a-Si:H MNS场效应管的研制

本文从积累型工作模式和反型工作模式出发,设计并制造出三种不同结构的 a-Si:H MNSFET。测试了它们的转移特性,并对其特性的异同点进行了解释。结果表明,工作在积累模式的漏源电流比反型模式大近一个数量级,其开关比分别为10~4和10~5,阈电压分别为6V 和9V,器件的沟道宽长分别为200μm 和80μm。     

千古高风范仲淹勤学超越邹平人

读着《岳阳楼记》，我要感谢邹平这块圣地，进发出范公那么多的才思；还要感谢范公这个骄子，让人文邹平成为当今中国的文明百强。于是作为邹平人我愿乘着范公那“不以物喜，不以己悲”的高尚情怀自由飞翔。     

α-Si:H多层膜切面电镜观察分析

本文制备了六种不同结构的 α-Si:H 多层膜结构,对其切面进行了扫描电镜观察分析.结果表明:辉光法生长 α-Si:H 膜过程中存在沉积和刻蚀一对对抗性矛盾,在常规工艺下各层界面不明显存在,在特殊条件下,可能生长出尺度不同的微晶镶嵌在非晶网络中。