短沟道MOSFET准二维分析模型

现有的各种短沟道 MOSFET 分析模型都是所谓“两区模型”,即采用沟道长度调制的假设,把饱和 MOS 管的沟道划分为源区和漏区两个区,并在两区中分别采用缓变沟道近似与恒定电子漂移速度近似等.这就使在计算 MOS 管的沟道电场分布等内部特性时在两区分界点及其附近出现一定的误差,在计算外部特性时则在临界饱和点附近出现相应的误差.本文提出了一种新的适用于短沟道 MOSFET 的准二维分析模型.本模型的关键在于,     

硅双极功率晶体管镇流技术的改进

从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析,并提出了改进措施。结果表明,采用改进的复合镇流技术,不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象,提高了器件的可靠性和工作寿命,而且有助于提高器件的功率增益。     

藁城战鼓威震四方——记藁城市常安镇黄家庄农民武术战鼓队

在河北冀中平原，盛开着一朵璀璨的民间艺术之花——藁城市常安镇黄家庄农民武术战鼓队。     

提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构

研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同时，深阱终端结构在不减小散热面积的情况下，还大大减小了结面积，减小了漏电流，有助于改善器件的频率特性，提高器件的稳定性。