系统性能的方法。理论分析和模拟表明，在系统用户数、用户信源比特速率和伪码周期相同的前提下，通过消除并行路径和增大最短错误分支长度等适当编码方法，采用低码率ＴＣＭ的ＤＳ／ＳＳＭＡ系统较与Ｕｎｇｅｒｂｏｅｃｋ型ＴＣＭ相结合的ＤＳ／ＳＳＭＡ系统具有更好的性能。     

CDMA移动通信信号恒模特性的阵列有源校正算法

基于CDMA通信信号的恒模特性,提出了一种CDMA移动通信中的天线阵通道误差的有源在线校正算法。在天线阵列附近,发射扩谱序列正交于用户信号的同频辅助信号,用辅助信号对阵列接收信号解扩,采用恒模算法自适应的调节阵列通道滤波器参数,达到补偿阵列误差的目的。该方法克服了常规自校正算法受多径效应的影响和难以收敛不足。计算机模拟证实了该方法的有效性。     

Ni(100)表面吸附Sn的第一性原理研究

用第一性原理的密度泛函理论分析了Sn吸附在Ni(100)表面的几何结构和稳定相吸附前后的功函变化情况。能量计算表明最稳定相是0.5ML(monolayer)的Sn替代Ni(100)表面最外层原子形成c(2×2)结构的合金相,皱褶幅度为0.049nm,与通过低能碱金属离子散射法和低能电子衍射法(LEED)所得到的实验值(0.044±0.005nm)以及全矢量线性平面波法所得理论值(0.036nm)吻合得较好,但与三维电子全息图所得值(0.09nm)和Castep程序所得值(0.018nm)相差很大,Sn在Ni(100)表面吸附前后的功函变化值为0.31eV,表明电荷从底物移向吸附物。