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应用计算机模拟方法计算分析了掺杂K离子的PbWO4晶体,在不同杂质离子浓度下,K离子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能,明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应,揭示了低浓度掺K^ :PbWO4的350nm吸收带减弱的原因.计算结果表明,高浓度掺K离子将消除420nm吸收带,改善PbWO4晶体的抗辐照损伤性能. 相似文献
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用密度泛函的方法计算了掺氟钨酸铅晶体(F^-:PbWO4)的电子结构.结果表明,杂质F^-离子的掺入使得部分O的2p态和W的5d态分裂并进入到禁带中,使得禁带宽度变窄.F的2p态距离价带顶6.0eV左右,因而不会影响晶体的蓝发光.F^-离子替位氧离子O^2-可以部分地补偿由于铅空位VPb所造成的局域电荷失衡,阻止铅空位VPb抓住空穴形成复合色心.因此,可以减弱420nm吸收带,有效地增加光产额. 相似文献
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利用计算机模拟技术和经验参数化方法,通过对镁铝尖晶石(MgAl2O4)晶体结构、晶格形成能及本征缺陷形成能的计算,论证了镁空位VMg^2-、氧空位Vo^2 和少量的AlMg^ 是MgAl2O4中的本征点缺陷.并指出其会以[VMg^2--Vo^2 ]空位对和[VMg^2--2lMg^ ]的形式实现电荷补偿. 相似文献
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