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本文就掺杂多晶硅的氧化机理及影响其氧化速率的诸因素进行了分析。结果表明掺杂多晶硅的氧化速率受氧化温度、掺杂剂的分凝作用、掺杂的浓度等因素的影响。在低温(如800℃)下进行水汽氧化,就可以得到在要掺杂磷的多晶硅和轻掺杂的硅衬底之间具有约2000A的氧化层厚度差。 文中还对掺磷和掺硼多晶硅?电路的稳定性进行了比较,表明前者较为优越。并简要分析了掺硼硅?Ⅴ_r不稳定的原因。 相似文献
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本文对Poly-Si/SiO_2/S1(多晶硅/二氧化硅/硅)三层系统的扩散进行了分析。根据其扩散解得到二氧化硅层最小掩蔽厚度x_m。 在二层系统 x_m=2(D_2t)1/2 Arg erfc[(1+a)N_b/2mN_o′·10~(-4)] 在三层系统 x_m=2(D_2t)1/2Arg erfc[(1+a)m_1N_b/2m_2N_o·10_(-4)] 指出在三层系统中,由 A.S.Grove等和 H·F·Wolf 分别定义导出的x_m值偏低。 相似文献
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为制备高输出性能的 α-Si∶H FET,本文运用电荷控制理论分析了器件的输出电流、开关比及场效应迁移率对材料和结构参数的依赖关系。根据分析结果设计并制备了沟道宽长比高达10~3的α-Si∶H MNS FET 样品,其输出电流达 mA 数量级。 相似文献
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