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1.
用350keVYb~+在室温下注入了单晶硅,并用卢瑟福背散射/沟道技术测量了注入离子在硅中的射程分布谱和晶格损伤谱。用表面能量近似和平均能量近似从背散射谱上计算了射程深度和射程分布的标准偏差。实验和计算结果表明,大部分注入离子都处于非替位位置。表面能量近似方法已能给出相当理想的计算精度,它与更精确的平均能量近似所得出的结果相差甚微。晶体与非晶体界面附近的损伤并由Yb~+直接产生,它是一种次级级联碰撞效应。  相似文献   
2.
把Coupled States(CS)近似应用于分子散射的波包(WP)理论中,导出了原子与双原子分子散射振幅和散射截面的CSWP近似表达式,该表达式中的势能矩阵关于j_z对角,角向和径向部分可利用3-j符号及一势能积分精确得到,避开了CS近似在计算势能矩阵时直接取近似所带来的较大误差.  相似文献   
3.
用卢瑟福背散射/沟道技术研究了IMeVSi ̄+衬底加温注入Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和作为比较的GaAs晶体后晶格的损伤积累与注入剂量的关系。实验结果表明,在注入剂量比较小的情况下,两种晶体都只有很轻微的损伤;动态退火过程的存在抑制了晶格损伤的积累。但在较高的注入剂量下,在几乎无损伤的表面下两种晶体中都形成了损伤埋层,且GaAs中损伤峰处的损伤程度和损伤峰的宽度都大于Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格中的情形,根据级联碰撞理论分析了晶体中的损伤积累过程,并从化学键相对强度差异的角度定性地解释了GaAs和Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格实验结果的不同。  相似文献   
4.
在相互作用表象中,利用角动量耦合理论,导出了原子-振子散射的含时量子计算公式,并计算了He-H2体系的振转激发态-态跃迁几率和分散射截面。结果表明:1)相互作用表象波函数在坐标空间中具有较高的定域性,随时间演化几乎不变形,因此在计算散射量时具有很高的精度,与标准的密耦合(CC)法的计算结果符合很好;2)增加的振动部分对计算时间的影响取决于对一势能矩阵的积分,而在该积分中仅含基态的计算就能给出较为理想的散射截面,与CC法相比,节省近一倍的计算时间。  相似文献   
5.
用14MeV快中子低剂量辐照刺激休眠卤虫卵筛选出最佳辐照剂量和辐照时间、经过大量的实验室试验及生产中试,结果表明,辐照组比对照组的卤虫卵孵化率平均提高了17%.  相似文献   
6.
采用量子化学密度泛函理论(DFT)在(U)B3LYP/6-31G*水平上对邻亚甲基苯醌与丙烯的Diels-Alder反应进行了理论研究,利用能量梯度法对反应途径上各驻点的构型进行了全优化,对过渡态进行了振动分析确认.对其可能的4个反应通道进行了研究,4个反应通道的活化能垒的顺序是XR相似文献   
7.
基本算符对易子为常数、哈密顿量为二次型的系统是量子理论诸多领域中可严格求解的典型系统之一 ,也是近似求解更复杂系统的基础 .该系统的演化算符、传播子和密度算符等均为指数二次型的 .在多维相空间中 ,利用指数二次型算符的正规乘积和反正规乘积表示式 ,给出了任意指数二次型算符矩阵元的严格表达式 .在能谱和能量本征函数未知的条件下 ,给出了哈密顿量为二次型的配分函数和波函数 .所得结果还可用于计算跃迁概率和散射概率等  相似文献   
8.
在隐含积分法的基础上.提出了显含积分法,该法通过变换Schrōdinger时间演化方程.借助于有限差分近似,得到了求解分子散射动力学方程的显含表示式,该表示式中去掉了矩阵的耦合,因而对计算多维散射问题带来方便.  相似文献   
9.
利用修正的含时二次量子波包理论研究了反应体系D+ DH2 DH+ H 的几率和积分散射截面,给出了一个能量范围的计算结果新的结果包含了反应物末态全部角动量的贡献,指出了高激发转动态对生成物的影响,并分析了化学反应机理.与其他散射理论比较表明,修正的二次波包理论具有物理图像清晰、计算简明、精度高等优点,适用于计算转型三原子分子的散射.———原文发表于Acta Physica Sinica(Overseas Edition ,1999 ,8(6) :434 ~436  相似文献   
10.
运用多模玻色指数二次多项式算子普通、正规乘积、反正规乘积三种表达式之间的转换关系,给出了多模玻色指数二次多项式算子任意矩阵元的解析表达式. 应用本结果,得到了玻色二次多项式型系统配分函数及多模玻色指数二次多项式算子在粒子数、坐标、动量表象的矩阵元和P表示的严格表达式.  相似文献   
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