硅氧化物反应离子刻蚀均匀性研究(英文)

提出了提高径向刻蚀均匀性的一种新颖的方法。在反应离子刻蚀系统中,采用等离子体控制环调节硅氧化物的径向刻蚀速率,刻蚀均匀性在等效于直径为15 cm 硅片上可以达到±3%.     

硅双极功率晶体管镇流技术的改进

从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析,并提出了改进措施。结果表明,采用改进的复合镇流技术,不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象,提高了器件的可靠性和工作寿命,而且有助于提高器件的功率增益。     

a-Si:H MNS场效应管的研制

本文从积累型工作模式和反型工作模式出发,设计并制造出三种不同结构的 a-Si:H MNSFET。测试了它们的转移特性,并对其特性的异同点进行了解释。结果表明,工作在积累模式的漏源电流比反型模式大近一个数量级,其开关比分别为10~4和10~5,阈电压分别为6V 和9V,器件的沟道宽长分别为200μm 和80μm。     

减压CVD技术

本文简要地叙述减压CVD技术的基本理论,着重介绍该技术应用于半导体器件加工掺硼、磷和砷氧化物源,二氧化硅薄膜,四氯化硅—氨—氮系统淀积氮化硅薄膜以及热分解硅烷淀积多晶硅薄膜等工艺技术问题。提供了各类薄膜制作时采用的典型工艺数据(仅供参考)。对薄膜厚度的均匀性,掺杂层浓度控制与均匀性及薄膜表面状况等进行了分析讨论。由理论分析和实验结果看出,减压CVD技术制作的半导体器件中应用的各类薄膜最突出的优点是:薄膜厚度的均匀性高(可达1～3％),实现了高密度装片(生产量可达10厘米温区内可装40片)。因而,减压CVD技术在目前大规模集成电路、微波半导体器件中是一种十分值得重视的工艺技术。     

提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构

研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同时，深阱终端结构在不减小散热面积的情况下，还大大减小了结面积，减小了漏电流，有助于改善器件的频率特性，提高器件的稳定性。