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研究了AlN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性。实验发现,膜电阻率随温度变化呈现出从NTC过渡到PTC的U型特性,转折温度TM的位置依赖工艺条件的变化。理论分析表明:晶界势垒使膜电阻率在温度变化上存在一个极小值,极小值对应的转折温度正比于晶界势垒。 相似文献
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