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用卢瑟福背散射/沟道技术研究了IMeVSi ̄+衬底加温注入Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和作为比较的GaAs晶体后晶格的损伤积累与注入剂量的关系。实验结果表明,在注入剂量比较小的情况下,两种晶体都只有很轻微的损伤;动态退火过程的存在抑制了晶格损伤的积累。但在较高的注入剂量下,在几乎无损伤的表面下两种晶体中都形成了损伤埋层,且GaAs中损伤峰处的损伤程度和损伤峰的宽度都大于Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格中的情形,根据级联碰撞理论分析了晶体中的损伤积累过程,并从化学键相对强度差异的角度定性地解释了GaAs和Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格实验结果的不同。 相似文献
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在隐含积分法的基础上.提出了显含积分法,该法通过变换Schrōdinger时间演化方程.借助于有限差分近似,得到了求解分子散射动力学方程的显含表示式,该表示式中去掉了矩阵的耦合,因而对计算多维散射问题带来方便. 相似文献
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利用修正的含时二次量子波包理论研究了反应体系D+ DH2 DH+ H 的几率和积分散射截面,给出了一个能量范围的计算结果新的结果包含了反应物末态全部角动量的贡献,指出了高激发转动态对生成物的影响,并分析了化学反应机理.与其他散射理论比较表明,修正的二次波包理论具有物理图像清晰、计算简明、精度高等优点,适用于计算转型三原子分子的散射.———原文发表于Acta Physica Sinica(Overseas Edition ,1999 ,8(6) :434 ~436 相似文献
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