350keV Yb~＋注入Si（100）的射程分布和晶格损伤研究

用３５０ｋｅＶＹｂ~＋在室温下注入了单晶硅，并用卢瑟福背散射／沟道技术测量了注入离子在硅中的射程分布谱和晶格损伤谱。用表面能量近似和平均能量近似从背散射谱上计算了射程深度和射程分布的标准偏差。实验和计算结果表明，大部分注入离子都处于非替位位置。表面能量近似方法已能给出相当理想的计算精度，它与更精确的平均能量近似所得出的结果相差甚微。晶体与非晶体界面附近的损伤并由Ｙｂ~＋直接产生，它是一种次级级联碰撞效应。     

共轭分子的位活性

本文提出了本征多项式系数a_(N-1)(G)的绝对值的计算公式,对一些基本结构给出了相应的|a_(N-1)|表达式,文中用|a_(N-1)|讨论了一些芳香烃分子的位活性。对于由前线轨道理论和由分子轨道图形理论分别定义出的分子反应活性指标,本文找到了二者之间的联系。对交替烃分子位活性的讨论,两个指标的结果是一致的。对非交替烃分子的反应位活性,本文提出一个计算公式,     

四面体C_4H_4、C_4(CH_3)_4及其骨架的分子轨道法研究

本文用半经验的CNDO/2分子轨道法,计算了C_4H_4和C_4(CH_3)_4的电子能级、电子总能量、电荷分布和电离能。相对四面体骨架C_4(a),配位体H、CH_3和tBu的作用,四面体烷C_4H_4(b)、四甲基四面体烷C_4(CH_3)_4(C)和四特丁基四面体烷C_4(tBu)_4(d)的相对稳定性,本文的计算结果给出了满意的解释,同时对于碳烷多四面体的拓扑成键规则,我们作了进一步的验证和讨论。     

实验室制备乙烯的一种新方法

本文建议用铝基膨润土作催化剂,多相催化乙醇脱水制备实验室用乙烯。文中讨论了本法同现行实验室制备乙烯主要方法的比较。     

电脑试题库尝试Ⅱ

在已建立的本校化学系物质结构课电脑试题库(即CTQS)的基础上,本文充分利用磁盘机等电脑的外部设备,进一步改进了CTQS的程序结构与库存试题等的管理措施,特别是对于考试常模的处理。改进和扩充后的CTQS,查询、修改、扩充、筛选命印库存试题等的能力得到了很大提高,而且所用电脑的内存大大地减少(仅为原CTQS内存需用量的1/10左右),库存内容的保密程度大大地加强。因此,新的CTQS更具有实用价值。     

Al_（0．3）Ga_（0．7）As／GaAs超晶格在高能高温注入下的晶格损伤

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了ＩＭｅＶＳｉ￣＋衬底加温注入Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和作为比较的ＧａＡｓ晶体后晶格的损伤积累与注入剂量的关系。实验结果表明，在注入剂量比较小的情况下，两种晶体都只有很轻微的损伤；动态退火过程的存在抑制了晶格损伤的积累。但在较高的注入剂量下，在几乎无损伤的表面下两种晶体中都形成了损伤埋层，且ＧａＡｓ中损伤峰处的损伤程度和损伤峰的宽度都大于Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格中的情形，根据级联碰撞理论分析了晶体中的损伤积累过程，并从化学键相对强度差异的角度定性地解释了ＧａＡｓ和Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格实验结果的不同。     

交链蒙脱石催化性能研究 IV棉籽油脱色

本文从天然蒙脱石矿物出发,制备了一组脱色剂,并且考察了它们对于棉籽油的脱色能力,从中找出脱色效率较之目前广泛采用的活性白土和活性炭高很多的Cu~(2+)离子交链蒙脱石脱色剂。Cu~(2+)离子交链蒙脱石用于棉籽油脱色的条件,本文作了讨论。相应的脱色机理,本文也作了初步的探讨。     

Sigmund热尖峰溅射模型的研究

对Singmund热尖峰溅射模型进行了修正.用平均能量淀积密度近似代替了Singmund热尖峰溅射模型中的表面能量淀积密度近似.并用TRIM87程序对Sb~+,Bi~+轰击银靶的能量淀积过程进行了模拟计算.将计算所得到的平均能量淀积密度代入修正后的Sig-mund热尖峰溅射模型中,所得到的起始热尖峰区尺寸与能量淀积理论相容.     

交换蒙脱石的热分析

对一组离子交换蒙脱石样品进行了系统地差热分析。结果表明,插入蒙脱石层间的可交换金属阳离子及其价态对蒙脱石热稳定性影响很大。同时,解释了样品蒙脱石的d(001)值,并配合样品的TPR(程序升温还原)结果,揭示了此类蒙脱石的催化氧化活性高温时明显降低的主要原因是蒙脱石层间可交换离子直接与氧结合成氧化物或过氧化物。