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用密度泛函理论平面赝势方法,利用Materials Studio中的Castep软件包,对GaN及Zn对GaN的Ga位掺杂和N位掺杂进行了模拟计算,并对本征GaN和Zn掺杂GaN的能带结构和态密度、差分电荷密度分布及光学性质进行了分析.计算结果表明,Zn原子替换N原子能改善GaN晶体的电学性能,在光学方面,Zn掺杂GaN的动态介电函数表现出光学各向异性.  相似文献   
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