金属超晶格的电子结构

本采用TR－CPA方法，考虑了非对角无序，研究存在界面扩散的超晶格电子能谱，给出了某些参数下局部态密度曲线，并与其它理论结果进行了比较。     

外电场下GaAs／Ga1—xAlxAs量子阱中激子的结合能

本文采用推广的LLP变分法研究纵光学声子对处于外电场下量子阱中激子结合能的影响。求出在不同外场及阱宽下的激子结合能。结果显示，纵光学声子对激子结合能有明显的影响。     

外电场下GaAS／Ga_（1－x）Al_xAS量子阱中激子的结合能

本文采用推广的ＬＬＰ变分法研究纵光学声子对处于外电场下量子阱中激子结合能的影响。求出在不同外场及阱宽下的激子结合能。结果显示，纵光学声子对激子结合能有明显的影响。