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介绍了用MBE法生长SiGe／Si新材料的无氧外延表面等关键技术,并据此外延生长出本征和掺杂Si1-xGex／Si材料。其测试结果与分析表明,该合金材料有效组成成分（x=0.15）和电学参数符合理论设计目标。利用该材料试制成功了St1-xGex-PMOS（X=0.18）器件。 相似文献
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