介电损耗在TFT性能提升中的应用

该文分析表征了TFT器件栅极绝缘层的介电性能,建立介质层介电损耗与TFT耐压强度、电学性能的关系。首先制备栅极、栅极绝缘层、Si构成的MIS电容,优选出最佳测试参数组合;然后测试电容介电损耗和击穿电压,分析介电损耗和耐压强度的关系;再以MIS电容制备工艺为基础,制备TFT器件并测试后TFT转移曲线,分析介电损耗和TFT开态电流Ion的关系。实验结果表明：介电损耗和耐压强度及TFT特性呈负相关关系,介质损耗增加（0.03%→0.40%）,击穿电压降低（334V→300V）,Ion下降（3.99u A→3.48u A）。温度、频率、湿度均会影响介电损耗测试。该文明确了最佳测量参数组合,开发出一套可以表征TFT栅极绝缘层介电损耗的方法。栅极绝缘层的介电损耗和TFT耐压强度、电学性能相关,可以通过该介质层的介电损耗多维度表征TFT性能,为TFT性能分析表征、优化提供参考。