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实验采用离子束溅射的方法,在氧化硅衬底上制备了结构为Ta/Ni/Cu/Fe40Co60/Ta多层膜.研究了Cu层厚度对多层膜磁电阻的影响以及在制备Fe40Co60层和Ni层的过程中加相互垂直的外磁场对磁电阻的影响.实验发现,当Ta层厚度为5nm,Fe40Co60层厚度为6nm,Cu层厚度为2.6nm,Ni层厚度为6nm时,制备态薄膜GMR值达到1.6%,在各层厚度不变的情况下,在制备Fe40Co60层和Ni层过程中加相互垂直的外磁场可以使制备态薄膜的GMR值增加到2.3%. 相似文献
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实验采用离子束溅射的方法,在氧化硅衬底上制备了结构为Ta/Ni/Cu/Fe40Co60/Ta多层膜.研究了Cu层厚度对多层膜磁电阻的影响以及在制备Fe40Co60层和Ni层的过程中加相互垂直的外磁场对磁电阻的影响。实验发现,当Ta层厚度为5nm,Fe40Co60层厚度为6nm,Cu层厚度为2.6nm,Ni层厚度为6nm时,制备态薄膜GMR值达到1.6%,在各层厚度不变的情况下,在制备Fe40Co60层和Ni层过程中加相互垂直的外磁场可以使制备态薄膜的GMR值增加到2.3%。 相似文献
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