ZnO纳米结构/多孔硅复合体系的结构和发光特性研究

利用脉冲激光沉积的方法分别在硅片和多孔硅衬底上沉积ZnO薄膜作为种子层,随后用溶液法生长了ZnO纳米棒,考察了衬底对纳米棒结构和发光性能的影响.XRD和SEM测量表明,制备的ZnO纳米棒为六角纤锌矿结构,有较好的c轴择优生长趋势,ZnO纳米棒顶端为平顶状.不同衬底生长ZnO纳米棒阵列的结构有很大差异.光致发光谱显示,多孔硅的橙红光和ZnO的发光叠加在一起,ZnO纳米结构/多孔硅复合体系在可见光区有很强的光致发光现象.     

催化剂对TiO2薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备了均匀透明的TiO2薄膜。分析了催化剂在溶胶制备过程中的作用,以及其对制成的TiO2薄膜的性能的影响。主要分析了盐酸、乙酸、硝酸、硫酸等几种催化剂对TiO2薄膜的晶体结构、晶粒尺寸、光学性能的影响。实验结果表明,选择盐酸为催化剂,薄膜生长取向较好,晶粒尺寸较大,光透过率最好。     

绝缘弹胶物薄膜的褶皱与预防

褶皱是以绝缘弹胶物(Dielectric elastomer)(DE)为代表的电活性软物质材料与结构服役过程中的常见现象,也是影响DE器件使用的重用因素,其本质是薄膜的特征值屈曲。文章对绝缘弹胶物的褶皱与预防进行了数值研究。建立了绝缘弹胶物薄膜的有限元模型,计算了给定位移荷载下弹胶薄膜的变形;计算了在一定横向预拉伸作用力薄膜的变形和应力;最后通过前面不同工况的模拟结果,计算给出了不同位移荷载下,使得褶皱消除的临界预拉伸力,从而给出了绝缘弹胶物褶皱预防的一种新方法。     

GaAs薄膜的飞秒瞬态反射谱与透射谱

本文测量了GaAs薄膜的瞬态反射谱和透射谱，计算了其复介电常数、复折射率的瞬态变化，发现瞬态透射谱主要反映了样品吸收的变化，而瞬态反射谱则同时受折射率和吸收变化的影响。     

液氦膜上的二维电子—涟波子强耦合系统

本文采用Landau-Pekar研究晶体中电子与声子强耦合系统的变分理论，讨论液氦薄膜上的二维电子－涟波子强耦合系统。在获得系统能量、解析表达式的同时，还得到系统的有效质量、围绕电子的涟波子云的平均涟波子数以及电子空间局域的表达式。     

脉冲激光沉积法制备Zn0薄膜中衬底温度对Zn0薄膜结构的影响

采用溶胶——凝胶法制备高纯的靶材,利用PLD法生长薄膜,成功地在Si衬底上生长了高质量的ZnO薄膜,系统的研究了衬底温度对薄膜生长的影响。采用XRD对薄膜结构进行分析。XRD测试表明,大部分薄膜都具有高度的C轴择优生长取向性,只有衬底温度过高薄膜结构才发生改变。     

生态农业，大众还是贵族？

2008年末,中国山东费县传出一则"剧毒花生"的新闻,花生中的残留农药致人死亡.此消息后被官方查证为谣言.人们继续放心大胆地食用花生,但花生种植中的严重问题并没得到解决:使用剧毒农药和农用薄膜.     

基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响

采用热蒸发ZnO粉末法,以金膜为催化剂,在两片表面分别朝上和朝下的Si(100)基片上生长ZnO纳米线(样品分别标为1#和2#)。X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿(001)择优取向。通过扫描电子显微镜(SEM)表征发现,ZnO纳米线整齐排列在Si基片上,直径在100nm左右,平均长度为4μm。通过分析得出,两种基片上生长的ZnO纳米线的生长机理是不相同的:1#样品,在基片表面上先生长ZnO薄膜,再在薄膜上生长ZnO纳米线;2#样品,ZnO纳米线直接外延生长在基片表面。结果显示基片表面的朝向影响ZnO纳米线的生长机理。     

Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电性质研究

利用真空蒸镀法在钠钙玻璃上连续蒸镀Cu/Zn/Sn金属前驱体,在氮气保护下,在550℃对前驱体进行硫化,制备出具有类黝锡矿结构的多晶CZTS薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)、霍尔测量仪对样品进行了晶体结构、光学性质和电学性质表征.讨论了样品中预期成份比Cu/(Zn Sn)对CZTS薄膜结构及光电特性的影响.结果表明,当Cu/(Zn Sn)为0.57时,薄膜具有大于104cm-1光吸收系数、禁带宽度约为1.52 eV、较小的电阻率和较高的电子迁移率,适合作为太阳能电池吸收层.