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用电镜、激光ROMAN谱分析等手段研究工艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响.结果显示:金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度、基片温度的增加而增加,随工作气压的升高先是增加,而后降低,峰值在15～20 kPa处. 相似文献
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